東京—東芝公司(TOKYO:6502)今天宣布推出采用低高度SO6L封裝的軌對軌輸出柵極驅動光電耦合器,用于直接驅動中低等功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)及功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(power MOSFET)。量產出貨即日啟動。
新款光電耦合器包括用于驅動小功率IGBT的“TLP5751”和用于驅動中等功率IGBT的“TLP5752”及“TLP5754”,它們均采用低高度SO6L封裝。與采用DIP8封裝的東芝產品相比,新產品的高度僅為前者的54%,安裝面積僅為前者的43%,有助于開發更纖薄小巧的裝置。盡管高度較低,但新產品依然保證了8mm的爬電距離和5kV的絕緣電壓,適用于對絕緣規格要求較高的應用。
電氣特性方面,新款光電耦合器擁有軌對軌輸出,在滿擺幅輸出狀態下可通過擴大操作電壓范圍來實現更高的效率。新產品提供1A、2.5A和4A三種輸出電流,以滿足廣泛的用戶需求。新產品還內置東芝獨創的高功率紅外LED,適用于多種應用,包括需要高度熱穩定性的應用,例如工廠自動化、家用光電電力系統、數字化家用電器和不間斷電源(UPS)。
新產品主要規格