為簡(jiǎn)化和加速復(fù)雜IC的開發(fā),Cadence 設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司 (NASDAQ:CDNS) 今天推出Tempus? 時(shí)序簽收解決方案。這是一款新的靜態(tài)時(shí)序分析與收斂工具,旨在幫助系統(tǒng)級(jí)芯片 (SoC) 開發(fā)者加速時(shí)序收斂,將芯片設(shè)計(jì)快速轉(zhuǎn)化為可制造的產(chǎn)品。
2013-05-21 15:37:372929 RAM是FPGA中常用的基礎(chǔ)模塊,可廣泛用于緩存數(shù)據(jù)的情況,同樣它也是ROM,F(xiàn)IFO的基礎(chǔ)。本實(shí)驗(yàn)將為大家介紹如何使用FPGA內(nèi)部的RAM以及程序?qū)υ?b class="flag-6" style="color: red">RAM的數(shù)據(jù)讀寫操作。
2021-01-22 09:43:114794 上篇推文對(duì)I2C總線的特性進(jìn)行了介紹和描述。對(duì)于開發(fā)者而言,最重要的是編碼I2C的讀寫時(shí)序驅(qū)動(dòng)。本篇推文主要總結(jié)和分享I2C總線主機(jī)端通信的編程實(shí)現(xiàn)思路,并不對(duì)應(yīng)特定MCU的硬件I2C外設(shè),此處需要加以區(qū)分。
2023-10-01 16:54:00328 WebAssembly (Wasm) 正在成為一個(gè)廣受歡迎的編譯目標(biāo),幫助開發(fā)者構(gòu)建可遷移平臺(tái)的應(yīng)用。最近 Greptime 和 WasmEdge 協(xié)作,支持了在 WasmEdge 平臺(tái)上的 Wasm 應(yīng)用通過 MySQL 協(xié)議讀寫 GreptimeDB 中的時(shí)序數(shù)據(jù)。
2023-12-22 11:03:26425 ram也叫主存,是與cpu直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。它可以隨時(shí)讀寫(刷新時(shí)除外)且速度很快,通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。ram工作時(shí)可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定的地址寫入
2020-12-16 06:29:16
ram也叫主存,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。它可以隨時(shí)讀寫(刷新時(shí)除外)且速度很快,通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。ram工作時(shí)可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定的地址寫入
2020-12-10 15:50:38
ram也叫主存,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。它可以隨時(shí)讀寫(刷新時(shí)除外)且速度很快,通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。ram工作時(shí)可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定的地址寫入
2020-12-31 06:18:55
最近在調(diào)試AD7616芯片,采用的方案是軟件并行模式,使用STM32F429+FMC轉(zhuǎn)換并讀取ad7616采樣數(shù)據(jù),目前在ad7616的讀寫時(shí)序配置上出現(xiàn)了一些問題,根據(jù)ad7616數(shù)據(jù)手冊(cè)上的相關(guān)
2023-12-07 08:23:04
DS1302數(shù)據(jù)讀寫時(shí)序圖
2012-08-05 21:34:50
DS2411的讀寫時(shí)序和DS18B20一致,畢竟同一個(gè)公司出的。下面是代碼源文件 ds2411.c#include "ds2411.h"#include "
2022-01-17 07:04:16
大佬們,求助一下。下面兩張圖是正常的讀寫時(shí)序和非正常讀寫時(shí)序。非正常讀寫時(shí)序中,發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)保持長(zhǎng)度比較短,而且AED在無效時(shí)應(yīng)該為高阻態(tài),有問題的那塊板子,在無效時(shí),AED為0
2019-12-24 15:42:02
