為小功率 IGBT 和 MOSFET 提供直接驅動，而且最高工作溫度可達到125℃。

?

　　近幾年，隨著工業用品和消費品中印刷電路板的組裝密度的增加，出現將機載半導體元件加熱到高溫的趨勢。對于這種半導體元件而言，意味著對于在工作溫度範圍內保證性能和高環境溫度下可靠性要求的提高。為應對這種要求，東芝開發出兩種光電耦合器，TLP351H 和 TLP701H。除能夠直接驅動類似的小功率 IGBT 和 MOSFET 外，這些新開發的光電耦合器保證它們當前產品 TLP351 和 TLP701 的最大工作溫度為從 100℃ 至 125℃。

　　TLP351H (DIP8封裝)

　　封裝在 DIP8 封裝中的 TLP351H 光電耦合器可直接驅動小功率 IGBT 和 MOSFET 的柵極。由于採用新開發的 LED，TLP351H 保證工作溫度範圍為 -40℃ 至 125℃。與其當前產品 TLP351 類似，TLP351H 使用 BiCMOS 工藝製造，因此需要不超過 2 mA 的電源電流，并具有在該行業中功率消耗最低的特點(注 1)。TLP351H 適用于始終在高溫條件下運行的家用器具和工業用途。

　　TLP701H (SDIP6 封裝)

　　封裝在 SDIP6 封裝中的 TLP701H 光電耦合器可直接驅動小功率 IGBT 和 MOSFET 的柵極。TLP701H 佔用 DIP8 封裝大約一半的封裝尺寸，并符合國際安全標準的強制絕緣要求(待 VDE 認證)。由于採用與 TLP351H 相同的 LED，TLP701H 同樣保證工作溫度範圍為 -40℃ 至 125℃。

　　注 1：根據東芝公司于 2010 年 5 月執行的 IGBT/功率-MOSFET 門驅動器光電耦合器調查。

　　管腳配置

?

　　封裝尺寸

?

　　注 2：長爬電距離和表面安裝選項可用于引線成形。關于細節，參見其相應的技術資料表。

　　注 3：長爬電距離選項可用于引線成形。關于細節，參見其相應的技術資料表。

　　與現有產品的比較