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硬件基礎之電解電容知識

2017年11月14日 09:32 網絡整理 作者: 用戶評論(0

  因為電容的充電需要一定的時間,所以可以利用電容來實現硬件的延時。

  在電容在4.7uF以上,我們通常選用電解電容,特點是精度小,容量大。

  小容量電容為瓷片電容,一般為貼片式的,也有插件式的。特點容量小,精度高。一般在電源電路中和點解電容配合使用。

  一般情況下,電源負載對后面電路輸送能量時,都接一個儲能電容。

  電解電容可以儲能一般濾掉低頻波,對高頻波過濾一般。一般加個瓷片電容濾高頻波。

  有極性的電容一定不能接反,否則電容會短路容易發生爆炸。

硬件基礎之電解電容知識

  C1為無極性電容,C2為極性電容。

  瓷片電容沒有極性。特點容量小精度高無極性,多用于濾波電路,長用于震蕩電路中。電容量為幾皮法到幾百納法。如100納法的104電容。可以濾去高dv/dt(在dt時間內變化的電壓差,也稱尖峰電壓)。高di/dt(在dt時間內變化的電流差,也成浪涌電流)。高dv/dt高di/dt都會對電路負載產生影響。電容容抗xc=1/(2πfc)。頻率越大容抗越小。電容上的電壓是漸變的,不能突變,當遇到尖峰電壓時,電容電壓慢慢上升,消耗尖峰電壓,輸出較為平緩的電壓。也就是濾波。

  電容作用:隔直流通交流,整流濾波,充放電,儲能等。

  電容單位:法拉(F),微法(uF),納法(nF),皮法(pF)。

  單位換算:1法拉=1e6微法=1e9納法=1e12皮法

  C=Q(電荷量)/V

  Vin*(1-e^(-t/RC))電容充電,電壓函數(指數方程)

  電容充電時,電壓先快速上升,后逐漸趨于平緩。

  (Vin/R)*e^(-t/RC)

  電容充電時,電流先快速下降,后逐漸趨于平緩。

  電容的容量越大,濾除紋波的效果就越好。

  因為電荷量多,所以電容在放電過程中電壓下降的就越慢,因此紋波就越小。

  后面輸出電流越大,電壓下降的也就越快,波紋就越大,因此可以用大一點的電容。

  波紋大小還與給電容的充電周期有關系,周期越小,頻率(周期的倒數)越快,紋波就小一點。

  C=Iout/(△V(紋波電壓變化)*f(頻率))

  充電周期越小,頻率越大,同樣的紋波要求,則需要的電容也越小。

  半波整流充電電路:只在正半周期對電容充電。

  全波整流充電電路:在正負半周期都對電容充電。所以對電容的充電頻率是同樣的半波整流充電電路的2倍。

  電解電容內有電解液和鋁箔即鋁電解電容,特點,容量大精度小誤差大。電解液會出現泄漏和揮發,隨著時間的流逝,電容的容量會下降,電容的壽命會降低。長時間滿負荷工作會影響電容的壽命。為了提高電容的使用壽命,會增加電容容量,來降低電容負荷。同樣的電壓滿負荷也會降低電容壽命,通常會選用滿負荷電壓的1.5倍。

  一般情況下,電流不超過100-150mA,可以采用220uF或330uF的電容。

  電解電容標準:10V,16V,25V,35V,50V,63V,250V,450V等。

  電阻分為插件電阻貼片電阻

  常用的貼片電阻和電容的封裝及對應的功率。

  1210--1/2W 1206--1/4W 0805--1/8W 0603--1/10W 0402--1/16W

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( 發表人:劉杰 )

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