文章目錄EEPROM介紹EEPROM 單字節(jié)讀寫操作時(shí)序EEPROM 寫數(shù)據(jù)流程EEPROM 讀數(shù)據(jù)流程EEPROM介紹在實(shí)際的應(yīng)用中,保存在單片機(jī) RAM 中的數(shù)據(jù),掉電后就丟失了,保存在單片機(jī)
2022-01-26 06:43:52
文章目錄EEPROM 多字節(jié)讀寫操作時(shí)序EEPROM 多字節(jié)讀寫操作時(shí)序我們讀取 EEPROM 的時(shí)候很簡(jiǎn)單,EEPROM 根據(jù)我們所送的時(shí)序,直接就把數(shù)據(jù)送出來了,但是寫 EEPROM 卻沒有
2021-11-24 07:01:10
I2C讀寫時(shí)序I2CI2C寫時(shí)序I2C讀時(shí)序I2CI2C 總線上的每一個(gè)設(shè)備都可以作為主設(shè)備或者從設(shè)備,而且每一個(gè)設(shè)備都會(huì)對(duì)應(yīng)一個(gè)唯一的地址(可以從 I2C 器件數(shù)據(jù)手冊(cè)得知),主從設(shè)備之間就是通過
2022-01-18 07:30:22
FPGA時(shí)序分析系統(tǒng)時(shí)序基礎(chǔ)理論對(duì)于系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程師來說,時(shí)序問題在設(shè)計(jì)中是至關(guān)重要的,尤其是隨著時(shí)鐘頻率的提高,留給數(shù)據(jù)傳輸?shù)挠行?b class="flag-6" style="color: red">讀寫窗口越來越小,要想在很短的時(shí)間限制里,讓數(shù)據(jù)信號(hào)從驅(qū)動(dòng)端完整
2012-08-11 17:55:55
IoT設(shè)備的增長(zhǎng)引發(fā)了對(duì)內(nèi)存技術(shù)的新興趣,IPUS 自成立以來,已向市場(chǎng)推出了具有SPI和/或QSPI(Quad SPI)存儲(chǔ)器總線接口的IoT RAM。致力于為物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)提供解決方案。IPUS
2020-07-10 16:11:28
看了芯片使用手冊(cè),沒有看到,對(duì)其讀寫時(shí)序很模糊,求高手指導(dǎo),謝謝
2012-07-10 22:10:27
?目錄0 引言1 SDIO接口1.1 SDIO接口有什么用?1.2 SDIO的功能框圖1.3 SDIO的命令與響應(yīng)1.4 SDIO數(shù)據(jù)塊讀寫時(shí)序1.5 SDIO常用寄存器1.6 SD卡初始化流程
2022-02-21 06:58:01
SLE4442卡的讀寫時(shí)序,也是下降沿讀,上升沿寫嗎???求大神解惑!!!
2013-12-12 17:04:09
STM32 Cubemax(十三) ——SPI時(shí)序讀寫RFID-RC522目錄STM32 Cubemax(十三) ——SPI時(shí)序讀寫RFID-RC522前言一、SPI時(shí)序通信二、模塊接線三
2022-02-08 06:13:14
用 NFC 技術(shù)可提高流程效率并優(yōu)化成本。為了滿足這些市場(chǎng)需求,意法半導(dǎo)體提供了 ST25 NFC讀寫器和標(biāo)簽,用于設(shè)計(jì)先進(jìn)的集成式讀寫器+標(biāo)簽NFC 解決方案。意法半導(dǎo)體將為這一強(qiáng)大而安全的集成方案提供專業(yè)支持。
2023-09-13 06:01:57
分析IS62WV51216BLL的讀寫時(shí)序圖和時(shí)間特性參數(shù),得到較合理的時(shí)間參數(shù),大大優(yōu)化了外部RAM的操作時(shí)間。下面先介紹下前面3個(gè)參數(shù):1.Address setup time: 從設(shè)置引腳地址開始到能夠讀取數(shù)據(jù)的時(shí)間段2.Data setup time: 設(shè)置完地址后,能夠讀取數(shù)據(jù)總線的時(shí)間段3.Bus
2021-12-03 06:43:54
本節(jié)的實(shí)驗(yàn)對(duì)象SRAM(Static RAM)是一種異步傳輸?shù)囊资Т鎯?chǔ)器,它讀寫傳輸較快,控制時(shí)序也不復(fù)雜,因此目前有著非常廣泛的應(yīng)用。你找來任何一顆SRAM芯片的datasheet,會(huì)發(fā)現(xiàn)它們的時(shí)序
2015-12-16 12:46:04
