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電子發燒友網>電源/新能源>電源設計應用>準確測量氮化鎵(GaN)晶體管的皮秒量級上升時間

準確測量氮化鎵(GaN)晶體管的皮秒量級上升時間

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時間和頻率的關系是什么輸入電容對上升時間和噪聲的影響是什么進行電平測量時需要考慮的速度問題
2021-04-15 06:24:37

迄今為止最堅固耐用的晶體管氮化器件

”的器件。它有多好呢?擊穿電壓是功率晶體管的關鍵指標之一,達到這個臨界點,半導體阻止電流流動的能力就會崩潰。東脅研究的開創性晶體管的擊穿電壓大于250伏。相比之下,氮化花了近20年的時間才達到這一
2023-02-27 15:46:36

CMPA0060002F氮化 (GaN) 晶體管 (HEMT)

Cree 的 CMPA0060002F 是一種氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT) 基于單片微波集成電路 (MMIC)。 GaN具有優越的與硅或砷化相比的特性,包括更高的擊穿率電壓
2022-05-17 18:34:26

CMPA0060002D氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree 的 CMPA0060002D 是一種氮化 (GaN) 高電子基于移動晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路(MMIC) 。 與硅相比,GaN 具有更優越的性能或砷化,包括更高的擊穿
2022-05-18 10:06:16

CGHV40180F氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有無與倫比的輸入,可在 DC-2.0 GHz 范圍內提供最佳的瞬時寬帶性能。GaN與硅或砷
2022-06-24 09:19:36

CGHV40180P氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有無與倫比的輸入,可在 DC-2.0 GHz 范圍內提供最佳的瞬時寬帶性能。GaN與硅或砷
2022-06-24 09:22:17

CGHV59070P氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV59070 是內部匹配的;氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV59070;從 50 伏電壓軌運行;提供一般用途;適用于各種射頻和微波
2022-06-27 14:11:15

CGHV96130F氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CGHV96130F 是碳化硅 (SiC) 基板上的氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與其他技術相比,這種 GaN 內部匹配 (IM) FET 可提供
2022-06-27 16:24:32

CMPA0060025F氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一種基于氮化 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化相比具有優越的性能;包括更高的擊穿
2022-06-27 16:37:17

上升時間限制電路圖

上升時間限制電路圖
2009-07-15 16:43:39519

如何利用測量設備來準確地評估高性能的氮化晶體管

氮化鎵(GaN)場效應晶體管具備高速的開關速度優勢,需要使用良好的測量技術及能夠描述高速波形細節的良好技巧來進行評估。本文專注于如何基于用戶的要求及測量技術,利用測量設備來準確地評估高性能的氮化晶體管。此外,本文評估高帶寬差分探頭與不接地參考波形一起使用時的情況。
2018-06-08 16:43:003123

上升時間與壓擺率是一回事嗎

我們先來看一下壓擺率,壓擺率的概念與上升時間類似,但有一些重要區別。如圖1所示,階躍響應的上升時間被定義為波形從終值的10%變為90%所需的時間。(有時上升時間被定義為20/80%。)請注意,上升時間通過波形大小的百分比來定義,與所涉及的電壓無關。例如圖1中的波形具有大約3μs的上升時間
2020-09-29 11:54:101857

淺談振蕩上升時間及影響

振蕩上升時間(start up time)是指IC電源啟動時,從振蕩過渡的狀態向恒定區移動所需的時間,村田的規定是達到恒定狀態的振蕩水平的90%的時間。 振蕩上升時間受振蕩電路中使用的元件的影響,與晶體諧振器相比較的話,CERALOCK的振蕩上升時間會快1位數到2位數。 編輯:hfy
2021-03-31 10:21:052667

GaN Systems即將要推出1美元以下的GaN晶體管

GaN氮化鎵)功率晶體管的全球領導者GaN Systems今天宣布,其低電流,大批量氮化晶體管的價格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:46682

您是否在準確測定氮化鎵器件的皮秒量級上升時間

您是否在準確測定氮化鎵器件的皮秒量級上升時間
2022-11-04 09:51:250

什么是氮化鎵(GaN)?什么是高電子遷移率晶體管

氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導體,用于高效功率晶體管和集成電路。在GaN晶體的頂部生長氮化鋁鎵(AlGaN)薄層并在界面施加應力,從而產生二維電子氣(2DEG)。2DEG用于在電場作用下,高效
2023-02-10 11:05:173854

運放輸出電壓上升時間的計算指南

本文介紹了運放電路帶寬增益積 和壓擺率 對運放輸出電壓上升時間的影響,評估運放輸出電壓的上升時間,一般采用輸出電壓的 10% ~ 90% 這一段時間作為上升時間
2023-04-27 09:26:25510

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