(1) 產品內部結構的變化直接影響到EMC 性能。如：PCB 或DCB 的排版設計，通常需要通過幾次調整，如改變輸入輸出之間的走線位置、元件的擺放位置等，才能達到最佳狀態;
(2) 所有測試的光耦中，VISHAY 光耦的性能比較突出，其多數光耦的Burst 測試可以達到4kV。其它廠家的光耦較少能達到4kV(關于這一點，主要取決于光耦內部的結構);
(3) 壓敏電阻RV 對Burst 性能影響不明顯，而對Surge 性能影響極大;因此在有較大浪涌電壓沖擊的場合，應加上R V 。R V 的大小要視可控硅的阻斷電壓高低來決定;
(4) 從試驗數據可以看出，在耐電脈沖群沖擊方面，光耦對繼電器的影響較大(見結論的第2 點)，不同的光耦其耐沖擊性能不一樣;而在耐Surge 時，可控硅對繼電器的影響最大(較差的可控硅如dv/dt 太低等，將被擊穿);
(5) 對于不同的組合，將有不同的EMC 能力。如果用EMC 較好的光耦配較差的可控硅，將造成較差的E M C抗擾能力。反之可得出同樣結果;
(6) 不帶RC 時，絕大多數的光耦的抵抗群脈沖的能力都低于500V;基本上無法達到CE 的標準。為此，設計人員必須改變電路結構和元件參數，方可滿足客戶的要求和C E 標準。實際應用證明，電容C 的介質損耗角和其溫度特性對吸收電路影響較大。電阻R 除它的功率和熱穩定參數外，它的阻值對E M C 的性能影響也較大。通常C選用10 — 22nf，而R 通常用10 — 100 歐姆;
(7)光耦阻斷電壓的高低與它的抵抗群脈沖的能力的強弱沒有必然的聯系。但可控硅阻斷電壓的高低與抵抗浪涌電壓的能力的強弱有較大關系。
6 存在的問題
由于光耦耐脈沖沖擊的電性能不一，S S R 繼電器接入電機正反轉線路，以及干擾電壓的存在( 可用示波器觀看) ，S S R 會誤導通，以至燒毀。過零的繼電器也同樣如此。理論上干擾電壓是反電勢和負載電壓之和的根號2 倍，但實際上干擾電壓可達到負載電壓的3-5 倍，有時達到10 倍。原因是電路的分布參數產生了LC 并聯諧振。雖然諧振電壓的能量較小，高峰時持續的時間只有微秒級，但會使SSR 誤導通，即光耦失效。因此，尚待進一步探討。