的讀寫時(shí)序。 2 模塊劃分本實(shí)例工程模塊層次如圖所示。●Pll_controller.v模塊產(chǎn)生FPGA內(nèi)部所需時(shí)鐘信號(hào)。●Ram_test.v模塊例化FPGA片內(nèi)RAM,并產(chǎn)生FPGA片內(nèi)RAM讀寫
2016-01-20 12:28:28
的在線邏輯分析儀chipscope,我們可以觀察FPGA片內(nèi)ROM、FIFO和RAM的讀寫時(shí)序,也可以只比較ROM預(yù)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)和RAM最后讀出的數(shù)據(jù),確認(rèn)整個(gè)讀寫緩存過程中,數(shù)據(jù)的一致性是否實(shí)現(xiàn)。 2
2016-03-16 12:43:36
邏輯分析儀chipscope,我們可以觀察FPGA片內(nèi)ROM、FIFO和RAM的讀寫時(shí)序,也可以只比較ROM預(yù)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)和RAM最后讀出的數(shù)據(jù),確認(rèn)整個(gè)讀寫緩存過程中,數(shù)據(jù)的一致性是否實(shí)現(xiàn)。 2 模塊
2019-01-10 09:46:06
問題是這樣的,單片機(jī)讀取外部ram時(shí)候,通過movx讀寫指定地址,單片機(jī)自動(dòng)配置wd rd P0 以及ale口。并且自動(dòng)產(chǎn)生讀寫時(shí)序。那么有沒有可能用單片機(jī)A來模擬一種時(shí)序,讓單片機(jī)B通過movx來讀取。所以想問問大家,這種做法有沒有可能實(shí)現(xiàn)
2017-03-23 23:40:55
求助:ddr2 ram,256M,64位位寬,突發(fā)長(zhǎng)度為4時(shí),讀寫地址如何提供。 1. 提供給控制器的數(shù)據(jù)是上升沿和下降沿的拼接,一個(gè)周期提供兩個(gè)數(shù)據(jù)到app_wdf_data,位寬為128位。那么
2013-09-29 21:48:53
spi讀寫時(shí)序里,圖中圓圈處MISO和MOSI為什么不一樣代表什么時(shí)序
2017-04-09 20:29:25
分立電池檢測(cè)解決方案
2021-02-26 08:38:00
單片機(jī)讀寫U盤開發(fā)方案 u***dll.com 非 51MCU+***/CH735 ,單芯片實(shí)現(xiàn)* 支持FAT32,F(xiàn)AT16* 是塊寫數(shù)據(jù),延長(zhǎng)U盤壽命*一般
2009-01-17 10:12:34
本帖最后由 runileking 于 2016-4-14 17:56 編輯
RAM1和RAM2是兩個(gè)一樣的IP核,兩個(gè)時(shí)序一樣,見圖,為什么RAM1可以正確讀寫,RAM2讀不出數(shù)據(jù)?
2016-04-14 17:13:24
鳥人我找不到TFT讀寫命令時(shí)序的說明, 目前只有在程序里看的求貼士。。。。
2020-08-06 06:09:37
本文一方面旨在找到正確解決方案并選擇最合適的電源管理產(chǎn)品,另一方面則是如何優(yōu)化實(shí)際解決方案以用于FPGA。找到合適的電源解決方案尋找為FPGA供電的最佳解決方案并不簡(jiǎn)單。許多供應(yīng)商以適合為FPGA
2019-05-05 08:00:00
基于Blackfin的解決方案 針對(duì)ADSP-BF706 BLACKFIN+處理器的EVWSS軟件架構(gòu)基于SigmaDSP的解決方案
2021-01-21 06:25:57
業(yè)內(nèi)首個(gè)signoff驅(qū)動(dòng)的PrimeECO解決方案發(fā)布
2020-11-23 14:28:15
簡(jiǎn)介 電源時(shí)序控制是微控制器、FPGA、DSP、ADC和其他需要多個(gè)電壓軌供電的器件所必需的一項(xiàng)功能。這些應(yīng)用通常需要在數(shù)字I/O軌上電前對(duì)內(nèi)核和模擬模塊上電,但有些設(shè)計(jì)可能需要采用其他序列
2018-09-30 16:01:35
在VIVADO里為我們已經(jīng)提供了RAM的IP核, 我們只需通過IP核例化一個(gè)RAM,根據(jù)RAM的讀寫時(shí)序來寫入和讀取RAM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。實(shí)驗(yàn)中會(huì)通過VIVADO集成的在線邏輯分析儀ila,我們可以觀察
2021-01-07 16:05:28
使用NVRAM的簡(jiǎn)單解決方案
2021-01-13 06:56:35
nRF24L01+ 2.4GHz無線收發(fā)器的主要特性有哪些?如何使用SPI?如何對(duì)SPI的操作時(shí)序進(jìn)行讀寫呢?
