許多人將硅基瞬態電壓抑制器(TVS)稱為“二極管”。TVS制造商自己可能也在沿用這個概念;畢竟，我們經常將這些器件稱為“TVS 二極管”或“靜電放電(ESD)保護二極管”。

從技術上來說，二極管是一種兩端子器件，主要沿一個方向傳導電流。TVS或TVS二極管也是兩端子器件，用于在反向擊穿區域中傳導電流。

如果TVS等同于“普通二極管”，我們是否可以隨便選擇TVS 二極管或相關類型的二極管來保護電路呢?如果真這樣做的話，結果可能會令人失望。

隨著設計幾何尺寸的縮小和總線速度的不斷提高，TVS二極管的工程設計越來越有挑戰性。大多數新型TVS 器件都極為復雜、多結，專為特定應用而設計。雖然在電路圖上的符號相同，但內部電路更為精密。圖1 是一個低電容、深折回TVS 器件，這絕對不是“普通二極管”。我們來仔細看看。

圖 1 – TVS 結構示例

TVS二極管到底是什么?

一個常見的誤解是認為TVS二極管等同于齊納二極管，有很多人將TVS二極管稱為“齊納”。其實TVS二極管和齊納二極管是為完全不同的應用而設計的。齊納二極管用于調節電壓，因此可在擊穿區域內工作(圖2)。

圖 2 – 齊納二極管工作區域

TVS二極管是專門用于抑制瞬態過電壓事件的器件。在正常工作條件下，TVS對受保護電路呈高阻抗。唯一流動的電流是器件的漏電流，通常為幾納安。當瞬態電壓超過器件的擊穿電壓時，TVS二極管導通(圖 3)。

圖3 – TVS 工作區域 TVS二極管會在短時間內耗散大量能量。瞬態事件的持續時間從幾納秒到一毫秒不等。這就需要較大的結面積來促進電流的均勻分布，并需要用其他設計元件確保器件可以吸收預期的能量，避免造成損壞。

TVS 參數

TVS工作電壓是指器件對電路呈高阻抗時的電壓。通常所選TVS器件的工作電壓要盡可能接近電路工作電壓。在瞬態事件中，受保護線路上的電壓將快速升高。一旦超過TVS擊穿電壓，它就會成為傳導瞬態電流的低阻抗路徑。

在最大瞬態電流條件下，TVS兩端產生的電壓被稱為鉗位電壓。這個關鍵參數常常被忽略，因為它也是受保護電路兩端的電壓。如果超過了受保護IC 的最大功能限制，它可能會損壞。對高速電路的保護還面臨其他設計挑戰，例如在不損害TVS傳導高能瞬變能力的前提下，降低TVS的有效負載電容。

降低鉗位電壓

在第一部分中，我們了解到瞬態電壓抑制二極管(TVS) 的鉗位電壓是關鍵的保護參數。TVS制造商一直在努力降低鉗位電壓，以適配不斷縮小的IC尺寸和對過電壓事件的更高敏感性。實現低鉗位電壓的一種方法是將器件設計為一旦觸發即可“折回”至較低電壓的結構。折回可深可淺，具體取決于預期的應用。實現深折回的一種方法是設計一種自觸發晶閘管TVS結構(圖4)。

圖4 深折回的TVS結構

使PNP晶體管的集電極-基極在特定電壓下擊穿，便可實現自觸發，并可通過TVS 結構精確控制。在瞬態事件中，TVS開始導通，電流流入NPN晶體管的基極。隨后電流被驅動到PNP晶體管的基極，依此類推，直到兩個晶體管都被驅動到飽和狀態。這樣兩個端子之間的電壓會突然折回或降至低電平。一旦瞬變消退，只要移除受保護線路上的電壓，器件就會返回到高阻抗狀態。這種保護解決方案的一個缺點是在某些應用中可能發生“閂鎖”。瞬態電壓事件觸發TVS時會發生閂鎖，并在瞬態消散后保持導通。雖然深折回器件提供了一些可行的最低鉗位電壓解決方案，但出于閂鎖考慮，可能需要使用非折回或淺折回器件。圖5 是典型的淺折回TVS 電路。

圖5 淺折回的結構

這里，TVS與具有浮動基極的晶體管的集電極-發射極并聯。基極被設計為一旦TVS開始導通，晶體管集電極-發射極兩端的電壓將迫使基極“穿通”。結果是輕微或“淺”折回特性。圖6 為TVS IV 特性曲線的對比。

圖6 TVS IV 特性

降低電容

TVS 必須提供針對瞬態事件的保護，而又不影響電路的正常工作。這很有挑戰性，因為參數通常相互沖突。例如，高速電路上使用的TVS 必須具有低電容以避免信號衰減。但器件吸收能量的能力與結面積有關。結面積越大，吸收的能量越多。不過結面積越大，器件電容也會增加，這是不利的一面。降低有效電容的常用方法是將低電容轉向二極管電路與TVS 結合使用(圖7)。

圖7 低電容 TVS

TVS 的電容實際上被“隱藏”在電路中。補償電路的設計要求二極管具有足夠大的面積，在正向偏壓條件下傳導瞬態電流，并且反向擊穿電壓應大于TVS 的擊穿電壓。符合這些要求的TVS 通常是單片器件。