金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時(shí)，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。
2023-02-23 17:00:04
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本章首先介紹了MOS管的基本結(jié)構(gòu)并推導(dǎo)了其I/V特性，并闡述MOS管的二級(jí)效應(yīng)，如體效應(yīng)、溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)和亞閾值傳導(dǎo)等，之后介紹了MOS管的寄生電容，并推導(dǎo)其小信號(hào)模型。
2023-10-02 17:36:001342 
惠海半導(dǎo)體【中低壓MOS管廠家】，供應(yīng)中低壓壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)管NMOS管 廠家直銷，質(zhì)優(yōu)價(jià)廉 大量現(xiàn)貨 量大價(jià)優(yōu) 歡迎選購(gòu)，超低內(nèi)阻，結(jié)電容超小，采用溝槽工藝，性能優(yōu)越,惠海半導(dǎo)體專業(yè)20-150V
2020-09-25 15:55:42
SOT-89 N溝道MOS管/場(chǎng)效應(yīng)管HN03N10D參數(shù)：100V MOS管100V 3A SOT-89 N溝道 MOS管/場(chǎng)效應(yīng)管HN0801產(chǎn)品應(yīng)用于：小家電，霧化器，加濕器，電源，LED。品牌
2021-05-08 15:10:13
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2020-11-14 13:54:14
中低壓MOS管廣泛應(yīng)用于：LED車燈電源，LED電源，POE交換機(jī)，霧化器，香薰機(jī)，加濕器，美容儀，驅(qū)動(dòng)電機(jī)、防盜器等領(lǐng)域 型號(hào)HC037N06L N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 60V30A30N06 內(nèi)阻
2020-11-12 11:24:12
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 10N10 100V 10A 香薰機(jī)MOS管 ,原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷10N10參數(shù)： TO-252/SOT-89100V10AN溝道 MOS場(chǎng)效應(yīng)管
2020-07-31 14:50:51
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 16P03 30V P溝道MOS管 -30V -16A DFN3*3-8場(chǎng)效應(yīng)管 ，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷16P03參數(shù)： -30V -16A DFN3*3-8 P溝道
2021-03-18 14:21:33
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 30A 30A P溝道 MOS管 30P03，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷30P03 參數(shù)： -30V -30A DFN3*3-8 P溝道 MOS管/場(chǎng)效應(yīng)管品牌：HN
2021-03-30 14:33:48
惠海半導(dǎo)體 供應(yīng)30V 30ATO-252MOS管HC020N03L，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷HC020N03L參數(shù)：30V 30A TO-252 N溝道 MOS管/場(chǎng)效應(yīng)管品牌：惠海
2020-11-11 17:32:09
`60V 12A N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)（MOS）管 單管 STD12NF06LT4物料鏈接：http://www.hqchip.com/app/1174_n100官網(wǎng)：www.hqchip.com領(lǐng)品牌紅包：hqchip.com/act/coupon`
2019-07-09 15:13:27
的是MOS場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱MOS管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管，以及最近剛問(wèn)世的πMOS場(chǎng)效應(yīng)管、VMOS功率模塊等。按溝道半導(dǎo)體資料
2018-10-29 22:20:31
和增強(qiáng)型，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管都是耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管有耗盡型和增強(qiáng)型。一般來(lái)說(shuō)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為四類：N溝道耗盡型和增強(qiáng)型；P溝道耗盡型
2021-12-28 17:08:46
，往外指的是P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。MOS管和結(jié)型管電路符號(hào)相差的還是比較大，也很容易區(qū)分出來(lái)，例如下面這個(gè)圖片中的電路符號(hào)和上面那張圖中的電路符號(hào)很明顯有很大差別。其實(shí)下圖是N溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和P
