電撬設(shè)備
該類抑制器具有“電撬”特性,通常與4層NPNP硅控雙極裝置或等離子氣體/GDT裝置有關(guān)。 一旦達(dá)到閾值或轉(zhuǎn)折電壓,則電流的進(jìn)一步增加將導(dǎo)致設(shè)備快速導(dǎo)電,其正向電壓降僅為幾伏。 實(shí)質(zhì)上,線路在發(fā)生瞬態(tài)現(xiàn)象時(shí)將處于暫時(shí)的“短路”狀態(tài)。
工作溫度范圍
設(shè)備應(yīng)用電路的最低和最高環(huán)境工作溫度。 工作溫度不能對鄰近元件造成影響,這是設(shè)計(jì)人員必須考慮的一個(gè)參數(shù)。
允許電路元件儲(chǔ)存電荷的電路元件屬性。 在電路保護(hù)中,斷態(tài)電容通常是在頻率1 MHz、偏壓2 V下測得的。
反向斷態(tài)電壓(VR)
對單向瞬態(tài)抑制二極管而言,在無大電流的情況下,這是可用于閉鎖方向的最大峰值電壓。 對雙向瞬態(tài)而言,它適應(yīng)于任一方向。 其含義與最大斷態(tài)電壓和最高工作電壓相同。
擊穿電壓(VBR)
在指定的直流測試電流下測得的擊穿電壓,通常為1mA。 通常會(huì)說明最大與最小值。
峰值脈沖電流(IPP)
可重復(fù)施加的最大脈沖電流。 若經(jīng)說明,通??梢允?0x1000μs雙指數(shù)波形,也可以是8x20μs。
最大鉗位電壓(VC 或VCI)
在出現(xiàn)最大峰值脈沖電流時(shí),可從保護(hù)器上測得的最大電壓。
峰值脈沖功率(PPP)
以瓦或千瓦表示,1ms指數(shù)瞬態(tài)值),是IPP和VCL的乘積。