2021-12-20 06:32:33
早上好,來自西班牙的每個(gè)人,這里是一個(gè)棘手的問題,我需要填補(bǔ)(幾乎)8Mbit RAM(1Mx8)與傳入的ADC數(shù)據(jù),然后處理它。當(dāng)我正在讀DMA規(guī)范時(shí),似乎有64K的頁面限制,即當(dāng)較低的16比特從
2019-08-02 07:49:48
SPI協(xié)議是什么?如何去實(shí)現(xiàn)SPI時(shí)序協(xié)議的基本讀寫呢?
2021-12-20 06:43:04
STM32F103的FSMC硬件有哪些呢?怎樣以代碼形式去說明LCD的讀寫時(shí)序呢?
2021-10-29 06:26:30
畫中畫的效果。在調(diào)試DDR3的過程中,我有一些高速存儲(chǔ)器的使用心得,特分享給大家。首先我先介紹一下SDRAM存儲(chǔ)器的讀寫時(shí)序。SDRAM即同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)單元,主要用來存儲(chǔ)較大容量的數(shù)據(jù)。我們都知道,數(shù)據(jù)
2020-01-04 19:20:52
進(jìn)行監(jiān)控。當(dāng)所有電壓建立之后,時(shí)序控制器電路產(chǎn)生電源良好信號(hào)。模擬時(shí)序控制解決方案(如ADM1186-1)很容易使用。它們具備多電壓系統(tǒng)所需的全部功能。模擬時(shí)序控制器與數(shù)字時(shí)序控制器的不同之處在于,前者
2021-04-12 07:00:00
傳統(tǒng)電源方案有哪些弊端?取代傳統(tǒng)電源方案的LIPS解決方案
2021-06-08 07:18:50
就像每個(gè)MOSFET需要一個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器來切換它,每個(gè)電機(jī)后面總是有一個(gè)驅(qū)動(dòng)力。根據(jù)復(fù)雜程度和系統(tǒng)成本、尺寸和性能要求,驅(qū)動(dòng)電機(jī)的方式多樣。最簡(jiǎn)單和離散的解決方案是由兩個(gè)晶體管組成的圖騰柱/推挽電路
2019-03-08 06:45:03
正確收發(fā)數(shù)據(jù),從而使系統(tǒng)不能正常工作。隨著系統(tǒng)時(shí)鐘頻率的不斷提高和信號(hào)邊沿不斷變陡,系統(tǒng)對(duì)時(shí)序有更高的要求,一方面留給數(shù)據(jù)傳輸?shù)挠行?b class="flag-6" style="color: red">讀寫窗口越來越小,另一方面,傳輸延時(shí)要考慮的因素增多,要想在很短的時(shí)間限制里,讓數(shù)據(jù)信號(hào)從驅(qū)動(dòng)端完整地傳送到接收端,就必須進(jìn)行精確的時(shí)序計(jì)算和分析。
2012-08-02 22:26:06
51 系列單片機(jī)慢速讀寫的時(shí)序擴(kuò)展
2009-05-15 14:28:1618 SRAM的簡(jiǎn)單的讀寫操作教程
SRAM的讀寫時(shí)序比較簡(jiǎn)單,作為異步時(shí)序設(shè)備,SRAM對(duì)于時(shí)鐘同步的要求不高,可以在低速下運(yùn)行,下面就介紹SRAM的一次讀寫操作,在
2010-02-08 16:52:39140 摘要:本文介紹了在單片機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域中RAM讀寫存儲(chǔ)器中數(shù)據(jù)在掉電時(shí)的三種保護(hù)方法及相應(yīng)的設(shè)計(jì)電路和軟件設(shè)計(jì)方法,以便更可靠地保護(hù)RAM中的數(shù)據(jù)。關(guān)鍵詞:RAM 掉電保護(hù)
2010-05-31 09:47:4129 LSI 公司與Zarlink半導(dǎo)體日前宣布聯(lián)合推出一款解決方案,該解決方案預(yù)集成了 Zarlink 的時(shí)序分組 (TOP) 專業(yè)技術(shù)和 LSI Axxia通信處理器系列產(chǎn)品,可大幅加速產(chǎn)品上市進(jìn)程,并顯著簡(jiǎn)化網(wǎng)絡(luò) OEM 廠商的集成工作。
