作者: 德州儀器設(shè)計(jì)工程師謝涌；設(shè)計(jì)與系統(tǒng)經(jīng)理Paul Brohlin導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管
2018-08-30 15:28:30
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
，以及基于硅的 “偏轉(zhuǎn)晶體管 “屏幕產(chǎn)品的消亡。
因此，氮化鎵是我們在電視、手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術(shù)。在光子學(xué)方面，氮化鎵還被用于藍(lán)光激光技術(shù)（最明顯
2023-06-15 15:50:54
被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運(yùn)用到通信、軍工領(lǐng)域，隨著技術(shù)的進(jìn)步以及人們的需求，氮化鎵產(chǎn)品已經(jīng)走進(jìn)了我們生活中，尤其在充電器中的應(yīng)用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
2020-03-18 22:34:23
的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵（GaN）等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80％的能源，而2005年這一比例僅為30％1。這相當(dāng)于30億千瓦時(shí)以上
2020-11-03 08:59:19
功率晶體管(如GaN和碳化硅(SiC))有望在高壓和高開關(guān)頻率條件下提供高功率效率，從而遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過硅MOSFET產(chǎn)品。 GaN可以為您做什么 根據(jù)應(yīng)用的不同，高效率的高頻開關(guān)可以將功率模塊的尺寸縮小
2018-11-20 10:56:25
和功率密度，這超出了硅MOSFET技術(shù)的能力。開發(fā)工程師需要能夠滿足這些要求的新型開關(guān)設(shè)備。因此，開始了氮化鎵晶體管（GaN）的概念。 HD-GIT的概述和優(yōu)勢 松下混合漏極柵極注入晶體管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
的熱量，需要更大的散熱器。不幸的是，這增加了系統(tǒng)成本、重量和解決方案總尺寸，這在空間受限的應(yīng)用中是不期望的或不可接受的。氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）具有優(yōu)于硅MOSFET的多種優(yōu)勢
2017-08-21 14:36:14
器件的速度提高，這種外部電感會導(dǎo)致接地反彈增加［4］。 增強(qiáng)型氮化鎵晶體管采用晶圓級芯片級封裝 （WLCSP），端子采用焊盤柵格陣列 （LGA） 或球柵陣列 （BGA） 格式。其中一些器件不提供單獨(dú)
2023-02-24 15:15:04
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
轉(zhuǎn)換器，將性能與兩種可比場景進(jìn)行了比較：第一種是所有三種晶體管類型都在500KHz諧振頻率下工作，第二種是500KHz基于GaN的LLC與基于100KHz硅的LLC。主要晶體管是氮化鎵、硅或碳化硅。初級
2023-02-27 09:37:29
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
晶體管如今已與碳化硅基氮化鎵具有同樣的電源效率和熱特性。MACOM 的第四代硅基氮化鎵 (Gen4 GaN) 代表了這種趨勢，針對 2.45GHz 至 2.7GHz 的連續(xù)波運(yùn)行可提供超過 70
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化鎵場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)？氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)？
2021-06-17 10:56:45
2000 年代初就已開始，但 GaN 晶體管仍處于起步階段。 毫無疑問，它們將在未來十年內(nèi)取代功率應(yīng)用中的硅晶體管，但距離用于數(shù)據(jù)處理應(yīng)用還很遠(yuǎn)。
Keep Tops氮化鎵有什么好處？
氮化鎵的出現(xiàn)
2023-08-21 17:06:18
怎么測量 信號的上升時(shí)間？
2015-03-15 08:36:34
，top_threshold_pct）來通過瞬態(tài)模擬來測量信號的上升時(shí)間。我想掃描輸入頻率并測量每個(gè)輸出的上升時(shí)間。使用掃描時(shí)，此功能似乎失敗。有解決方法嗎？我意識到，雖然滲透頻率，我的數(shù)據(jù)輸出是一個(gè)二維數(shù)組，如果我通過使用y
2018-09-26 15:12:33
` 本帖最后由 射頻技術(shù) 于 2021-4-8 09:16 編輯
Wolfspeed的CG2H80015D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能，包括
