作者: 德州儀器設計工程師謝涌;設計與系統經理Paul Brohlin導讀:將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管
2018-08-30 15:28:30
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統集成優勢
2023-06-19 09:28:46
晶體管測量模塊的基本特性有哪些?晶體管測量模塊的基本功能有哪些?
2021-09-24 07:37:23
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
,以及基于硅的 “偏轉晶體管 “屏幕產品的消亡。
因此,氮化鎵是我們在電視、手機、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中,使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術。在光子學方面,氮化鎵還被用于藍光激光技術(最明顯
2023-06-15 15:50:54
被譽為第三代半導體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運用到通信、軍工領域,隨著技術的進步以及人們的需求,氮化鎵產品已經走進了我們生活中,尤其在充電器中的應用逐步布局開來,以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年,電力電子領域將管理大約80%的能源,而2005年這一比例僅為30%1。這相當于30億千瓦時以上
2020-11-03 08:59:19
功率晶體管(如GaN和碳化硅(SiC))有望在高壓和高開關頻率條件下提供高功率效率,從而遠遠超過硅MOSFET產品。 GaN可以為您做什么 根據應用的不同,高效率的高頻開關可以將功率模塊的尺寸縮小
2018-11-20 10:56:25
和功率密度,這超出了硅MOSFET技術的能力。開發工程師需要能夠滿足這些要求的新型開關設備。因此,開始了氮化鎵晶體管(GaN)的概念。 HD-GIT的概述和優勢 松下混合漏極柵極注入晶體管(HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
的熱量,需要更大的散熱器。不幸的是,這增加了系統成本、重量和解決方案總尺寸,這在空間受限的應用中是不期望的或不可接受的。氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)具有優于硅MOSFET的多種優勢
2017-08-21 14:36:14
器件的速度提高,這種外部電感會導致接地反彈增加[4]。 增強型氮化鎵晶體管采用晶圓級芯片級封裝 (WLCSP),端子采用焊盤柵格陣列 (LGA) 或球柵陣列 (BGA) 格式。其中一些器件不提供單獨
2023-02-24 15:15:04
是什么氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導體特性,早期應用于發光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點高穩定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料,具有寬帶隙、高熱導率等特點,應用在充電器方面,主要是集成氮化鎵MOS管,可適配小型變壓器和高功率器件,充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
轉換器,將性能與兩種可比場景進行了比較:第一種是所有三種晶體管類型都在500KHz諧振頻率下工作,第二種是500KHz基于GaN的LLC與基于100KHz硅的LLC。主要晶體管是氮化鎵、硅或碳化硅。初級
2023-02-27 09:37:29
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
晶體管如今已與碳化硅基氮化鎵具有同樣的電源效率和熱特性。MACOM 的第四代硅基氮化鎵 (Gen4 GaN) 代表了這種趨勢,針對 2.45GHz 至 2.7GHz 的連續波運行可提供超過 70
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應晶體管并配合LM5113半橋驅動器可容易地實現的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
GaN如何實現快速開關?氮化鎵能否實現高能效、高頻電源的設計?
2021-06-17 10:56:45
2000 年代初就已開始,但 GaN 晶體管仍處于起步階段。 毫無疑問,它們將在未來十年內取代功率應用中的硅晶體管,但距離用于數據處理應用還很遠。
Keep Tops氮化鎵有什么好處?
氮化鎵的出現
2023-08-21 17:06:18
怎么測量 信號的上升時間?