2019-04-15 12:04:44
MOS管也就是常說(shuō)的場(chǎng)效應(yīng)管（FET），有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（又分為增強(qiáng)型和耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管）。也可以只分成兩類P溝道和N溝道。場(chǎng)效應(yīng)管的作用主要有信號(hào)的轉(zhuǎn)換、控制電路的通斷，這里我們講解
2021-10-28 07:46:04
比符合要求，否則器件會(huì)受到外部影響而影響功能。 3、MOS管的邊緣效應(yīng)是很重要的，所以在安裝的時(shí)候要特別注意器件的安裝方式，要避免附近有其他物體，以避免污染以及其他因素影響到MOS管的工作效率
2023-03-08 14:17:15
型和增強(qiáng)型兩種。增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。對(duì)于N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上，同樣對(duì)于P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極則接在
2018-10-27 11:36:33
。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。本文使用的是增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)見(jiàn)圖4。它可分為NPN型和PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型通常稱P溝道型。由圖可看出，對(duì)于N溝道型的場(chǎng)效應(yīng)管其源極
2011-06-08 10:43:25
請(qǐng)問(wèn)：CMOS管的功耗與MOS管的導(dǎo)電溝道的關(guān)系？
2023-11-20 07:01:20
深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) G16P03 原裝 -30V-16A P溝道 MOS場(chǎng)效應(yīng)管，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷G16P03 參數(shù):-30V-16ADFN3*3-8LP溝道 MOS場(chǎng)效應(yīng)管
2020-11-05 16:48:43
`HC020N03L參數(shù)：30V 30ATO-252 N溝道 MOS管/場(chǎng)效應(yīng)管品牌：惠海半導(dǎo)體型號(hào)：HC020N03L VDS：30V IDS：30ARDS(on)Max：22mΩ封裝
2020-10-09 13:53:07
小編在接到客戶咨詢關(guān)于MOS管的時(shí)候，總會(huì)被問(wèn)到一個(gè)問(wèn)題：怎么選擇合適的MOS管？關(guān)于這一個(gè)問(wèn)題，昨天針對(duì)這個(gè)問(wèn)題，在電壓、電流方面已經(jīng)做出了部分解釋，今天我們來(lái)看其他方面的影響。確定N、P溝道
2023-02-17 14:12:55
N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)示意圖和電路符號(hào)如下圖所示，用一塊摻雜濃度較低的P型硅片作為襯底，在其表面上覆蓋一層二氧化硅（SiO2）的絕緣層，再在二氧化硅層上刻出兩個(gè)窗口，通過(guò)擴(kuò)散形成兩個(gè)高
2015-06-12 09:24:41
耗盡型的MOS場(chǎng)效應(yīng)管制造過(guò)程中預(yù)先在二氧化硅的絕緣層中摻入了大量的正離子，因此，即使柵極不加電壓（UGS=0），由于靜電感應(yīng)，這些正離子產(chǎn)生的電場(chǎng)也能在P型襯底中“感應(yīng)”出足夠多的負(fù)電荷，形成
2015-06-15 18:03:40
N溝道耗盡型mos管，電路工作過(guò)程，還望大神指導(dǎo)。
2016-11-12 16:36:00
`東莞市惠海半導(dǎo)體有限公司專注研發(fā)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)銷售高品質(zhì)價(jià)格有優(yōu)勢(shì)的低結(jié)電容、低內(nèi)阻MOS管，場(chǎng)效應(yīng)管。霧化器、美容儀、加濕器MOS 100V 調(diào)光LED燈MOS管 我們的優(yōu)勢(shì)：價(jià)格優(yōu)勢(shì)，貨源充足
2020-07-24 17:25:11
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) NCE60P05BY 新潔能-60V -4A SOT23-3L P溝道MOS 場(chǎng)效應(yīng)管，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷NCE60P05BY: -60V -4A SOT23-3LP
2020-10-28 16:11:39
場(chǎng)效應(yīng)管100V15A P溝道 TO-252 功率MOS管SL15P10 -100-15A 205毫歐TO-252 251【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N
2020-06-09 10:21:08
AO系列MOS管。SL2060場(chǎng)效應(yīng)管 20V85A N溝道功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L
