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快速恢復二極管打火問題的優化設計

2012年05月04日 16:13 本站整理 作者:秩名 用戶評論(0

  引 言

  快恢復二極管(簡稱FRD)是一種具有開關特性好、反向恢復時間短的半導體二極管。對于高壓工作的FRD來說,平面工藝不可避免的存在著結面彎曲效應而影響擊穿電壓,使得器件實際擊穿電壓只有理想情況的10%-30%。因此為了保證FRD能工作在高電壓下,就需要使用結終端技術來消除結面彎曲帶來的影響,提高FRD器件的耐壓。在提高耐壓采用終端技術的同時,還要兼顧到其它特性的影響和優化。如本文后面將要提到的,在采用金屬場板終端提高耐壓的同時,還要防止圓片打火問題的發生。

  1場限環的基本結構

  圖1:場限環結構示意圖

  

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  圖2:多個場限環結構示意圖

  

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  場限環的基本結構見圖1,圖2.。就是在被保護的主結周圍間隔一定距離,擴散形成一定大小的同心環。擴散環改變了主結邊緣空間電荷分布,減輕了電場集中效應。提高了耐壓。單環的作用有限,一般在高壓下需要通過多個環來達到預定的電壓。

  2 場板的基本結構分析

  圖3:場板結構示意圖

  

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  場板的基本結構見圖3,也是常用的提高耐壓的方法之一。場板下除邊緣部分外,電場分布是一維的,類似于MOS電容。擊穿時的擊穿電壓為擊穿時半導體的電壓和氧化層的壓降之和。在場版的邊緣,電力線集中。如果場板長度比內部耗盡層還大,N+P結的場板有電力線從板向半導體發出,在半導體表面有電力線進入,這等效于半導體表面有正電荷,他對電場的影響可看做是無窮大的半導體中間增加了一層電荷,這些正電荷產生垂直于表面的場外,也將產生平行于表面的場,每一正電荷在其左邊產生指向左的場,在其右邊產生指向右的場。所以在場版下面的多數區域,正電荷產生的橫向電場是互相削弱。然而在場板的邊緣,所有正電荷產生的橫向場是互相加強的,結果在那里造成一個橫向場的峰值。如果場板很短或者無場板時,在PN結的邊緣就有很強的電場,場板上所有正電荷都是使這點電場減少的,因此場板愈長,電場峰值愈小。

  3 氣隙的擊穿特性

  我們知道,影響空氣間隙放電電壓的因素有很多。主要有電場的情況,比如均勻與不均勻;電壓的形式,比如直流,交流還是雷電沖擊;大氣的條件,比如溫度,濕度,氣壓等。較均勻電場氣隙的擊穿電壓與電壓極性無關,直流,工頻擊穿電壓(峰值)以及50%沖擊擊穿電壓都相同,分散性很小。

  

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  當S不過于小時(S>1cm), 均勻空氣中的電場強度大致等于30KV/cm。稍不均勻的電場氣隙的擊穿電壓,可以看作球與球之間,球與板之間,圓柱與棒之間,同軸圓柱的間隙之間的擊穿。它的特點是不能形成穩定的電暈放電,電場不對稱時,有極性效應,不很明顯,直流,工頻下的擊穿電壓以及50%沖擊擊穿電壓相同,分散性不大,擊穿電壓和電場均勻程度關系極大,電場越均勻,同樣間隙距離下的擊穿電壓就越高。直流電壓下的擊穿電壓具有極性效應,棒棒電極間的擊穿電壓介于極性不同的棒板電極之間,平均擊穿場強正棒和負板間約4.5KV/cm,負棒和正板間約10KV/cm,棒和棒之間約4.8-5KV/cm。擊穿電壓與間隙距離接近正比,在一定范圍內,擊穿電壓與間隙距離呈線性關系。球與球間隙之間存在鄰近效應,對電場會有畸變作用,使間隙電場分布不對稱,同一距離下,球直徑越大,擊穿電壓也越高。

  圖4 擊穿電壓與間隙距離的關系

  

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