2021-04-07 14:31:00
Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運(yùn)行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN HEMT
2020-12-15 15:06:50
`Cree的CGH40010是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。 CGH40010，正在運(yùn)行從28伏電壓軌供電，提供通用寬帶解決方案應(yīng)用于各種射頻和微波應(yīng)用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed的CGHV40030是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率，高增益和寬帶寬功能而設(shè)計(jì)。 該器件可部署在L，S和C頻段放大器應(yīng)用中。 數(shù)據(jù)手冊中的規(guī)格
2020-02-25 09:37:45
Wolfspeed的CGHV40030是無與倫比的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高效率，高增益和寬帶寬功能而設(shè)計(jì)。 該器件可部署在L，S和C頻段放大器應(yīng)用中。 數(shù)據(jù)手冊中的規(guī)格
2020-02-24 10:48:00
` 本帖最后由 射頻微波技術(shù) 于 2021-4-8 09:15 編輯
Wolfspeed的CGHV60040D是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能
2021-04-07 14:24:11
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內(nèi)匹配（IM）場效應(yīng)晶體管與其他技術(shù)相比，提供了優(yōu)異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
產(chǎn)品采用符合RoHS的SMD封裝提供。功能 內(nèi)部匹配的GAN功率晶體管射頻帶寬（GHz）最小值-最大值 2.7-3.4功率（W） 65歲PAE（％） 55封裝 QFN塑料包裝CHKA011aSXA氮化
2021-04-02 16:25:08
Cree的CMPA801B025是氮化鎵（GaN）高電子遷移率基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。 氮化鎵與硅或砷化鎵相比具有更好的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
應(yīng)用。加拿大多倫多大學(xué)教授吳偉東分享了關(guān)于用于GaN功率晶體管的智能柵極驅(qū)動(dòng)器IC的精彩報(bào)告，并提出了一種適用于氮化鎵功率晶體管的智能柵極驅(qū)動(dòng)集成電路，該集成電路帶有電流傳感特性、可調(diào)節(jié)輸出電阻、可調(diào)
2018-11-05 09:51:35
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管，旨在滿足P波段雷達(dá)系統(tǒng)的獨(dú)特需求。它在整個(gè)420-450 MHz頻率范圍內(nèi)運(yùn)行。 在100毫秒以下，10％占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
耗盡型半導(dǎo)體技術(shù)為碳化硅基氮化鎵（GaN on SiC）、硅基氮化鎵（GaN on Si）、砷化鎵（GaAs）射頻功率晶體管或模塊提供準(zhǔn)確的柵極電壓和脈沖漏極電壓。射頻功率 - 硅雙極單元和模塊
2017-08-14 14:41:32
用于無線基礎(chǔ)設(shè)施的半導(dǎo)體技術(shù)正在經(jīng)歷一場重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管在功率放大器領(lǐng)域幾十年來的主導(dǎo)地位正在被氮化鎵(GaN)撼動(dòng)，這將對無線
2017-08-30 10:51:37
`作為一家具有60多年歷史的公司，MACOM在射頻微波領(lǐng)域經(jīng)驗(yàn)豐富，該公司的首款產(chǎn)品就是用于微波雷達(dá)的磁控管，后來從真空管、晶體管發(fā)展到特殊工藝的射頻及功率器件（例如砷化鎵GaAs）。進(jìn)入2000年
2017-09-04 15:02:41
（GaN）那么，問題來了，怎么解決高昂的價(jià)格？首先，先了解下什么是硅基氮化鎵，與硅器件相比，由于氮化鎵的晶體具備更強(qiáng)的化學(xué)鍵，因此它可以承受比硅器件高出很多倍的電場而不會崩潰。這意味我們可以把晶體管
2017-07-18 16:38:20
范圍；4.Vgs信號上升時(shí)間240ns左右。（以上數(shù)據(jù)通過截屏讀數(shù)）▲圖4：測試結(jié)果截屏結(jié)論1.客戶目標(biāo)板設(shè)計(jì)合理，Vgs控制信號近乎完美；2.測試顯示Vgs信號無任何震蕩，共模干擾被完全抑制；3.OIP系列光隔離探頭測試氮化鎵半橋上管Vgs，沒有引起炸管。
2023-01-12 09:54:23
