1、引言

　　在功率變換裝置中，根據(jù)主電路的結(jié)構(gòu)，其功率開關(guān)器件一般采用直接驅(qū)動和隔離驅(qū)動兩種方式。采用隔離驅(qū)動方式時需要將多路驅(qū)動電路、控制電路、主電路互相隔離，以免引起災(zāi)難性的后果。隔離驅(qū)動可分為電磁隔離和光電隔離兩種方式。

　　光電隔離具有體積小，結(jié)構(gòu)簡單等優(yōu)點，但存在共模抑制能力差，傳輸速度慢的缺點。快速光耦的速度也僅幾十kHz。

　　電磁隔離用脈沖變壓器作為隔離元件，具有響應(yīng)速度快（脈沖的前沿和后沿），原副邊的絕緣強度高，dv/dt共模干擾抑制能力強。但信號的最大傳輸寬度受磁飽和特性的限制，因而信號的頂部不易傳輸。而且最大占空比被限制在50％。而且信號的最小寬度又受磁化電流所限。脈沖變壓器體積大，笨重，加工復(fù)雜。凡是隔離驅(qū)動方式，每路驅(qū)動都要一組輔助電源，若是三相橋式變換器，則需要六組，而且還要互相懸浮，增加了電路的復(fù)雜性。隨著驅(qū)動技術(shù)的不斷成熟，已有多種集成厚膜驅(qū)動器推出。如EXB840/841、EXB850/851、M57959L/AL、M57962L/AL、HR065等等，它們均采用的是光耦隔離，仍受上述缺點的限制。美國IR公司生產(chǎn)的IR2110驅(qū)動器。它兼有光耦隔離（體積小）和電磁隔離（速度快）的優(yōu)點，是中小功率變換裝置中驅(qū)動器件的首選品種。

　　2、IR2110內(nèi)部結(jié)構(gòu)和特點

　　IR2110采用HVIC和閂鎖抗干擾CMOS制造工藝，DIP14腳封裝。具有獨立的低端和高端輸入通道；懸浮電源采用自舉電路，其高端工作電壓可達500V，dv/dt=±50V/ns，15V下靜態(tài)功耗僅116mW；輸出的電源端（腳3，即功率器件的柵極驅(qū)動電壓）電壓范圍10～20V；邏輯電源電壓范圍（腳9）5～15V，可方便地與TTL，CMOS電平相匹配，而且邏輯電源地和功率地之間允許有±5V的偏移量；工作頻率高，可達500kHz；開通、關(guān)斷延遲小，分別為120ns和94ns；圖騰柱輸出峰值電流為2A。

　　IR2110的內(nèi)部功能框圖如圖1所示。由三個部分組成：邏輯輸入，電平平移及輸出保護。如上所述IR2110的特點，可以為裝置的設(shè)計帶來許多方便。尤其是高端懸浮自舉電源的成功設(shè)計，可以大大減少驅(qū)動電源的數(shù)目，三相橋式變換器，僅用一組電源即可。

　　3、高壓側(cè)懸浮驅(qū)動的自舉原理

　　IR2110用于驅(qū)動半橋的電路如圖2所示。圖中C1、VD1分別為自舉電容和二極管，C2為VCC的濾波電容。假定在S1關(guān)斷期間C1已充到足夠的電壓（VC1≈VCC）。當HIN為高電平時VM1開通，VM2關(guān)斷，VC1加到S1的門極和發(fā)射極之間，C1通過VM1，Rg1和S1門極柵極電容Cgc1放電，Cgc1被充電。此時VC1可等效為一個電壓源。當HIN為低電平時，VM2開通，VM1斷開，S1柵電荷經(jīng)Rg1、VM2迅速釋放，S1關(guān)斷。經(jīng)短暫的死區(qū)時間（td）之后，LIN為高電平，S2開通，VCC經(jīng)VD1，S2給C1充電，迅速為C1補充能量。如此循環(huán)反復(fù)。

　　4、自舉元器件的分析與設(shè)計

　　如圖2所示自舉二極管（VD1）和電容（C1）是IR2110在PWM應(yīng)用時需要嚴格挑選和設(shè)計的元器件，應(yīng)根據(jù)一定的規(guī)則進行計算分析。在電路實驗時進行一些調(diào)整，使電路工作在最佳狀態(tài)。

　　4.1自舉電容的設(shè)計

　　IGBT和PM（POWERMOSFET）具有相似的門極特性。開通時，需要在極短的時間內(nèi)向門極提供足夠的柵電荷。假定在器件開通后，自舉電容兩端電壓比器件充分導(dǎo)通所需要的電壓（10V，高壓側(cè)鎖定電壓為8.7/8.3V）要高；再假定在自舉電容充電路徑上有1.5V的壓降（包括VD1的正向壓降）；最后假定有1/2的柵電壓（柵極門檻電壓VTH通常3～5V）因泄漏電流引起電壓降。綜合上述條件，此時對應(yīng)的自舉電容可用下式表示：C1=（1）

　　工程應(yīng)用則取C1》2Qg/（VCC－10－1.5）。

　　例如FUJI50A/600VIGBT充分導(dǎo)通時所需要的柵電荷Qg=250nC（可由特性曲線查得），VCC=15V，那么C1=2×250×10－9/（15－10－1.5）=1.4×10－7F

　　可取C1=0.22μF或更大一點的，且耐壓大于35V的鉭電容。

　　4.2、懸浮驅(qū)動的最寬導(dǎo)通時間ton（max）當最長的導(dǎo)通時間結(jié)束時，功率器件的門極電壓Vge仍必須足夠高，即必須滿足式（1）的約束關(guān)系。不論PM還是IGBT，因為絕緣門極輸入阻抗比較高，假設(shè)柵電容（Cge）充電后，在VCC=15V時有15μA的漏電流（IgQs）從C1中抽取。仍以4.1中設(shè)計的參數(shù)為例，Qg=250nC，ΔU=VCC－10－1.5=3.5V，Qavail=ΔU×C=3.5×0.22=0.77μC。則過剩電荷ΔQ=0.77－0.25=0.52μC，ΔUc=ΔQ/C=0.52/0.22=2.36V，可得Uc=10＋2.36=12.36V。由U=Uc及柵極輸入阻抗R===1MΩ可求出t（即ton（max）），由===1，可求出

　　ton（max）=106×0.22×10－6ln1.236=46.6ms4.3懸浮驅(qū)動的最窄導(dǎo)通時間ton（min）

　　在自舉電容的充電路徑上，分布電感影響了充電的速率。下管的最窄導(dǎo)通時間應(yīng)保證自舉電容能夠充足夠的電荷，以滿足Cge所需要的電荷量再加上功率器件穩(wěn)態(tài)導(dǎo)通時漏電流所失去的電荷量。因此從最窄導(dǎo)通時間ton（min）考慮，自舉電容應(yīng)足夠小。

　　綜上所述，在選擇自舉電容大小時應(yīng)綜合考慮，既不能太大影響窄脈沖的驅(qū)動性能，也不能太小而影響寬脈沖的驅(qū)動要求。從功率器件的工作頻率、開關(guān)速度、門極特性進行選擇，估算后經(jīng)調(diào)試而定。

　　4.3、自舉二極管的選擇

　　自舉二極管是一個重要的自舉器件，它應(yīng)能阻斷直流干線上的高壓，二極管承受的電流是柵極電荷與開關(guān)頻率之積。為了減少電荷損失，應(yīng)選擇反向漏電流小的快恢復(fù)二極管。