什么是變?nèi)?a target="_blank">二極管

　　變?nèi)荻O管（Varactor Diodes）又稱“可變電抗二極管”，是利用pN結(jié)反偏時結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時結(jié)電容減小、反之結(jié)電容增大，變?nèi)荻O管的電容量一般較小，其最大值為幾十皮法到幾百皮法，最大區(qū)容與最小電容之比約為5:1。它主要在高頻電路中用作自動調(diào)諧、調(diào)頻、調(diào)相等、例如在電視接收機的調(diào)諧回路中作可變電容。

　　變?nèi)荻O管工作原理

　　變?nèi)荻O管（Varactor Diodes）為特殊二極管的一種。當外加順向偏壓時，有大量電流產(chǎn)生，PN（正負極）結(jié)的耗盡區(qū)變窄，電容變大，產(chǎn)生擴散電容效應；當外加反向偏壓時，則會產(chǎn)生過渡電容效應。但因加順向偏壓時會有漏電流的產(chǎn)生，所以在應用上均供給反向偏壓。

　　變?nèi)荻O管也稱為壓控變?nèi)萜鳎歉鶕?jù)所提供的電壓變化而改變結(jié)電容的半導體。也就是說，作為可變電容器，可以被應用于FM調(diào)諧器及TV調(diào)諧器等諧振電路和FM調(diào)制電路中。

　　其實我們可以把它看成一個PN結(jié)，我們想，如果在PN結(jié)上加一個反向電壓V（變?nèi)荻O管是反向來用的），則N型半導體內(nèi)的電子被引向正極，P型半導體內(nèi)的空穴被引向負極，然后形成既沒有電子也沒有空穴的耗盡層，該耗盡層的寬度我們設為d，隨著反向電壓V的變化而變化。如此一來，反向電壓V增大，則耗盡層d變寬，二極管的電容量C就減少（根據(jù)C=kS/d），而反向電壓減小，則耗盡層寬d變窄，二極管的電容量變大。反向電壓V的改變引起耗盡層的變化，從而改變了壓控變?nèi)萜鞯慕Y(jié)容量C。達到了目的。

　　變?nèi)荻O管是利用PN結(jié)之間電容可變的原理制成的半導體器件，在高頻調(diào)諧、通信等電路中作可變電容器使用。

　　變?nèi)荻O管作用

　　1、變?nèi)荻O管的作用是利用PN結(jié)之間電容可變的原理制成的半導體器件，在高頻調(diào)諧、通信等電路中作可變電容器使用。

　　變?nèi)荻O管屬于反偏壓二極管，改變其PN結(jié)上的反向偏壓，即可改變PN結(jié)電容量。反向偏壓越高，結(jié)電容則越少，反向偏壓與結(jié)電容之間的關系是非線性的，如右圖所示。

　　2、變?nèi)荻O管的電容值與反向偏壓值的關系圖解：

　　（a） 反向偏壓增加，造成電容減少；

　　（b） 反向偏壓減少，造成電容增加。

　　電容誤差范圍是一個規(guī)定的變?nèi)荻O管的電容量范圍。數(shù)據(jù)表將顯示最小值、標稱值及最大值，這些經(jīng)常繪在圖上。

　　常見變?nèi)荻O管參數(shù)