PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/b>
P端接電源的正極,N端接電源的負(fù)極稱之為PN結(jié)正偏。此時(shí)PN結(jié)如同一個(gè)開(kāi)關(guān)合上,呈現(xiàn)很小的電阻,稱之為導(dǎo)通狀態(tài)。
P端接電源的負(fù)極,N端接電源的正極稱之為PN結(jié)反偏,此時(shí)PN結(jié)處于截止?fàn)顟B(tài),如同開(kāi)關(guān)打開(kāi)。結(jié)電阻很大,當(dāng)反向電壓加大到一定程度,PN結(jié)會(huì)發(fā)生擊穿而損壞。
伏安特性曲線
伏安特性曲線:加在PN結(jié)兩端的電壓和流過(guò)二極管的電流之間的關(guān)系曲線稱為伏安特性曲線。如圖所示:PN伏安特性
正向特性:u>0的部分稱為正向特性。
反向特性:u<0的部分稱為反向特性。
反向擊穿:當(dāng)反向電壓超過(guò)一定數(shù)值U(BR)后,反向電流急劇增加,稱之反向擊穿。
勢(shì)壘電容:耗盡層寬窄變化所等效的電容稱為勢(shì)壘電容Cb。
變?nèi)荻O管:當(dāng)PN結(jié)加反向電壓時(shí),Cb明顯隨u的變化而變化,而制成各種變?nèi)荻O管。如下圖所示。PN結(jié)的勢(shì)壘電容
平衡少子:PN結(jié)處于平衡狀態(tài)時(shí)的少子稱為平衡少子。
非平衡少子:PN結(jié)處于正向偏置時(shí),從P區(qū)擴(kuò)散到N區(qū)的空穴和從N區(qū)擴(kuò)散到P區(qū)的自由電子均稱為非平衡少子。
擴(kuò)散電容:擴(kuò)散區(qū)內(nèi)電荷的積累和釋放過(guò)程與電容器充、放電過(guò)程相同,這種電容效應(yīng)稱為Cd。
結(jié)電容:勢(shì)壘電容與擴(kuò)散電容之和為PN結(jié)的結(jié)電容Cj。