2011-03-15 09:12:322285 當(dāng)你的FPGA設(shè)計(jì)不能滿足時(shí)序要求時(shí),原因也許并不明顯。解決方案不僅僅依賴于使用FPGA的實(shí)現(xiàn)工具來優(yōu)化設(shè)計(jì)從而滿足時(shí)序要求,也需要設(shè)計(jì)者具有明確目標(biāo)和診斷/隔離時(shí)序問題的能力。
2014-08-15 14:22:101169 單片機(jī)擴(kuò)展外部ROM或RAM讀寫時(shí)序,PPT介紹。
2016-12-12 21:36:199 對(duì)于mig與DDR3/DDR2 SDRAM的讀寫時(shí)序我們不需要了解太多,交給mig就可以了。
2019-03-03 11:11:535640 ram也叫主存,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。它可以隨時(shí)讀寫(刷新時(shí)除外)且速度很快,通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。ram工作時(shí)可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定的地址寫入
2020-12-09 14:25:0514861 RAM是FPGA中常用的基礎(chǔ)模塊,可廣泛用于緩存數(shù)據(jù)的情況,同樣它也是ROM,F(xiàn)IFO的基礎(chǔ)。本實(shí)驗(yàn)將為大家介紹如何使用FPGA內(nèi)部的RAM以及程序?qū)υ?b class="flag-6" style="color: red">RAM的數(shù)據(jù)讀寫操作。
2022-02-08 15:50:4912183 RAM是FPGA中常用的基礎(chǔ)模塊,可廣泛用于緩存數(shù)據(jù)的情況,同樣它也是ROM,F(xiàn)IFO的基礎(chǔ)。本實(shí)驗(yàn)將為大家介紹如何使用FPGA內(nèi)部的RAM以及程序?qū)υ?b class="flag-6" style="color: red">RAM的數(shù)據(jù)讀寫操作。
2021-03-15 06:09:4514 文章目錄EEPROM 多字節(jié)讀寫操作時(shí)序EEPROM 多字節(jié)讀寫操作時(shí)序我們讀取 EEPROM 的時(shí)候很簡(jiǎn)單,EEPROM 根據(jù)我們所送的時(shí)序,直接就把數(shù)據(jù)送出來了,但是寫 EEPROM 卻沒有
2021-11-16 14:21:058 STM32入門開發(fā): 采用IIC硬件時(shí)序讀寫AT24C08(EEPROM)
2021-11-21 13:51:0445 分析IS62WV51216BLL的讀寫時(shí)序圖和時(shí)間特性參數(shù),得到較合理的時(shí)間參數(shù),大大優(yōu)化了外部RAM的操作時(shí)間。下面先介紹下前面3個(gè)參數(shù):1.Address setup time: 從設(shè)置引腳地址開始到能夠讀取數(shù)據(jù)的時(shí)間段2.Data setup time: 設(shè)置完地址后,能夠讀取數(shù)據(jù)總線的時(shí)間段3.Bus
2021-11-23 17:36:4121 STM32 Cubemax(十三) ——SPI時(shí)序讀寫RFID-RC522目錄STM32 Cubemax(十三) ——SPI時(shí)序讀寫RFID-RC522前言一、SPI時(shí)序通信二、模塊接線
2021-12-04 20:36:0951 ram也叫主存,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。它可以隨時(shí)讀寫(刷新時(shí)除外)且速度很快,通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的...