QPD1004氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1004報(bào)價(jià)QPD1004代理QPD1004咨詢熱線QPD1004現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司QPD1004是25W（p3db），50歐姆輸入匹配
2018-07-30 15:25:55
QPD1018氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1018報(bào)價(jià)QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司QPD1018內(nèi)部匹配離散GaN
2018-07-27 09:06:34
`QPD1018氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹QPD1018報(bào)價(jià)QPD1018代理QPD1018咨詢熱線QPD1018現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司QPD1018內(nèi)部匹配離散GaN
2019-07-17 13:58:50
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
功率增益13 dB的增益和55%的功率附加效率在1 dB壓縮。這種性能使tgf2040適合高效率的應(yīng)用。帶有氮化硅的保護(hù)層提供了環(huán)境魯棒性和劃痕保護(hù)級別。產(chǎn)品型號：TGF2040產(chǎn)品名稱：砷化鎵晶體管
2018-07-18 12:00:19
TGF2977-SM氮化鎵晶體管產(chǎn)品介紹TGF2977-SM報(bào)價(jià)TGF2977-SM代理TGF2977-SM咨詢熱線TGF2977-SM現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司TGF2977-SM是5
2018-07-25 10:06:15
當(dāng)測定氮化鎵（GaN）晶體管的皮秒量級上升時(shí)間時(shí)，即使有1GHz的觀察儀器和1GHz的探針仍可能不夠。準(zhǔn)確測定GaN晶體管的上升和下降時(shí)間需要細(xì)心留意您的測量設(shè)置和設(shè)備。讓我們初步了解一下使用TI
2018-09-07 14:52:23
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強(qiáng)度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如，一個(gè)典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
電子產(chǎn)品中。這種氧化物是個(gè)好選擇，因?yàn)樗芘cAlGaN/GaN形成良好的肖特基接觸，并在GaN晶體管中起到柵極的作用。有一些報(bào)道證實(shí)在氮化鎵晶體管中可存在銦錫氧化物（ITO）柵極，并且已經(jīng)表明，在氮化鎵器件
2020-11-27 16:30:52
GaAs-GaAlAs，放大倍數(shù)可以大于1000，響應(yīng)時(shí)間長于納秒，常用作光電探測器和光放大。場效應(yīng)光電晶體管（FET）響應(yīng)迅速（約50皮秒），但缺點(diǎn)是光敏面積和增益小，常用作超高速光電探測器。還有許多其他平面
2023-02-03 09:36:05
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，氮化鎵充電器的充電器件運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內(nèi)處理更大的電場，同時(shí)提供更快的開關(guān)速度。此外，氮化鎵比硅基半導(dǎo)體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件方面的領(lǐng)先地位。『三點(diǎn)半說』經(jīng)多方專家指點(diǎn)查證，特推出“氮化鎵系列”，告訴大家什么是氮化鎵（GaN）？
2019-07-31 06:53:03
產(chǎn)的Guidance Enhanced Missile-TBM（GEM-T）攔截器中使用氮化鎵（GaN）計(jì)算機(jī)芯片，以取代目前在導(dǎo)彈發(fā)射器中使用的行波管（TWT）。雷神希望通過使用GaN芯片升級
2019-07-08 04:20:32
應(yīng)用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應(yīng)用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
明佳達(dá)電子優(yōu)勢供應(yīng)氮化鎵功率芯片NV6127+晶體管AON6268絲印6268，只做原裝，價(jià)格優(yōu)勢，實(shí)單歡迎洽談。產(chǎn)品信息型號1：NV6127絲印：NV6127屬性：氮化鎵功率芯片封裝：QFN芯片
2021-01-13 17:46:43
（GaN）原廠來說尤為常見，其根本原因是氮化鎵芯片的優(yōu)異開關(guān)性能所引起的測試難題，下游的氮化鎵應(yīng)用工程師往往束手無策。某知名氮化鎵品牌的下游客戶，用氮化鎵半橋方案作為3C消費(fèi)類產(chǎn)品的電源，因電源穩(wěn)定性
