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反激DCM模式RCD參數計算

2009年11月21日 11:03 www.nxhydt.com 作者:佚名 用戶評論(0
反激DCM模式RCD參數計算

這里首先提供幾篇應用手記上的計算方法,然后對其進行改進對比,然后在仿真中對比實際結果。

首先我們將關心的因素縮小,把主要考慮的元素分為Mos管的等效輸出電容Coss,變壓器勵磁電感Lm,變壓器的初級漏感Lkp作為考慮對象。
點擊看大圖
如圖所示,如果不加RCD鉗位,電路在DCM模式下,電路可能發生兩次振蕩,第一次主要是初級漏感Lkp和Coss的電容引起的,第二次主要是在電路能量耗盡后,勵磁電感和Coss電容振蕩引起的這里需要補充一下,在仿真的時候,已經觀察到了這個明顯的現象了。
下面開始我們的計算:

計算過程,把Flyback的計算過程帶入其中:

找了好些文檔都是這么計算的,不過我發現幾個問題
1.消耗的能量不僅僅是漏感的,也包括勵磁電感的能量
2.在鉗位過程中,電壓是變化的,并不存在徹底鉗位在V.c_mx的情況發生
因此我們需要修改模型

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