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集成高速串行接口的EMI濾波及ESD保護問題(2)

2011年08月19日 10:34 本站整理 作者:網絡 用戶評論(0
傳統共模濾波器在商業溫度范圍內(特別是在+85℃時)也會出現性能問題。溫度升高時,鐵芯飽和,阻抗增加,濾波性能發生變化。而在功率放大器工作及無線設備在蜂窩系統中通信時,智能手機內部溫度可能高達+85℃。

  基于鐵芯或陶瓷襯底的傳統共模濾波器的尺寸相對較大,目的單一(即共模濾波)。它們抑制EMI,但從節省空間或成本的角度而言,并不高效,而且不足以解決ESD保護問題,而ESD保護是使用最新基帶及應用處理器的智能手機的一項關鍵問題。這些器件的性價比、電路板空間/性能比并不具備吸引力。

  集成EMI抑制及ESD保護的途徑

  如果智能手機持續演進,傳統共模濾波器就會成為束縛,這些產品的復雜度及能夠支持的功能就會存在局限。但有利的是,業界開發出了創新的半導體技術,使手機制造商能夠提供豐富功能的智能手機。硅濾波器的出現,能夠幫助智能手機設計持續進步。安森美半導體率先意識到了從并行接口到串行接口的過渡,開發出了集成EMI抑制及ESD保護的串行接口硅方案產品線。安森美半導體運用為低通濾波器產品開發的構建銅鋁(copper over aluminum)電感工藝中獲得的專知,擴展了這種工藝,創建出嵌入在硅襯底中的共模濾波器線圈,能夠有效地抑制共模噪聲,同時對差分信令的影響甚微,使差分信號事實上順暢無陰地通過。

  將不同的單獨裸片共同封裝在一起,能夠為智能手機設計團隊提供一種總體方案,提供強固的噪聲抑制及ESD保護能力,適用于最流行的接口,如USB、MIPI、DSI、CSI及HDMI等。后續還會衍生出將這些共模濾波器結構構建在極低電容ESD保護結構上的新方案,進一步提升集成度及簡化制造流程。

  

圖4:硅共模濾波器制造流程

 

  圖4:硅共模濾波器制造流程

  安森美半導體身為應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商,為了應對智能手機等便攜設備高速串行接口的EMI抑制及ESD保護需求,推出了集成了ESD保護的EMI2121、EMI4182及EMI4183等新的硅共模濾波器,用于抑制噪聲及提供高信號完整性,除了適合智能手機,還可用于平板電腦、無線連接底座、數碼攝像機及機頂盒和DVD播放機等應用。這些新的共模濾波器不同于傳統的EMI濾波器,乃是基于硅片制造,更適合以更深度及更高頻率抑制EMI,非基于陶瓷或鐵氧體的方案可比。這些集成ESD保護及EMI抑制功能的新器件,比競爭方案節省空間多達50%,從而可以可觀的節省物料單(BOM),且為無線手機設計人員提供了整體(turnkey)解決方案。

  

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( 發表人:小蘭 )

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