石英晶體諧振器

?一、術語解釋

1、 標稱頻率：晶體技術條件中規定的頻率，通常標識在產品外殼上。

2、 工作頻率：晶體與工作電路共同產生的頻率。

3、 調整頻差：在規定條件下，基準溫度（25±2℃）時工作頻率相對于標稱頻率所允許的偏差。 4、 溫度頻差：在規定條件下，在工作溫度范圍內相對于基準溫度（25±2℃）時工作頻率的允許偏差。

5、 老化率：在規定條件下，晶體工作頻率隨時間而允許的相對變化。以年為時間單位衡量時稱為年老化率。

?6、 靜電容：等效電路中與串聯臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。?

?7、 負載電容：與晶體一起決定負載諧振頻率fL的有效外界電容，通常用CL表示。負載電容系列是：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。只要可能就應選推薦值：10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。

8、 負載諧振頻率（fL）：在規定條件下，晶體與一負載電容相串聯或相并聯，其組合阻抗呈現為

電阻性時的兩個頻率中的一個頻率。在串聯負載電容時，負載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯負載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。

?9、 動態電阻：串聯諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。

10、 負載諧振電阻：在負載諧振頻率時呈現的等效電阻。用RL表示。　RL＝R1（1+C0/CL）2 11、 激勵電平：晶體工作時所消耗功率的表征值。激勵電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等

12、 基頻：在振動模式最低階次的振動頻率。

13、 泛音：晶體振動的機械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數倍但不是整數倍，這是它與電氣諧波的主要區別。泛音振動有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。

?二、應用指南 石英晶體諧振器根據其外型結構不同可分為HC-49U、HC-49U/S、HC-49U/S·SMD、UM-1、UM-5及柱狀晶體等。
　　HC-49U適用于具有寬闊空間的電子產品如通信設備、電視機、電話機、電子玩具中。
　　HC-49U/S適用于空間高度受到限制的各類薄型、小型電子設備及產品中。
　　HC-49U/S·SMD為準表面貼裝型產品，適用于各類超薄型、小型電腦及電子設備中。
　　柱狀石英晶體諧振器適用于空間狹小的穩頻計時電子產品如計時器、電子鐘、計算器等。
　　UM系列產品主要應用于移動通訊產品中，如BP機、移動手機等。
　　石英晶體諧振器主要用于頻率控制和頻率選擇電路。本指南有助于確保不出現性能不滿意、成本不合適及可用性不良等現象。

?1、 振動模式與頻率關系：
　　　　　　　　　　　　　　　　　基頻 　 1～35MHz
　　　　　　　　　　　　　　　　　3次泛音 10～75MHz
　　　　　　　　　　　　　　　　　5次泛音 50～150MHz
　　　　　　　　　　　　　　　　　7次泛音 100～200MHz
　　　　　　　　　　　　　　　　　9次泛音 150～250MHz

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2、 晶體電阻：對于同一頻率，當工作在高次泛音振動時其電阻值將比工作在低次振動時大。 "信號源+電平表"功能由網絡分析儀完成
　　Ri、R0：儀器內阻：一般為50Ω
　　R1--濾波器輸入端外接阻抗，阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。
　　R2--濾波器輸出端外接阻抗，阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。

　 3、 工作溫度范圍與溫度頻差：在提出溫度頻差時，應考慮設備工作引起的溫升容限。當對溫度頻差要求很高，同時空間和功率都允許的情況下，應考慮恒溫工作，恒溫晶體振蕩器就是為此而設計的。

4、 負載電容與頻率牽引：在許多應用中，都有用一負載電抗元件來牽引晶體頻率的要求，這在鎖相環回路及調頻應用中非常必要，大多數情況下，這個負載電抗呈容性，當該電容值為CL時，則相對負載諧振頻率偏移量為：DL=C1/[2（C0+CL）]。而以CL作為可調元件由DL1調至DL2時，相對頻率牽引為：DL1，L2= C1（CL1－CL2）/[2（C0+CL1）（C0+CL2）]。

?5、 負載電容的選擇：晶體工作在基頻時，其負載電容的標準值為20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶體經常工作在串聯諧振，在使用負載電容的地方，其負載電容值應從下列標準值中選擇：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。

6、 激勵電平的影響：一般來講，AT切晶體激勵電平的增大，其頻率變化是正的。激勵電平過高會引起非線性效應，導致可能出現寄生振蕩；嚴重熱頻漂；過應力頻漂及電阻突變。當激勵電平過低時則會造成起振阻力不易克服、工作不良及指標的不穩定。

7、 濾波電路中的應用：應用于濾波電路中時，除通常的規定外，更應注意其等效電路元件的數值和誤差以及寄生響應的位置和幅度，由于濾波晶體設計的特殊性，所以用戶選購時應特別說明。