2020-06-13 11:47:55
：廠家直銷，價(jià)格優(yōu)勢(shì)，貨源充足，品質(zhì)保證。供應(yīng)中低壓MOS管，供應(yīng)替代AO系列MOS管。SL2060場(chǎng)效應(yīng)管 20V85A N溝道功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A
2020-06-19 10:57:37
場(chǎng)效應(yīng)管100V25A N溝道 TO-252 功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-06-09 10:23:37
`深圳市聚能芯半導(dǎo)體有限公司是一家集芯片代理、芯片生產(chǎn)、技術(shù)服務(wù)為一體的綜合性電子元器件公司。供應(yīng)中低壓MOS管，替代AO系列。 可提供技術(shù)支持，DEMO測(cè)試及設(shè)計(jì)方案?【100V MOS管 N溝道
2020-06-05 10:20:57
，貨源充足，品質(zhì)保證。供應(yīng)中低壓MOS管，供應(yīng)替代AO系列MOS管。SL2060場(chǎng)效應(yīng)管 20V85A N溝道功率MOS管【30V MOS管 N/P溝道】SL40P03 -30V-39ADFN3x3-8
2020-06-19 11:00:56
SL3020雙管30V16A 19毫歐DFN3.3x3.3-8-EPSL3020 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 30V16A 功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得
2020-06-20 10:04:16
SL3042 30V88A 8.5毫歐DFN5x6A-8_EPSL3042 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 30V88A 功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴
2020-06-20 10:05:27
SL3400 30V5.7A 18毫歐SOT23-3LSL3400 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 30V5.7A 功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作
2020-06-20 10:11:31
`SL3402 30V4A 40毫歐SOT23-3LSL3402 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 30V4A的功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實(shí)力中低
2020-06-22 10:53:25
SL3403 -30-3.5A 55毫歐SOT23SL3403 P溝道場(chǎng)效應(yīng)管的功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實(shí)力中低壓MOS
2020-06-22 10:57:12
SL3404 30V5.7A 19毫歐SOT23-3LSL3404 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 30V5.7A的功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-06-22 11:03:37
SL3404 30V5.7A 19毫歐SOT23-3LSL3404 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管 30V5.7A的功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作
2020-06-24 10:37:08
SL3406 30V4A 50毫歐 SOT23-3LSL3406 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管30V4A的功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實(shí)力中低
2020-06-24 10:39:23
SL3414 20V6A 20毫歐SOT23-3LSL3414 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管20V6A的功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實(shí)力中低
2020-06-24 10:40:54
SL3414E 20V4A 20毫歐SOT23-3L帶靜電保護(hù)SL3414EN溝道場(chǎng)效應(yīng)管20V6A帶靜電保護(hù)的功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得
2020-06-29 16:31:55
SL3415 -20-4A 30毫歐SOT23-3LSL3415 P溝道場(chǎng)效應(yīng)管功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實(shí)力中低壓MOS
2020-06-29 16:39:10
SL3416 20V6A 20毫歐SOT23-3L深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實(shí)力中低壓MOS場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)商。我們的優(yōu)勢(shì)：廠家直銷，價(jià)格優(yōu)勢(shì)
2020-06-29 16:40:19
