從3G時代起由于擊穿電壓、輸出功率等優勢，GaAs材料代替CMOS材料成為PA市場主流材料。

5G時代，預計GaAs依然是手機功放的主流方案。

全球GaAs市場被Skyworks、Qorvo和Avago等壟斷，三家合計份額接近70%。目前GaAs射頻已經形成了完整的產業鏈。

GaAs晶圓:日本、美國和德國壟斷，住友電工(SumitomoElectric)、弗萊貝格化合物材料(FreibergerCompoundMaterials)、晶體技術(AXT)三家公司占據約95%市場份額。國內廠商呈現追趕趨勢，包括光導稀材、三安集成線路等。

GaAs外延片:生產主要采取外包模式，四大外包領導廠商:IQE、全新光電(VPEC)、住友化學(包括住友化學先進技術和SCIOCS)、英特磊(IntelliEPI)。其中IQE為全球最大的外延片生產商，市場份額超過50%。我國三安集成電路也有生產能力。

GaAs功放設計:生產以“IDM”大廠和“設計+代工”大廠模式并存，其中Skyworks、Qorvo和Avago均為IDM模式，高通曾于2014年采用CMOS制程的PA，后2017年與TDK成立合資公司“RF360”，生產GaAsPA產品。另一大廠Avago2017年末以1.85億美元入股穩懋成為第三大股東，未來在擴產中可能會選擇Fabless路線。

代工:穩懋作為全球第一GaAs代工龍頭，主要客戶為高通、Avago、Murata、Skyworks、RDA、Anadgics等。

隨著更多廠商的加入，PA市場的競爭進一步加劇。因此頭部廠商將PA同基帶、開關等芯片綁定銷售，以提升競爭力。

中國廠商在設計、代工等領域也有一定競爭力。

國內公司漸漸掌握了GaAsPA技術，出現了近20家設計公司，如漢天下、唯捷創芯等，其中紫光展銳的4GPA已于2016年12月通過高通公司的平臺認證，漢天下PA也已進入三星產業鏈。

后續國內的PA設計廠商有可能帶動本土代工業的發展。國內代工相對領先的廠商包括三安光電、海特高新等。

為了實現進一步集成，仍有部分公司基于CMOS研發高頻功放。

射頻CMOS由于集成度提升，成本更底，但是性能與GaAs或GaN相比有差距。目前主要用于藍牙、Zigbee等應用。

高通曾收購子公司BlackSand劍指CMOSPA但最終成果寥寥無幾，可見短期硅基材料的PA仍需要大量的研發投入。

開關、LNA&天線調節器:SOI技術向300mm升級，MEMS技術成為補充射頻開關是指可對射頻信號通路進行導通和截止的射頻控制元件。

其性能指標主要是隔離度、工作帶寬、插入損耗、開關時間、功率容量、使用壽命等。

類似于濾波器的需求提升，5G因為頻段的增加將帶來通道數的提升，進而推動開關市場的容量增長。

根據YOLE預測，終端射頻開關市場規模將由2017年的10億美元增至2023年的30億美元，復合增速約為20%。

天線調節器Tuner市場也將迎來增長，從2017年的4.63億美元向10.00億美元發展，復合增速約為14%;LNA從2017年的2.46億美元增長至2023年的6.02億美元，復合增速約為16%。

SOI技術指在絕緣襯底上生長半導體層的技術，通過絕緣襯底實現有源層和襯底層的電氣連接隔斷。

SOI器件擁有尺寸小、寄生電容小、速度快、功耗低、集成度高、抗輻射能力強等優點，特別適合開關和轉換器低插損、高線性、高速的要求。

目前95%以上射頻開關基于RF-SOI(絕緣體上硅)工藝制造。LNA和Tuner目前也有向SOI技術轉向的趨勢。

5G時代LNA需要盡可能靠近天線放置，從現有130nm工藝向45nm工藝節點能力發展可以幫助實現開關、LNA、Tuner的集成。需要300mm晶圓的支撐。

SOI的產業鏈包括襯底供應商、晶圓廠、設計廠商三個環節。

襯底。全球襯底生產商僅為Soitec、Shin-Etsu、GlobalWafers和中國廠商上海新傲Simgui，其中Soitec擁有70%的市場份額。

根據Soitec預測，由于頻譜的迅速增加，預計2018年將出貨150萬至160萬只RFSOI晶圓，同比增長15%~20%，2020年晶圓出貨量將超過200萬片。