從電路來說，總是存在驅動的源和被驅動的負載。如果負載電容比較大，驅動電路要把電容充電、放電，才能完成信號的跳變，在上升沿比較陡峭的時候，電流比較大，這樣驅動的電流就會吸收很大的電源電流，由于電路中的電感，電阻（特別是芯片管腳上的電感，會產生反彈），這種電流相對于正常情況來說實際上就是一種噪聲，會影響前級的正常工作。這就是耦合。

去藕電容就是起到一個電池的作用，滿足驅動電路電流的變化，避免相互間的耦合干擾。

旁路電容實際也是去藕合的，只是旁路電容一般是指高頻旁路，也就是給高頻的開關噪聲提高一條低阻抗泄防途徑。高頻旁路電容一般比較小，根據諧振頻率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合電容一般比較大，是10u或者更大，依據電路中分布參數，以及驅動電流的變化大小來確定。

旁路是把輸入信號中的干擾作為濾除對象，而去耦是把輸出信號的干擾作為濾除對象，防止干擾信號返回電源。這應該是他們的本質區別。

如何選擇耦合電容和旁路電容的參數

我們知道，電容越大，儲能越大，可他的時間參數也就越大，在低頻放大電路中，耦合電容同時還要考慮到一個“信號耦合量”的問題，即通過電容的交流信號的“流量”，所以一般都選擇的比較大，但太大的耦合電容由于它的時間常數大，高頻信號通不過，也會引起輸出波形畸變或使放大電路產生“飽和失真”，在高頻電路中一般都是放大高頻電壓信號，所以耦合電容一般取得小，有時幾PF就夠了。

旁路電容在放大電路中是作為交流信號的通道用，也是根據信號所通過的時間和“流量”來選擇的，低頻放大電路的旁路電容一般都選擇得較大，幾萬PF、幾千PF或幾百PF。高頻電路選擇得比較小，幾十或幾PF就夠了。

舉個列子，一個采用集電極輸出的共基極音頻電壓放大電路，要求直接推動電流放大電路，電壓放大管的射極旁路電容可取4700PF，集電極輸出耦合電容可取到20微法。如果這個電路只做中頻電壓放大，射極旁路電容取470PF就夠了，集電極耦合輸出0.1微法就夠了。

為什么低頻要考慮耦合電容的影響

我認為關于“高頻要考慮極間電容，低頻考慮耦合電容”是針對信號的失真與否來說的。引用《模擬電子技術基本教程》里的一段文字：”在放大電路中，由于耦合電容對于頻率足夠高的信號相當于短路，使信號幾乎無損失地通過；而對于低頻信號的容抗不可忽略，造成信號的損失；因而對信號構成了高通電路。與耦合電容相反，由于半導體管極間電容對于低頻信號的容抗很大，相當于開路；而當信號頻率高到一定程度時，極間電容將分流，導致信號的損失；因而，對信號構成了低通通路。“所以我歸納為：關于“高頻要考慮極間電容，低頻考慮耦合電容”是針對信號的失真與否來說的。

因為電容的容抗與頻率成反比，即頻率越低，容抗越大，這導致耦合電容阻礙低頻信號的通過。