SL3422 55V2.1A 90毫歐SOT23-3LSL3422 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管55V2.1A功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實(shí)力
2020-07-01 16:55:47
SL3423 -20-3A 44毫歐SOT23-3LSL3423 P溝道場(chǎng)效應(yīng)管20-3A功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實(shí)力中低
2020-07-01 16:57:06
場(chǎng)效應(yīng)管100V35A N溝道 TO-252 功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-06-09 10:36:41
AO系列MOS管。SL403場(chǎng)效應(yīng)管 -30V-70A N溝道功率MOS管優(yōu)勢(shì)替代QOD403【場(chǎng)效應(yīng)管的作用】1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必
2020-06-11 16:41:28
AO系列MOS管。SL407 場(chǎng)效應(yīng)管 -60V-15A P溝道功率MOS管優(yōu)勢(shì)替代AOD407【場(chǎng)效應(yīng)管的作用】1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小
2020-06-11 16:43:16
AO系列MOS管。SL409場(chǎng)效應(yīng)管 -60-26AP溝道功率MOS管優(yōu)勢(shì)替代AOD409【場(chǎng)效應(yīng)管的作用】1、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必
2020-06-11 16:44:37
場(chǎng)效應(yīng)管30V39A N溝道 DFN3x3-8 功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-06-10 14:31:13
AO系列MOS管。SL413場(chǎng)效應(yīng)管 -40V-20A P溝道功率MOS管優(yōu)勢(shì)替代AOD413SL680030V3.4A60毫歐SOT23-6封裝N溝道優(yōu)勢(shì)替代AO6800SL482230V8A19毫
2020-06-12 10:39:04
SL4184 40V60A 9毫歐TO-252SL4184 N溝道場(chǎng)效應(yīng)管40V60A功率MOS管深圳聚能芯半導(dǎo)體專業(yè)中低壓mos管，經(jīng)驗(yàn)豐富，實(shí)力雄厚，技術(shù)支持。是您值得信賴合作的實(shí)力中低壓MOS
2020-07-01 16:58:17
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2020-07-04 10:26:40
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場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)商。我們的優(yōu)勢(shì)：廠家直銷，價(jià)格優(yōu)勢(shì)，貨源充足，品質(zhì)保證。供應(yīng)中低壓MOS管，供應(yīng)替代AO系列MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-07-06 14:26:21
場(chǎng)效應(yīng)管供應(yīng)商。我們的優(yōu)勢(shì)：廠家直銷，價(jià)格優(yōu)勢(shì)，貨源充足，品質(zhì)保證。供應(yīng)中低壓MOS管，供應(yīng)替代AO系列MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-07-06 14:27:23
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2020-07-07 17:39:58
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2020-07-08 15:48:49
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2020-07-08 15:51:52
AO系列MOS管。SL444場(chǎng)效應(yīng)管 60V12A N溝道功率MOS管完美替代AO444SL680030V3.4A60毫歐SOT23-6封裝N溝道優(yōu)勢(shì)替代AO6800SL482230V8A19毫歐
2020-06-12 10:41:06
AO系列MOS管。L484場(chǎng)效應(yīng)管 30V41A N溝道功率MOS管完美替代AOD484【 中低壓MOS管替代AO系列】SL403-30V-70A5毫歐TO-252封裝 P溝道優(yōu)勢(shì)替代
2020-06-12 10:43:52
場(chǎng)效應(yīng)管60V50A N溝道 TO-252 功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-06-10 14:33:23
場(chǎng)效應(yīng)管-30V-50A P溝道 DFN3x3-8 功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-06-10 14:35:56
