硅上GaN LED不必受應力的影響，一定量的應力阻礙了輸出功率。英國一個研究小組通過原位工具監測溫度和晶片曲率，制備出低位錯密度的扁平型150mm外延片，并將這些芯片安裝到器件中，使得內量子效率接近40%。

　　硅襯底在典型生長溫度下可保持穩定性，成本低;它的直徑可上升至300mm,且硅表面適合外延生長，結合以上特點，硅襯底被選作生長氮化物的平臺。硅上氮化物外延片也能用到硅工業中標準的生產設備，使得芯片的生產更具成本效率，芯片能接受綁定，并轉變為封裝型LED。

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　　一個由英國政府資助、領軍企業和研究機構牽頭的項目，用MOCVD設備在150mm的硅(111)襯底上開發出硅上GaN LED，包括RFMD英國團隊、劍橋大學、Aixtron UK、QinetiQ和Forge Europa。

　　如今LED生產使用的襯底材料一般是藍寶石和SiC，比起它們硅有著重要的優勢，但也有一個致命的弱點，那就是硅與GaN的晶格和熱膨脹系數極度失配。在典型的生長溫度1000℃時，若GaN直接被沉積到硅襯底上，自此刻起在生長薄膜中產生了拉應力，而且隨著晶片降至室溫，兩種材料之間不同的膨脹系數導致了拉應力的增大。除非得到正確的控制，這種應力甚至會致使GaN薄膜的破裂。往往產生了晶片翹曲，這會讓面向硅加工設計的自動化設備束手無策。作為比較，當氮化物生長在SiC襯底上，彼此的熱膨脹和晶格系數相當;然而在藍寶石上生長時它們會引起GaN薄膜的緊縮，但這不會產生裂縫。

　　GaN與硅之間的晶格嚴重失配，致使外延片中的位錯密度相對高一些。雖然氮化物LED對高度位錯表現出難以置信的適應性，藍光LED的位錯密度還是跌破109cm-2，IQE值也會隨之下降。

　　在初期生長階段，硅與反應腔中的載氣發生反應，在晶體表面產生瑕疵，其表面形貌已不適合隨后的GaN生長，這是硅的另一弱點。

　　劍橋大學開發的藍光LED生產工藝可解決所有的這些問題。其中，利用Aixtron的CCS MOCVD設備制備外延結構，設備適合生長單個150mm晶片(或多個2英寸晶片)，并配有原位監測儀器用于測量晶片翹曲及溫度。在150mm的硅(111)襯底上，先沉積一層復雜的勢壘結構，以控制應力和晶片曲率;接著，生長一個帶InGaN量子阱和GaN勢壘層的多量子阱(MQW)LED結構，能發出460nm的光;最后才是一個摻鎂p型GaN(圖1a)。

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　　圖1.LED的結構包括一個降低位錯的SiNx層(a);Aixtron的Argus工具與LayTec提供的Epicurve監測器一起，可測量出晶片翹曲以及晶片溫度(b)。生長過程可分為四個步驟：預生長熱處理，AlN晶核層、勢壘層和n型GaN層，多量子阱區域和p型GaN層，以及退火/冷卻。

　　襯底在氫氣氛圍內退火之后，移除本征半導體層并形成一個梯田狀，并回流至硅表面。生長過程如下：先沉積一個AlN晶核層，確保硅表面不會分解;接著是一個復雜的勢壘結構。通過對勢壘層的成分和厚度進行仔細的控制以平衡應力;當生長溫度降至室溫時，熱膨脹失配在結構內產生了應力。

　　為了降低位錯密度、提高LED的性能，在勢壘層上又沉積GaN和AlGaN層。插入SiNX層是一項用于生長藍寶石上氮化物薄膜的技術，在很大程度上能降低線位錯密度。

　　原位工具持續地監測晶片的溫度和曲率是成功的關鍵，可再次生長出平整而無裂縫的材料。在劍橋大學，反應室內襯底的溫度通過Aixtron的Argus工具進行圖形表征，并利用LayTec的Epicurve提供實時的晶片曲率測量。

　　我們所使用的硅有輕微的凸起翹曲，一經加熱和在位式退火之后會變成凹型，這是因為，此時襯底底端的溫度比頂面要高(圖1b)。AlN晶核層的添加使得凹型翹曲更為嚴重，但隨著勢壘層以及摻硅GaN層的生長，表面又呈現凸起狀，壓應力隨之增加。量子阱的生長和勢壘層導致曲率發生了少許變化，我們能察覺到，之后往GaN層中摻雜鎂元素時，反應腔內的溫度會增加，晶片因而變得更加凸起。薄膜的拉應力產生于GaN與硅之間存在的熱膨脹系數差異，通過沉積勢壘層匹配物，優化其翹曲程度，這樣晶片在冷卻后還非常平整。

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　　圖2.Aixtron的Argus溫度分布圖顯示了整個150mm晶片的剖面溫度。通過調整反應腔加熱器的放射區，能將任何差異逐一最小化(a, b, c)

　　生長工藝的開發把150mm外延片的生產帶入更佳狀態，整個表面的高度變化低于50祄。這些晶片適合用RFMD的高產量生產設備來加工處理。

　　為確保晶片在冷卻時保持表面平整，必須在生長溫度時引入翹曲;由于襯底與基座之間有著距離差異，整塊晶片的溫度會有明顯的變動。溫度變化對InGaN LED生長不利，他們改變了量子阱中的銦組分以及發光波長。幸運的是我們能用Argus分布圖來監測這些溫度變化，并通過調整三個加熱區的輸出功率將這些變化降至最小。