我們講到增強型MOSFET的特點是，N溝道的建立是Ugs的貢獻，沒有Ugs>Ut，導電溝道就無法建立，D、S就不會有導通電流。這邊我們要說的是另一種MOSFET，稱為耗盡型MOSFET。

N溝道耗盡型MOSFET結構示意圖

以N溝道耗盡型MOSFET來說明，它在制造過程中，在二氧化硅的絕緣層中摻入了大量的正離子，形成了一個正電中心，產生了指向P型硅表面的垂直電場，這樣一來，在Ugs=0時，D、S之間已經有N溝道形成，若Ugs大于零，導電溝道加寬，當Ugs為負值，負到一定值，正電中心形成的垂直電場被抵消，導電溝道消失。那么，此時的Ugs被稱為夾斷電壓Up。耗盡型MOSFET的特性曲線類似于增強型MOSFET， 只是出現了負偏置 ，如下圖所示。

當Uds固定，Id=0的位置，Ugs為負值，即夾斷電壓。

對于P溝道的MOSFET，偏置電壓的極性要求正好與N溝道MOSFET相反，不再贅述。下面來說下MOSFET的主要參數和等效數學模型。

MOSFET主要參數

MOSFET的等效數學模型

對于上圖的MOSFET完整等效電路示意圖，可以看出是兩個壓控電流源組成的簡單線性電路網絡，在中、低頻回路中，各極間電容可以忽略不計，在高頻電路中極間電容需要全部考慮計算。

MOSFET在實際應用中的注意事項

1 MOSFET在使用過程中除了選擇正確的參數和正確的計算外，最值得強調的是防靜電操作問題。由于MOSFET的柵源之間距離很短，且絕緣，又少量的電荷就足以使絕緣柵極擊穿，導致MOSFET器件失效，因此MOS管會被戲稱為“摸死”管，就是為了強調它的靜電敏感性極高。在電路安裝、焊接、調試過程中尤其需要注意，避免板子出現不可預知的問題，影響開發進度。
2 對于大功率MOS管，需要和大功率BJT一樣考慮散熱問題
3 對于高頻使用場景，由于MOS管G、S之間阻抗很高，對電場的變化非常敏感，所以在使用高頻MOS管作為高頻前端放大器時，需要設計良好的電場屏蔽結構。

審核編輯：劉清