2023-02-01 14:52:03
氮化鎵技術(shù)是功率級的真正推動(dòng)者，如今可提供過去十年無法想象的性能。只有當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)器與晶體管具有相同程度的性能和創(chuàng)新時(shí)，才能獲得GaN的最大性能和優(yōu)勢。經(jīng)過多年的研發(fā)，MinDCet通過推出
2023-02-24 15:09:34
我經(jīng)常感到奇怪，我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度；畢竟，大潮之下，沒人能獨(dú)善其身。每年，我們都看到市場預(yù)測的前景不太令人滿意。但通過共同努力，我們就能
2022-11-16 06:43:23
導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)
2022-11-16 06:23:29
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
，則晶體管總的開關(guān)時(shí)間共有4個(gè)：延遲時(shí)間td，上升時(shí)間tr，存儲時(shí)間ts和下降時(shí)間tf；ton=td+tr，toff=ts+tf在不考慮晶體管的管殼電容、布線電容等所引起的附加電容的影響時(shí)，晶體管
2019-09-22 08:00:00
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關(guān)性能，有助消除死區(qū)時(shí)間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
第 1 步 – 柵極驅(qū)動(dòng)選擇 驅(qū)動(dòng)GaN增強(qiáng)模式高電子遷移率晶體管（E-HEMT）的柵極與驅(qū)動(dòng)硅（Si）MOSFET的柵極有相似之處，但有一些有益的差異。 驅(qū)動(dòng)氮化鎵E-HEMT不會消除任何
2023-02-21 16:30:09
。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計(jì)的各類解決方案。通過導(dǎo)通電阻選擇器件內(nèi)部
氮化鎵場效應(yīng)
晶體管（FET）的額定值為RDS(on) - 漏極-源極或?qū)娮琛?/div>
2022-11-10 06:36:09
，則晶體管總的開關(guān)時(shí)間共有4個(gè)：延遲時(shí)間td，上升時(shí)間tr，存儲時(shí)間ts和下降時(shí)間tf；ton=td+tr，toff=ts+tf在不考慮晶體管的管殼電容、布線電容等所引起的附加電容的影響時(shí)，晶體管
2019-08-19 04:00:00
的。如果準(zhǔn)確知道設(shè)備的10-90%上升時(shí)間，并且測量是在沒有噪聲的情況下進(jìn)行的，測量上升時(shí)間要好的方法是使用速度更快的探頭和示波器。簡單地說，這種方法可以提高示波器的使用頻率范圍到原來的2~3倍。購線網(wǎng)www.gooxian.com 專業(yè)定制各類測試線（同軸線、香蕉頭測試線，低噪線等）。
2018-04-19 10:42:59
功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年，第一款增強(qiáng)型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅(qū)動(dòng)電路和電路保護(hù)集成為單個(gè)器件
2023-06-25 14:17:47
針對可靠的高功率和高頻率電子設(shè)備，制造商正在研究氮化鎵(GaN)來制造具有高開關(guān)頻率的場效應(yīng)晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限，制造商現(xiàn)在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
，在這種情況下采用基于氮化鎵（GaN）晶體管的解決方案意義重大。與傳統(tǒng)硅器件相類似，GaN晶體管單位裸片面積同樣受實(shí)際生產(chǎn)工藝限制，單個(gè)器件的電流處理能力存在上限。為了增大輸出功率，并聯(lián)配置晶體管已成為
2021-01-19 16:48:15
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
上升時(shí)間 在數(shù)字領(lǐng)域中，上升時(shí)間測量至關(guān)重要。在預(yù)計(jì)測量數(shù)字信號時(shí)，如脈沖和階躍，上升時(shí)間可能是更合適的性能考慮因素。示波器必須有充足的上升時(shí)間，才能準(zhǔn)確捕獲迅速跳變的細(xì)節(jié)。 示波器的上升時(shí)間 檢定
2016-04-11 14:38:38
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
時(shí)間和頻率的關(guān)系是什么輸入電容對上升時(shí)間和噪聲的影響是什么進(jìn)行電平測量時(shí)需要考慮的速度問題
2021-04-15 06:24:37