2022-01-25 20:03:251 新思科技近日宣布與Ansys聯(lián)合開發(fā)的電壓時(shí)序簽核解決方案已獲三星采用,用以加速開發(fā)其具有理想功耗、性能和面積(PPA)的高能效比設(shè)計(jì)。
2022-04-24 15:27:021236 該聯(lián)合解決方案基于新思科技的行業(yè)金牌PrimeTime簽核技術(shù)和Ansys 的RedHawk-SC電源完整性簽核技術(shù),能夠防止動(dòng)態(tài)電壓降引起的時(shí)序失效并盡可能減小時(shí)序悲觀性。
2022-04-27 14:29:22811 本文介紹了在低功耗系統(tǒng)中降低功耗同時(shí)保持測(cè)量和監(jiān)控應(yīng)用所需的精度的時(shí)序因素和解決方案。它解釋了當(dāng)所選ADC是逐次逼近寄存器(SAR)ADC時(shí)影響時(shí)序的因素。對(duì)于Σ-Δ(∑-Δ)架構(gòu),時(shí)序考慮因素有所不同(請(qǐng)參閱本系列文章的第1部分)。本文探討了模擬前端時(shí)序、ADC時(shí)序和數(shù)字接口時(shí)序中的信號(hào)鏈考慮因素。
2022-12-13 11:20:181057 。本來的含義是:ROM是Read Only Memory的意思,也就是說這種存儲(chǔ)器只能讀,不能寫。而RAM是Random Access Memory的縮寫。這個(gè)詞的由來是因?yàn)樵缙诘挠?jì)算機(jī)曾經(jīng)使用磁鼓作為內(nèi)存,而磁鼓和磁帶都是典型的順序讀寫設(shè)備。RAM則可以隨機(jī)讀寫。
2023-03-30 14:53:271941 本文將介紹低功耗系統(tǒng)在降低功耗的同時(shí)保持精度所涉及的時(shí)序因素和解決方案,以滿足測(cè)量和監(jiān)控應(yīng)用的要求。
2023-07-11 16:16:26360 8月10日, 三星半導(dǎo)體在本次第五屆OCP China Day 2023(開放計(jì)算中國技術(shù)峰會(huì))上分享了兩大應(yīng)對(duì)內(nèi)存墻限制的創(chuàng)新技術(shù)解決方案和開放協(xié)作的業(yè)務(wù)戰(zhàn)略。
2023-08-10 14:16:26685 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GD32F30x的設(shè)備限制及解決方案介紹.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-14 09:44:120 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GD32F45x/F40x的設(shè)備限制及解決方案介紹.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-14 09:45:450 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GD32F3x0的設(shè)備限制及解決方案介紹.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-14 09:47:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GD32E50x系列器件的限制及解決方案勘誤手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-14 09:49:180 ram也叫主存,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。它可以隨時(shí)讀寫(刷新時(shí)除外)且速度很快,通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)。
2024-01-09 11:11:57436 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GD32A503系列器件的限制及解決方案介紹.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-26 10:21:030 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GD32A513系列器件的限制及解決方案介紹.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-26 10:19:450 FPGA雙口RAM的使用主要涉及配置和使用雙端口RAM模塊。雙端口RAM的特點(diǎn)是有兩組獨(dú)立的端口,可以對(duì)同一存儲(chǔ)塊進(jìn)行讀寫操作,從而實(shí)現(xiàn)并行訪問。
2024-03-15 13:58:1480
評(píng)論
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