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電容效應于二極管的作用是什么?電容緩沖電路該如何設計?

2017年06月01日 10:48 網絡整理 作者: 用戶評論(0

  什么是二極管電容效應?

  二極管具有電容效應。它的電容包括勢壘電容CB和擴散電容CD。

  1.勢壘電容CB(Cr)

  PN結內缺少導電的載流子,其電導率很低,相當于介質;而PN結兩側的P區、N區的電導率高,相當于金屬導體。從這一結構來看,PN結等效于一個電容器

  事實上,當PN結兩端加正向電壓時,PN結變窄,結中空間電荷量減少,相當于電容“放電”,當PN結兩端加反向電壓時,PN結變寬,結中空間電荷量增多,相當于電容“充電”。這種現象可以用一個電容來模擬,稱為勢壘電容。勢壘電容與普通電容不同之處,在于它的電容量并非常數,而是與外加電壓有關。當外加反向電壓增大時,勢壘電容減小;反向電壓減小時,勢壘電容增大。目前廣泛應用的變容二極管,就是利用PN結電容隨外加電壓變化的特性制成的。

  2.擴散電容CD

  PN結正向偏置時,N區的電子向P區擴散,在P區形成一定的非平衡載流子的濃度分布,即靠近PN結一側濃度高,遠離PN結的一側濃度低。顯然,在P區積累了電子,即存貯了一定數量的負電荷;同樣,在N區也積累了空穴,即存貯了一定數即正電荷。當正向電壓加大時,擴散增強,這時由N區擴散到P區的電子數和由P區擴散到N區的空穴數將增多,致使在兩個區域內形成了電荷堆積,相當于電容器的充電。相反,當正向電壓減小時,擴散減弱,即由N區擴散到P區的電子數和由P區擴散到N區的空穴數減少,造成兩個區域內電荷的減少,、這相當于電容器放電。因此,可以用一個電容來模擬,稱為擴散電容。

  總之,二極管呈現出兩種電容,它的總電容Cj相當于兩者的并聯,即Cj=CB + CD。二極管正向偏置時,擴散電容遠大于勢壘電容 Cj≈CD ;而反向偏置時,擴散電容可以忽略,勢壘電容起主要作用,Cj≈CB 。

  電容緩沖電路該如何設計?

  功率開關是所有功率轉換器的核心組件。功率開關的工作性能直接決定了產品的可靠性和效率。若要提升功率轉換器開關電路的性能,可在功率開關上部署緩沖器,抑制電壓尖峰,并減幅開關斷開時電路電感產生的振鈴。正確設計緩沖器可提升可靠性和效率,并降低EMI。在各種不同類型的緩沖器中,電阻電容(RC)緩沖器是最受歡迎的緩沖器電路。本文介紹功率開關為何需要使用緩沖器。此外還提供一些實用小技巧,助您實現最優緩沖器設計。

  什么是二極管的電容效應?

  圖1: 四種基本的功率開關電路

  有多種不同的拓撲用于功率轉換器、電機驅動器和電燈鎮流器中。圖1顯示四種基本的功率開關電路。在所有四種基本電路中——事實上在大部分功率開關電路中——藍線以內表示的是同樣的開關二極管電感網絡。該網絡在所有這些電路中均具有相同的特性。因此,可利用圖2中的簡化電路進行開關瞬變時針對功率開關的開關性能分析。由于開關瞬變期間,電感電流幾乎不變,因此采用電流源代替電感,如圖所示。該電路的理想電壓和電流開關波形同樣如圖2所示。

  什么是二極管的電容效應?

  圖2 簡化的功率開關電路及其理想開關波形

  MOSFET開關關斷時,它兩端的電壓將上升。然而,電流IL將繼續流過MOSFET,直到開關電壓到達Vol。二極管導通后,電流IL開始下降。MOSFET開關導通時,情況相反,如圖所示。這類開關稱為“硬開關”。開關瞬變期間,必須同時支持最大電壓和最大電流。因此,這種“硬開關”會使MOSFET開關承受高電壓應力。

  什么是二極管的電容效應?

  圖3 MOSFET開關關斷瞬變時的電壓過沖

  在實際電路中,開關應力要高得多,因為存在寄生電感(Lp)和寄生電容(Cp),如圖4所示。由于PCB布局與走線,Cp包含開關輸出電容和雜散電容。Lp包含PCB路由寄生電感和MOSFET引線電感。這些來自功率器件的寄生電感和電容組成濾波器,并在關斷瞬變發生后立即產生諧振,從而將過量電壓振鈴疊加到器件上,如圖3所示。若要抑制峰值電壓,可在開關上部署一個典型RC緩沖器,如圖4所示。電阻值必須接近需減幅的寄生諧振阻抗值。緩沖器電容必須大于諧振電路電容,同時又必須足夠小,以便將電阻功耗保持在最低水平。

  什么是二極管的電容效應?

  圖4: 電阻電容緩沖器配置

  如果功耗并非關鍵因素,那么有一種方法可以快速設計RC緩沖器。由經驗可知,選擇緩沖器電容Csnub,使其等于開關輸出電容值與安裝電容估算值之和的兩倍。選擇緩沖器電阻Rsnub , 所以:

  什么是二極管的電容效應?

  Rsnub上的功耗可估算如下(給定開關頻率fs):

  什么是二極管的電容效應?

  當這一簡單的經驗設計不再限制峰值電壓時,便可執行優化步驟。

  優化RC緩沖器: 在那些功率損耗很重要的應用中,應當采用優化設計。

  首先,測量MOSFET開關節點(SW)在關斷時的振鈴頻率(Fring)。在MOSFET上焊接一個100 pF低ESR薄膜電容。增加電容,直到振鈴頻率為初始測量值的一半。現在,由于振鈴頻率與電路電感和電容乘積的平方根成反比,開關總輸出電容(增加的電容與初始寄生電容之和)增加四倍。因此,寄生電容Cp為外部所增加電容值的1/3。現在,式通過下可獲得寄生電感Lp:

  什么是二極管的電容效應?

  一旦求出寄生電感Lp和寄生電容Cp,緩沖器電阻Rsnub和電容Csnub便可根據下列計算進行選擇。

  什么是二極管的電容效應?

  如果發現緩沖器電阻值過低,可對其進一步微調以降低振鈴。

  Rsnub上的功耗(給定開關頻率fs)等于。

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( 發表人:易水寒 )

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