測量半導體發光二極管在規定的工作電流下的平均LED強度的空間分布和半最大強度角及偏差角。半強度角 θ1/2是發光(或輻射)強度大于等于最大強度一半構成的角度(見圖8)，在平均LED強度分布圖形中，最大強度方向(光軸)與機械軸Z之間的夾角即為偏差角Δθ (見圖8)。
6.2.2.1 測試框圖(見圖8)
圖8 方法2002測試框圖
?
D：被測LED器件;
G：電流源;
PD：包括面積為A的光闌D1的光度探測器;
D2,D3：消除雜散光光欄, D2,D3不應限制探測立體角;
d：被測LED器件與光闌D1之間的距離;
θ：Z軸和探測器軸之間的夾角。
注1：距離d應該設置為CIE標準條件A或B;
注2：對于脈沖測量，電流源應該提供所要求的幅度、寬度和重復率的電流脈沖，探測器上升時間相
對于脈沖寬度應該足夠小，系統應該是一個峰值測量儀器;
注3：被測LED定位在一種裝置上(如：旋轉中心位于系統光軸上的角度盤上，度盤應該有足夠的角
度刻度精度)，要求：
--被測LED器件位置可精確再現;
--變化角度θ、器件D光學窗口的中心能保持固定;
--能測量夾角θ;
--能繞被測器件Z軸旋轉;
--能測量關于X軸的旋轉角。
6.2.2.2 測量步驟
a) 給被測器件加上規定的工作電流。調正被測器件D的機械軸與光探測器軸重合，即θ=0，測量光探測器的信號，把這個值設置為 I0=100%;
b) 從0-±90°旋轉度盤，光電測量系統測量各個角度時的發光強度值，得到相對強度I /I0 與θ之間的關系，優先采用極坐標圖來表示，其它形式，如直角坐標圖，在空白詳細規范中定義后可以使用。在該圖上分別讀取半最大強度點對應的角度θ1 θ2 ，半強度角Δθ=|θ2 -θ1 |。偏差角就是Imax 和I0 方向之間的夾角。
6.2.2.3 規定條件
環境和管基溫度;
規定正向電流IF 或者輻射功率Φe;
機械參照平面。
6.2.3 方法2003:光通量和發光效率
6.2.3.1 目的
測量被測LED器件在規定條件下的光通量和發光效率。
6.2.3.2 測試框圖(見圖9)
圖9 方法2003測試框圖
?
圖9 方法2003測試框圖
注1：被測LED器件發射的光輻射經積分球壁的多次反射，導致產生一個均勻的與光通量成比例的面出光度，一個位于球壁的探測器測量這個面出光度，一個漫射屏擋住光線，不使探測器直接照射到被測器件的光輻射;
注2：被測器件、漫射屏、開孔的面積和球面積比較應該相對較小，球內壁和漫射屏表面應有均勻的高反射率漫反射鍍層(最小0.8)。球和探測器組合應該校準，應該考慮到峰值發射波長和光通量由于功率消耗產生的變化。
注3：也可以用變角光度計測量。
6.2.3.3 測量步驟
被測量器件放在積分球入口處，不要使光線直接到達探測器。給被測器件施加規定的正向電流IF ，光度探測系統測量出光通量。將光通量數值除以正向電流IF 和正向電壓VF 的乘積值即為發光效率。
6.2.3.4 規定條件
環境和管基溫度;
正向電流。
6.2.4 方法2004：輻射通量和輻射效率
6.2.4.1 目的
測量被測LED器件在規定條件下的輻射通量(功率)和輻射效率。
6.2.4.2 測試框圖(見圖10)
圖10 方法2002測試框圖
?
圖10 方法2002測試框圖
注：被測LED器件發射的光輻射經積分球壁的多次反射，導致產生一個均勻的與輻射通量成比例的面輻射出射度，一個位于球壁的探測器測量這個面輻射出射度，一個漫射屏擋住光線，不使探測器直接照射到被測器件的光輻射。被測器件、漫射屏、開孔的面積和球面積比較應該相對較小，球內壁和漫射屏表面應有均勻的高反射率漫反射鍍層(最小0.8)。球和探測器組合應該用輻射標準進行校準,測量單位為瓦特。應該考慮到峰值發射波長和輻射通量由于功率消耗產生的變化。
6.2.4.3 測量步驟
被測量器件放在積分球入口處，不要使光線直接到達探測器，給被測器件施加規定的正向電流IF，輻射探測系統測量出輻射通量，將輻射通量數值除以正向電流IF 和正向電壓VF 的乘積值即為輻射效率。