2015-03-15 08:36:34
,top_threshold_pct)來通過瞬態模擬來測量信號的上升時間。我想掃描輸入頻率并測量每個輸出的上升時間。使用掃描時,此功能似乎失敗。有解決方法嗎?我意識到,雖然滲透頻率,我的數據輸出是一個二維數組,如果我通過使用y
2018-09-26 15:12:33
` 本帖最后由 射頻技術 于 2021-4-8 09:16 編輯
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能,包括
2021-04-07 14:31:00
Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。 CGH40010,正在運行從28伏電壓軌供電,提供通用寬帶解決方案應用于各種射頻和微波應用。 GaN HEMT
2020-12-15 15:06:50
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。 CGH40010,正在運行從28伏電壓軌供電,提供通用寬帶解決方案應用于各種射頻和微波應用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed的CGHV40030是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高效率,高增益和寬帶寬功能而設計。 該器件可部署在L,S和C頻段放大器應用中。 數據手冊中的規格
2020-02-25 09:37:45
Wolfspeed的CGHV40030是無與倫比的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高效率,高增益和寬帶寬功能而設計。 該器件可部署在L,S和C頻段放大器應用中。 數據手冊中的規格
2020-02-24 10:48:00
` 本帖最后由 射頻微波技術 于 2021-4-8 09:15 編輯
Wolfspeed的CGHV60040D是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能
2021-04-07 14:24:11
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比,這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅(SiC)襯底上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。這種GaN內匹配(IM)場效應晶體管與其他技術相比,提供了優異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能,包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內部匹配(IM)FET與其他技術相比,具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
產品采用符合RoHS的SMD封裝提供。功能 內部匹配的GAN功率晶體管射頻帶寬(GHz)最小值-最大值 2.7-3.4功率(W) 65歲PAE(%) 55封裝 QFN塑料包裝CHKA011aSXA氮化
2021-04-02 16:25:08
Cree的CMPA801B025是氮化鎵(GaN)高電子遷移率基于晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
應用。加拿大多倫多大學教授吳偉東分享了關于用于GaN功率晶體管的智能柵極驅動器IC的精彩報告,并提出了一種適用于氮化鎵功率晶體管的智能柵極驅動集成電路,該集成電路帶有電流傳感特性、可調節輸出電阻、可調
2018-11-05 09:51:35
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管,旨在滿足P波段雷達系統的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內運行。 在100毫秒以下,10%占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
耗盡型半導體技術為碳化硅基氮化鎵(GaN on SiC)、硅基氮化鎵(GaN on Si)、砷化鎵(GaAs)射頻功率晶體管或模塊提供準確的柵極電壓和脈沖漏極電壓。射頻功率 - 硅雙極單元和模塊
2017-08-14 14:41:32
用于無線基礎設施的半導體技術正在經歷一場重大的變革,特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管在功率放大器領域幾十年來的主導地位正在被氮化鎵(GaN)撼動,這將對無線
2017-08-30 10:51:37
`作為一家具有60多年歷史的公司,MACOM在射頻微波領域經驗豐富,該公司的首款產品就是用于微波雷達的磁控管,后來從真空管、晶體管發展到特殊工藝的射頻及功率器件(例如砷化鎵GaAs)。進入2000年
2017-09-04 15:02:41
(GaN)那么,問題來了,怎么解決高昂的價格?首先,先了解下什么是硅基氮化鎵,與硅器件相比,由于氮化鎵的晶體具備更強的化學鍵,因此它可以承受比硅器件高出很多倍的電場而不會崩潰。這意味我們可以把晶體管
2017-07-18 16:38:20
范圍;4.Vgs信號上升時間240ns左右。(以上數據通過截屏讀數)▲圖4:測試結果截屏結論1.客戶目標板設計合理,Vgs控制信號近乎完美;2.測試顯示Vgs信號無任何震蕩,共模干擾被完全抑制;3.OIP系列光隔離探頭測試氮化鎵半橋上管Vgs,沒有引起炸管。
2023-01-12 09:54:23
QPD1004氮化鎵晶體管產品介紹QPD1004報價QPD1004代理QPD1004咨詢熱線QPD1004現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1004是25W(p3db),50歐姆輸入匹配
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化鎵晶體管產品介紹QPD1018報價QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司QPD1018內部匹配離散GaN
2018-07-27 09:06:34
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2019-07-17 13:58:50
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
)1.1脈沖條件脈沖寬度:120μsec,占空比10%筆記Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
)= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
功率增益13 dB的增益和55%的功率附加效率在1 dB壓縮。這種性能使tgf2040適合高效率的應用。帶有氮化硅的保護層提供了環境魯棒性和劃痕保護級別。產品型號:TGF2040產品名稱:砷化鎵晶體管
2018-07-18 12:00:19
TGF2977-SM氮化鎵晶體管產品介紹TGF2977-SM報價TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨詢熱線TGF2977-SM現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
當測定氮化鎵(GaN)晶體管的皮秒量級上升時間時,即使有1GHz的觀察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準確測定GaN晶體管的上升和下降時間需要細心留意您的測量設置和設備。讓我們初步了解一下使用TI
2018-09-07 14:52:23
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯,增加。因為它與傳統的硅技術相比,不僅性能優異,應用范圍廣泛,而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中,傳統硅器件在能量轉換方面,已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
度為1.1 eV,而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強度,耗盡區窄短,從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。例如,一個典型的650V橫向氮化鎵晶體管,可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
電子產品中。這種氧化物是個好選擇,因為它能與AlGaN/GaN形成良好的肖特基接觸,并在GaN晶體管中起到柵極的作用。有一些報道證實在氮化鎵晶體管中可存在銦錫氧化物(ITO)柵極,并且已經表明,在氮化鎵器件
2020-11-27 16:30:52
GaAs-GaAlAs,放大倍數可以大于1000,響應時間長于納秒,常用作光電探測器和光放大。場效應光電晶體管(FET)響應迅速(約50皮秒),但缺點是光敏面積和增益小,常用作超高速光電探測器。還有許多其他平面
2023-02-03 09:36:05
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優勢,氮化鎵充電器的充電器件運行速度,比傳統硅器件要快 100倍。
更重要的是,氮化鎵相比傳統的硅,可以在更小的器件空間內處理更大的電場,同時提供更快的開關速度。此外,氮化鎵比硅基半導體器件,可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領先地位。『三點半說』經多方專家指點查證,特推出“氮化鎵系列”,告訴大家什么是氮化鎵(GaN)?
