一、二極管特性
常用的硅鍺二極管在不同正向電流下的正向電壓值見表1。鍺二極管比硅二極管正向導通電壓低（典型為100mV比600mV），但反向漏電流大大超過硅二極管（當加50V反向電壓時為1uA比10nA），但導通的硅二極管的正向電阻大大低于鍺二極管。因此，鍺二極管主要用于信號檢波，硅二極管則用于整流等目的。
硅和鍺二極管的典型正、反向特性比較見圖1。各種二極管、橋式整流器外形見圖2，圖中尺寸單位為mm。
?
二、二極管命名
歐洲型半導體二極管用字母和數字來進行分類和命名，用兩個字母和三個數字命名的是普通用途二極管，用三個字母和兩個數字命名的是特殊用途二極管，前兩個字母表示的意義如下：第一個字母表示半導體材料，A-鍺;B-硅;C-砷化鎵等;D-光敏材料等。
第二個字母表示用途，A-普通用途二極管;B-調諧（變容）二極管;E-隧道二極管;P-光電二極管;Q-發光二極管;T-可控整流管;X-變容二極管;Y-功率整流管;Z-穩壓二極管。
專用二極管的第三個字母通常沒有什么特殊意義，穩壓二極管在數字后有一附加字母，用來表示穩壓值公差，用以下字母表示：A-±1%;B-2%;C-±5%;D-±10%，穩壓二極管有表示所穩電壓值的數字，例如9V1表示9.1V。
例1.識別以下二極管：
l、AA113-普通用途鍺二極管;
2、BB105-調諧用硅二極管（亦稱變容二極管）;
3，BZY88C4V7-公差為5%穩壓值為4.7V的硅穩壓二極管。
三、二極管數據
表2概括了各種歐式二極管的用途及封裝外形等特性;表3列出了普通用途、信號和射頻二極管特性;表4列出硅整流和功率二極管特性;表5列出橋式整流器特性。
表5中所列多數橋式整流器具有200V、400V和600V品種。
?
四，穩壓二極管
穩壓二極管是一種特殊設計的硅二極管，具有一致的反向擊穿特性。E12和E24系列穩壓二極管可用于各種電路（根據其特性、封裝和額定功率），穩壓范圍從2.4V到91V，一只5.1 V穩壓管的典型特性見圖3。
?
常用系列穩壓管如下：
BZY88系列
500mW小型玻璃封裝穩壓二極管（25℃），穩壓范圍從2.7V到15V（5mA反向電流，25℃）。
BZX55系列
500mW低功率穩壓二極管，穩壓范圍從2.4V到91V。
BZX61系列
1.3W密封合金結（25℃環境），穩壓范圍從7.5V到72V。
BZX85系列
1.3W中功率玻璃封裝穩壓二極管，穩壓范圍從5.1V到62V。
BZY93系列
20w大功率穩壓二極管，螺栓安裝封裝，環境溫度可達75℃，穩壓范圍從9.1V到75V。
BZY97系列
1.5W中功率穩壓二極管，穩壓范圍從9.1V到37V。
1N5333系列5W塑封穩壓二極管，穩壓范圍從3.3V到24V。
穩壓二極管通常與普通硅二極管一樣，采用塑料或玻璃封裝，符號與外形見圖3左上，穩壓二極管的斜率電阻等于反向電壓與二極管電流之比，斜率電阻在擊穿區測量，用歐姆表示，理想的穩壓二極管應具有零斜率電阻（即二極管在其穩壓值上應完全導通），實際上僅達到小于或等于20Ω數量。
穩壓電壓溫度系數等于穩壓電壓的變化比上溫度的變化，用mV/℃表示。作電壓基準用時，要求穩壓值應不隨溫度改變而變動，表6為多數小功率穩壓二極管（BZX55系列）典型數據。
?
例2.穩壓二極管常用作電壓基準，說明如下：
穩定電壓（在20℃）：9.1V
溫度系數：+4mV/℃
如果設計的電路工作在-10℃到+40℃范圍，即以工作范圍的極限基準電壓來確定基準電壓值和變化百分比。溫度系數為正，穩壓值將隨溫度升高而增加，40℃時，穩壓值由下式算出：
Vz=9.1V+［（40-20）×V 4mV］=9.1+80mV=9.18V
在-10℃時，穩壓值由下式算出：
Vz=9.1V-V［20-（-10）］×4mV=9.1 V-120mV=8.98V
五、可控硅
可控硅三端器件其符號、封裝和端腳接法見圖4，它常用作開關或交流功率控制，各種常用可控硅數據見表7。
?
六、雙向可控硅
雙向可控硅是在可控硅基礎上發展起來的。當觸發后，在所加電壓的正、負兩半周都導通，它由加于控制極上的正和負電壓觸發導通。在用于交流功率控制時，它與僅能作半波控制的可控硅相比，不僅能作全波控制，且性能優良。
雙向可控硅常采用觸發二極管（相當于雙向穩壓二極管），當所加電壓超過約±32V時，觸發二極管即導通，這時其電阻降至極低值，于是產生較大電流，其典型特性見圖5。
?
雙向可控硅符號、封裝外形和端腳接法見圖6，常用雙向可控硅數據見表8。
?
注意事項：
可控硅和雙向可控硅開關通斷非常迅速，當用作交流功率控制時，快速開關引起的瞬態變化可能經交流饋電線傳播一定距離。為防止噪聲輻射，把這種影響減至最小，應在靠近功率控制器件處裝入適當的L—C濾波器（見圖7）。
?