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) SLD60N02T 60A 20VMOS管，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷SLD60N02T ： 60A 20VTO-252N溝道 MOS場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)：SLD60N02TVDS
2020-10-22 15:48:45
HN15N10DA：100V 15ATO-252N溝道 MOS管10N10：100V 10ATO-252 N溝道 MOS場(chǎng)效應(yīng)管 10N10：100V 10ASOT-89 N溝道 MOS場(chǎng)效應(yīng)管
2021-04-07 15:06:41
`深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) ITA07N65650V 7A N溝道 MOS管 7N65，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷ITA07N657A 650V TO-220FN溝道 MOS管 /場(chǎng)效應(yīng)管
2021-03-24 10:35:56
1.15（a）所示，是Salicide的MOS管結(jié)構(gòu)圖。1.6 溝道離子注入和暈環(huán)離子注入技術(shù)MOS器件的特征尺寸縮小到深亞微米導(dǎo)致的另外一個(gè)問(wèn)題是短溝道效應(yīng)引起的亞閾值漏電流。隨著MOS器件的柵極長(zhǎng)度
2018-09-06 20:50:07
型號(hào)如下：型號(hào)：HC240N10LSN溝道場(chǎng)效應(yīng)管 絲印HC310，100V3A 3N10 SOT23-3封裝，內(nèi)阻200mR 型號(hào)：HC160N10LSN溝道場(chǎng)效應(yīng)管 絲印HC510 100V5A
2020-09-23 11:38:52
型號(hào)如下：型號(hào)：HC240N10LSN溝道場(chǎng)效應(yīng)管 絲印HC310，100V3A 3N10 SOT23-3封裝，內(nèi)阻200mR 型號(hào)：HC160N10LSN溝道場(chǎng)效應(yīng)管 絲印HC510 100V5A
2020-10-14 15:18:58
`【MOS管原廠】HC36012參數(shù)：30V 10A TO-252 N溝道 MOS管 /場(chǎng)效應(yīng)管品牌：惠海型號(hào)：HC36012VDS：30V IDS：10A 封裝：TO-252溝道：N溝道 【20V
2020-11-02 16:02:10
1、MSO的三個(gè)極怎么判定：MOS管符號(hào)上的三個(gè)腳的辨認(rèn)要抓住關(guān)鍵地方。G極，不用說(shuō)比較好認(rèn)。S極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是；D極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨(dú)引線的那邊。2、他們
2019-09-11 07:30:00
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2020-07-03 16:54:22
，MOS器件面臨一系列的挑戰(zhàn)。例如短溝道效應(yīng)(ShortChannelEffect-SCE)，熱載流子注入效應(yīng)(HotCarrierInject-HCI)和柵氧化層漏電等問(wèn)題。為了克服這些挑戰(zhàn)，半導(dǎo)體
2018-11-06 13:41:30
MOS管更多型號(hào)如下：型號(hào)：HC240N10LSN溝道場(chǎng)效應(yīng)管絲印HC310，100V3A 3N10 SOT23-3封裝，內(nèi)阻200mR 型號(hào)：HC160N10LSN溝道場(chǎng)效應(yīng)管絲印HC510
2020-10-16 17:22:55
運(yùn)動(dòng)的少子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。場(chǎng)效應(yīng)晶體管有哪幾種分類場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導(dǎo)電方式：耗盡
2019-05-08 09:26:37
的是MOS場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱MOS管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管，以及最近剛問(wèn)世的πMOS場(chǎng)效應(yīng)管、VMOS功率模塊等。 按溝道半導(dǎo)體
2009-04-25 15:38:10
變大。
如果在柵源之間加負(fù)向電壓，溝道電阻會(huì)越來(lái)越小失去控制的作用。漏極和源極可以互換。
2、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和P溝道，每一種又分為增強(qiáng)型和耗盡型。
N溝道增強(qiáng)型MOS管在其柵源之間加正向電壓，形成反型
2024-01-30 11:51:42
/C），將管子損壞。因此了廠時(shí)各管腳都絞合在一起，或裝在金屬箔內(nèi)，使G極與S極呈等電位，防止積累靜電荷。管子不用時(shí)，全部引線也應(yīng)短接。在測(cè)量時(shí)應(yīng)格外小心，并采取相應(yīng)的防靜電感措施。 MOS場(chǎng)效應(yīng)管
2009-04-25 15:43:42
都沒(méi)有阻值！如果測(cè)量到某種接法阻值為"0"這時(shí)使用用鑷子或表筆短接兩腳放電~ 然后再測(cè)量！二、MOS管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（IGFET）三
2019-04-16 11:20:05
如何利用一顆N溝道MOS管來(lái)實(shí)現(xiàn)上電瞬間輸出高電壓？