2019-07-31 06:53:03
產的Guidance Enhanced Missile-TBM(GEM-T)攔截器中使用氮化鎵(GaN)計算機芯片,以取代目前在導彈發射器中使用的行波管(TWT)。雷神希望通過使用GaN芯片升級
2019-07-08 04:20:32
應用領域,SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上,電力電子產業的技術大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統硅
2021-09-23 15:02:11
明佳達電子優勢供應氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268,只做原裝,價格優勢,實單歡迎洽談。產品信息型號1:NV6127絲印:NV6127屬性:氮化鎵功率芯片封裝:QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
(GaN)原廠來說尤為常見,其根本原因是氮化鎵芯片的優異開關性能所引起的測試難題,下游的氮化鎵應用工程師往往束手無策。某知名氮化鎵品牌的下游客戶,用氮化鎵半橋方案作為3C消費類產品的電源,因電源穩定性
2023-02-01 14:52:03
氮化鎵技術是功率級的真正推動者,如今可提供過去十年無法想象的性能。只有當柵極驅動器與晶體管具有相同程度的性能和創新時,才能獲得GaN的最大性能和優勢。經過多年的研發,MinDCet通過推出
2023-02-24 15:09:34
我經常感到奇怪,我們的行業為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟,大潮之下,沒人能獨善其身。每年,我們都看到市場預測的前景不太令人滿意。但通過共同努力,我們就能
2022-11-16 06:43:23
導讀:將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能,并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實現更低的開關損耗。然而,當
2022-11-16 06:23:29
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產品?
2021-06-15 06:30:55
,則晶體管總的開關時間共有4個:延遲時間td,上升時間tr,存儲時間ts和下降時間tf;ton=td+tr,toff=ts+tf在不考慮晶體管的管殼電容、布線電容等所引起的附加電容的影響時,晶體管
2019-09-22 08:00:00
的性能已接近理論極限[1-2],而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優越特性,可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關性能,有助消除死區時間且增加PWM頻率,從而
2023-06-25 13:58:54
第 1 步 – 柵極驅動選擇 驅動GaN增強模式高電子遷移率晶體管(E-HEMT)的柵極與驅動硅(Si)MOSFET的柵極有相似之處,但有一些有益的差異。 驅動氮化鎵E-HEMT不會消除任何
2023-02-21 16:30:09
。LMG3410和LMG3411系列產品的額定電壓為600 V,提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。通過導通電阻選擇器件內部氮化鎵場效應晶體管(FET)的額定值為RDS(on) - 漏極-源極或導通電阻…
2022-11-10 06:36:09
,則晶體管總的開關時間共有4個:延遲時間td,上升時間tr,存儲時間ts和下降時間tf;ton=td+tr,toff=ts+tf在不考慮晶體管的管殼電容、布線電容等所引起的附加電容的影響時,晶體管
2019-08-19 04:00:00
的。如果準確知道設備的10-90%上升時間,并且測量是在沒有噪聲的情況下進行的,測量上升時間要好的方法是使用速度更快的探頭和示波器。簡單地說,這種方法可以提高示波器的使用頻率范圍到原來的2~3倍。購線網www.gooxian.com 專業定制各類測試線(同軸線、香蕉頭測試線,低噪線等)。
2018-04-19 10:42:59
功率/高頻射頻晶體管和發光二極管。2010年,第一款增強型氮化鎵晶體管普遍可用,旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅動電路和電路保護集成為單個器件
2023-06-25 14:17:47
針對可靠的高功率和高頻率電子設備,制造商正在研究氮化鎵(GaN)來制造具有高開關頻率的場效應晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限,制造商現在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
,在這種情況下采用基于氮化鎵(GaN)晶體管的解決方案意義重大。與傳統硅器件相類似,GaN晶體管單位裸片面積同樣受實際生產工藝限制,單個器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率,并聯配置晶體管已成為