”的器件。它有多好呢？擊穿電壓是功率晶體管的關(guān)鍵指標(biāo)之一，達(dá)到這個(gè)臨界點(diǎn)，半導(dǎo)體阻止電流流動(dòng)的能力就會崩潰。東脅研究的開創(chuàng)性晶體管的擊穿電壓大于250伏。相比之下，氮化鎵花了近20年的時(shí)間才達(dá)到這一
2023-02-27 15:46:36
Cree 的 CMPA0060002F 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT) 基于單片微波集成電路 (MMIC)。 GaN具有優(yōu)越的與硅或砷化鎵相比的特性，包括更高的擊穿率電壓
2022-05-17 18:34:26
Cree 的 CMPA0060002D 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子基于移動(dòng)晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路（MMIC） 。 與硅相比，GaN 具有更優(yōu)越的性能或砷化鎵，包括更高的擊穿
2022-05-18 10:06:16
Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有無與倫比的輸入，可在 DC-2.0 GHz 范圍內(nèi)提供最佳的瞬時(shí)寬帶性能。GaN與硅或砷
2022-06-24 09:19:36
Wolfspeed 的 CGHV40180 是一款氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。它具有無與倫比的輸入，可在 DC-2.0 GHz 范圍內(nèi)提供最佳的瞬時(shí)寬帶性能。GaN與硅或砷
2022-06-24 09:22:17
Wolfspeed 的 CGHV59070 是內(nèi)部匹配的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGHV59070；從 50 伏電壓軌運(yùn)行；提供一般用途；適用于各種射頻和微波
2022-06-27 14:11:15
Wolfspeed 的 CGHV96130F 是碳化硅 (SiC) 基板上的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與其他技術(shù)相比，這種 GaN 內(nèi)部匹配 (IM) FET 可提供
2022-06-27 16:24:32
Wolfspeed 的 CMPA0060025 是一種基于氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優(yōu)越的性能；包括更高的擊穿
2022-06-27 16:37:17
上升時(shí)間限制電路圖
2009-07-15 16:43:39
519 
氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管具備高速的開關(guān)速度優(yōu)勢，需要使用良好的測量技術(shù)及能夠描述高速波形細(xì)節(jié)的良好技巧來進(jìn)行評估。本文專注于如何基于用戶的要求及測量技術(shù)，利用測量設(shè)備來準(zhǔn)確地評估高性能的氮化鎵晶體管。此外，本文評估高帶寬差分探頭與不接地參考波形一起使用時(shí)的情況。
2018-06-08 16:43:003123 
我們先來看一下壓擺率，壓擺率的概念與上升時(shí)間類似，但有一些重要區(qū)別。如圖1所示，階躍響應(yīng)的上升時(shí)間被定義為波形從終值的10％變?yōu)?0％所需的時(shí)間。（有時(shí)上升時(shí)間被定義為20/80％。）請注意，上升時(shí)間通過波形大小的百分比來定義，與所涉及的電壓無關(guān)。例如圖1中的波形具有大約3μs的上升時(shí)間。
2020-09-29 11:54:101857 
振蕩上升時(shí)間（start up time）是指IC電源啟動(dòng)時(shí)，從振蕩過渡的狀態(tài)向恒定區(qū)移動(dòng)所需的時(shí)間，村田的規(guī)定是達(dá)到恒定狀態(tài)的振蕩水平的90%的時(shí)間。 振蕩上升時(shí)間受振蕩電路中使用的元件的影響，與晶體諧振器相比較的話，CERALOCK的振蕩上升時(shí)間會快1位數(shù)到2位數(shù)。 編輯：hfy
2021-03-31 10:21:052667 GaN（氮化鎵）功率晶體管的全球領(lǐng)導(dǎo)者GaN Systems今天宣布，其低電流，大批量氮化鎵晶體管的價(jià)格已跌至1美元以下。
2021-03-13 11:38:46682 您是否在準(zhǔn)確測定氮化鎵器件的皮秒量級上升時(shí)間？
2022-11-04 09:51:25
0 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體，用于高效功率晶體管和集成電路。在GaN晶體的頂部生長氮化鋁鎵（AlGaN）薄層并在界面施加應(yīng)力，從而產(chǎn)生二維電子氣（2DEG）。2DEG用于在電場作用下，高效
2023-02-10 11:05:173854 
本文介紹了運(yùn)放電路帶寬增益積 和壓擺率 對運(yùn)放輸出電壓上升時(shí)間的影響，評估運(yùn)放輸出電壓的上升時(shí)間，一般采用輸出電壓的 10% ~ 90% 這一段時(shí)間作為上升時(shí)間。
2023-04-27 09:26:25510 
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