2022-02-15 06:03:40
擊穿，測(cè)量阻值很大，說(shuō)明管子內(nèi)部斷路。動(dòng)態(tài)測(cè)量區(qū)分MOS管和IGBT管先用萬(wàn)用表給管子的柵極施加電壓，是場(chǎng)效應(yīng)管建立起溝道，然后測(cè)量D、S及c、e之間的阻值，根據(jù)阻值的差異來(lái)區(qū)分MOS管和IGBT管
2019-05-02 22:43:32
`惠海半導(dǎo)體【中低壓MOS管廠家】，供應(yīng)中低壓壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)管NMOS管 廠家直銷，質(zhì)優(yōu)價(jià)廉 大量現(xiàn)貨 量大價(jià)優(yōu) 歡迎選購(gòu)，超低內(nèi)阻，結(jié)電容超小，采用溝槽工藝，性能優(yōu)越,惠海半導(dǎo)體專業(yè)20-150V
2020-11-02 15:36:23
、零偏或負(fù)偏。 根據(jù)這些特點(diǎn)，來(lái)用單電源的偏置電路主要有以下兩種：(1)自偏壓電路自偏壓用于結(jié)型和耗盡型MOS管放大電路，圖5.2-6示出N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管自偏電路。 圖5.2-6自偏壓電路柵源
2018-10-30 16:02:32
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-8 20:28 編輯
求N溝道MOS管型號(hào)
2012-12-21 15:41:08
RT，最近看模電看迷糊了，在此請(qǐng)教各位大蝦，N溝道增強(qiáng)型MOS管，襯底是P型硅片，那么是多子參與導(dǎo)電還是少子呢？ 是自有電子還是空穴呢？
2015-03-27 11:06:58
電壓時(shí)導(dǎo)電溝道是低阻狀態(tài)，加上控制電壓溝道電阻逐漸變大。
2、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝道和P溝道，每一種又分為增強(qiáng)型和耗盡型。
N溝道增強(qiáng)型MOS管在其柵源之間加正向電壓，形成反型層和導(dǎo)電溝道，溝道電阻
2024-01-30 11:38:27
絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)電機(jī)理是，利用UGS 控制"感應(yīng)電荷"的多少來(lái)改變導(dǎo)電溝道的寬窄，從而控制漏極電流ID。若UGS＝0時(shí)，源、漏之間不存在導(dǎo)電溝道的為增強(qiáng)型MOS管，UGS＝0 時(shí)，漏、源之間存在導(dǎo)電溝道的為耗盡型MOS管。
2019-09-30 09:02:16
擊穿現(xiàn)象、安全工作范圍寬等優(yōu)點(diǎn)。本節(jié)我們講解一下N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管，其基本結(jié)構(gòu)如下圖所示：如上圖所示，在一塊P型硅片（半導(dǎo)體）襯底（Substrate，也有稱為Bulk或Body）上，形成兩個(gè)高
2023-02-10 15:58:00
物美。而逆變器后級(jí)電路可應(yīng)用的場(chǎng)效應(yīng)管除了TK8A50D，還有飛虹電子生產(chǎn)的這個(gè)FHP840 高壓MOS管。飛虹電子的這個(gè)FHP840 高壓MOS管為N溝道增強(qiáng)型高壓功率場(chǎng)效應(yīng)管，F(xiàn)HP840場(chǎng)效應(yīng)管
2019-08-15 15:08:53
當(dāng)MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時(shí)，提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結(jié)深已仍不能很好的改善短溝道效應(yīng)。在SOI絕緣層上的平面硅技術(shù)基礎(chǔ)上提出FD-SOI晶體管。研究發(fā)現(xiàn)要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:00
12 隨著MOS器件的特征尺寸不斷縮小到90nm及以下時(shí)，短溝道效應(yīng)中的器件亞閾值電流成為妨礙工藝進(jìn)一步發(fā)展的主要因素，盡管提高溝道摻雜濃度可以在一定程度上抑制短溝道效應(yīng)，然而高摻雜的溝道會(huì)增大庫(kù)倫散射，使載流子遷移率下降，導(dǎo)致器件的速度降低，所以僅僅依靠縮小MOS器件的幾何尺寸已經(jīng)不能滿足器件性能的提高。
2019-09-06 08:47:518741 
mos管p溝道n溝道的區(qū)別 MOS管是一種主流的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，分為p溝道MOS管和n溝道MOS管兩種類型。這兩種MOS管的區(qū)別主要在于導(dǎo)電性質(zhì)、靜態(tài)特性、輸入電容、噪聲功率和門極結(jié)色散等方面
2023-08-25 15:11:258266 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為n溝道和p溝道兩種類型。本文將對(duì)n溝道MOS
2023-12-28 15:28:282894 
P溝道MOS管（P-channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡(jiǎn)稱PMOSFET）是一種常見(jiàn)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，廣泛應(yīng)用于各種
2023-12-28 15:39:311087
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