可控硅元件

一、概述
一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件，創(chuàng)制于1957年，由于它特性類似于真空閘流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T。又由于晶閘管最初應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR。
在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件（谷稱“死硅”）更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。
可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設(shè)備，如果超過此頻率，因元件開關(guān)損髦顯著增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標稱電流應(yīng)降級使用。
可控硅的優(yōu)點很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍；反應(yīng)極快，在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷；無觸點運行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。
可控硅的弱點：靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通。
可控硅從外形上分類主要有：螺栓形、平板形和平底形。
二、可控硅元件的結(jié)構(gòu)和型號
1、結(jié)構(gòu)

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不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。見圖1。它有三個PN結(jié)（J1、J2、J3），從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級K，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件

圖1、可控硅結(jié)構(gòu)示意圖和符號圖
2、型號
目前國產(chǎn)可控硅的型號有部頒新、舊標準兩種，新型號將逐步取代舊型號。

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