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護,直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
上升時間 在數字領域中,上升時間測量至關重要。在預計測量數字信號時,如脈沖和階躍,上升時間可能是更合適的性能考慮因素。示波器必須有充足的上升時間,才能準確捕獲迅速跳變的細節。 示波器的上升時間 檢定
2016-04-11 14:38:38
氮化鎵GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
時間和頻率的關系是什么輸入電容對上升時間和噪聲的影響是什么進行電平測量時需要考慮的速度問題
2021-04-15 06:24:37
”的器件。它有多好呢?擊穿電壓是功率晶體管的關鍵指標之一,達到這個臨界點,半導體阻止電流流動的能力就會崩潰。東脅研究的開創性晶體管的擊穿電壓大于250伏。相比之下,氮化鎵花了近20年的時間才達到這一
2023-02-27 15:46:36
Cree 的 CMPA0060002F 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT) 基于單片微波集成電路 (MMIC)。 GaN具有優越的與硅或砷化鎵相比的特性,包括更高的擊穿率電壓
2022-05-17 18:34:26
Cree 的 CMPA0060002D 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子基于移動晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路(MMIC) 。 與硅相比,GaN 具有更優越的性能或砷化鎵,包括更高的擊穿
2022-05-18 10:06:16
Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有無與倫比的輸入,可在 DC-2.0 GHz 范圍內提供最佳的瞬時寬帶性能。GaN與硅或砷
2022-06-24 09:19:36
Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有無與倫比的輸入,可在 DC-2.0 GHz 范圍內提供最佳的瞬時寬帶性能。GaN與硅或砷
2022-06-24 09:22:17
Wolfspeed 的 CGHV59070 是內部匹配的;氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV59070;從 50 伏電壓軌運行;提供一般用途;適用于各種射頻和微波
2022-06-27 14:11:15
Wolfspeed 的 CGHV96130F 是碳化硅 (SiC) 基板上的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與其他技術相比,這種 GaN 內部匹配 (IM) FET 可提供
2022-06-27 16:24:32
Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一種基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優越的性能;包括更高的擊穿
2022-06-27 16:37:17
上升時間限制電路圖
2009-07-15 16:43:39519 氮化鎵(GaN)場效應晶體管具備高速的開關速度優勢,需要使用良好的測量技術及能夠描述高速波形細節的良好技巧來進行評估。本文專注于如何基于用戶的要求及測量技術,利用測量設備來準確地評估高性能的氮化鎵晶體管。此外,本文評估高帶寬差分探頭與不接地參考波形一起使用時的情況。
2018-06-08 16:43:003123 我們先來看一下壓擺率,壓擺率的概念與上升時間類似,但有一些重要區別。如圖1所示,階躍響應的上升時間被定義為波形從終值的10%變為90%所需的時間。(有時上升時間被定義為20/80%。)請注意,上升時間通過波形大小的百分比來定義,與所涉及的電壓無關。例如圖1中的波形具有大約3μs的上升時間。
2020-09-29 11:54:101857 振蕩上升時間(start up time)是指IC電源啟動時,從振蕩過渡的狀態向恒定區移動所需的時間,村田的規定是達到恒定狀態的振蕩水平的90%的時間。 振蕩上升時間受振蕩電路中使用的元件的影響,與晶體諧振器相比較的話,CERALOCK的振蕩上升時間會快1位數到2位數。 編輯:hfy
2021-03-31 10:21:052667 GaN(氮化鎵)功率晶體管的全球領導者GaN Systems今天宣布,其低電流,大批量氮化鎵晶體管的價格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:46682 您是否在準確測定氮化鎵器件的皮秒量級上升時間?
2022-11-04 09:51:250 氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導體,用于高效功率晶體管和集成電路。在GaN晶體的頂部生長氮化鋁鎵(AlGaN)薄層并在界面施加應力,從而產生二維電子氣(2DEG)。2DEG用于在電場作用下,高效
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