2012年整體液晶顯示器品牌廠(chǎng)商出貨量為1.544億臺(tái)，年衰退 7.3%，已連續(xù)兩年衰退，其中前十大品牌出貨量為近年來(lái)首度年出貨衰退，2013年仍是艱辛與相當(dāng)挑戰(zhàn)性的一年
2013-01-24 09:31:57
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無(wú)論我們是否愿意承認(rèn)，事實(shí)上，我們正陷于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的雙底衰退(double-dip recession)中。
2011-10-17 09:00:08718 Littelfuse， Inc.宣布近日推出雙向瞬態(tài)抑制二極管陣列（SPA?二極管）系列的首款產(chǎn)品，該系列產(chǎn)品旨在保護(hù)高端消費(fèi)電子產(chǎn)品和可穿戴電子產(chǎn)品免因破壞性靜電放電損壞。
2019-01-28 10:06:261656 4__1800V／300A非破壞性雙極型電力晶體管測(cè)試儀____(國(guó)外電力電子技術(shù))
2012-08-03 00:02:37
我的intel圖形驅(qū)動(dòng)程序有問(wèn)題。當(dāng)我更新到最新的驅(qū)動(dòng)程序時(shí)，intel Graphics控制面板從我的筆記本電腦中消失了。我重新安裝了那些司機(jī)三次，但仍然沒(méi)有運(yùn)氣。我的解決方案有問(wèn)題嗎？圖形芯片
2018-11-02 11:06:46
從Intel和ARM爭(zhēng)霸戰(zhàn), 看看做芯片到底有多難
2020-05-25 13:55:45
創(chuàng)新和競(jìng)爭(zhēng)力的基石。此外，從美國(guó)2004年上半年的投資看，軟件、生物技術(shù)、通信、醫(yī)療設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和半導(dǎo)體占前6位。2004年我國(guó)全社會(huì)科學(xué)研究與試制發(fā)展經(jīng)費(fèi)支出達(dá)歷史最高水平，為1966億元
2010-03-10 17:08:08
DPA分析技術(shù)可以快速發(fā)現(xiàn)潛在的材料、工藝等方面的缺陷，這些缺陷最終導(dǎo)致元器件失效的時(shí)間是不確定的，但所引發(fā)的后果是嚴(yán)重的。DPA分析目的：1、驗(yàn)證元器件的設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)、材料和制造質(zhì)量是否滿(mǎn)足預(yù)定用途或有關(guān)規(guī)范的要求；2、以預(yù)防失效為目的，防止有明顯或潛在缺陷的元器件上機(jī)使用；3、確定元器件在設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中存在的偏差和工藝缺陷；4、評(píng)價(jià)和驗(yàn)證供貨方元器件的質(zhì)量；5、提出批次處理意見(jiàn)和改進(jìn)措施。答案來(lái)自蘇試宜特
2020-08-14 16:25:27
盲點(diǎn)，有效減少客戶(hù)產(chǎn)品采用破壞性分析的數(shù)量。ㄧ般可與 X-Ray分析搭配進(jìn)行，針對(duì)分析結(jié)果進(jìn)行交互比對(duì)。非破壞分析，樣品可經(jīng)維修后繼續(xù)使用或出貨。應(yīng)用面廣，除典型的BGA / CSP 焊點(diǎn)檢測(cè)外，亦可
2018-09-11 10:18:26
我在芯片 MPC5xxx 上遇到問(wèn)題，破壞性重置同時(shí)發(fā)生（我的假設(shè)）。癥狀：下載固件后，RGM_DES SWT0 由硬件立即引發(fā)，無(wú)需初始化任何內(nèi)存。我在參考手冊(cè)中檢查過(guò)，然后它指出閃存初始化失敗
2023-03-31 07:44:26
X-ray對(duì)物品的穿透力很強(qiáng)，物品內(nèi)部結(jié)構(gòu)中密度較高的地方 X-ray穿透較少，因此接收器獲得較少的能量藉此成像。iST宜特檢測(cè)，X-ray檢測(cè)，是當(dāng)前非破壞檢測(cè)產(chǎn)品內(nèi)部缺陷分析有效率且快速的方法
2018-09-04 16:15:07
Intel CTO：搞軟件的兄弟們，你們要跟上近日，Intel CTO在自己的報(bào)告中聲稱(chēng)，軟件開(kāi)發(fā)者越來(lái)越跟不上硬件技術(shù)發(fā)展的節(jié)拍了。軟件的開(kāi)發(fā)正在面臨拐點(diǎn)，非開(kāi)源的軟件即將面臨絕種的危機(jī)。他甚至
2009-05-31 09:15:08
Arduino擴(kuò)展板）或者是Intel Galileo Board，一套Seeed Grove Starter Kit Plus。整個(gè)套件包含打造創(chuàng)新 IoT 解決方案所需的全套硬件和軟件資源。筆者
2016-07-05 11:17:16
最普遍、最具破壞性的主要因素，過(guò)多的濕氣會(huì)大幅降低導(dǎo)體間的絕緣抵抗性、加速高速分解、降低Q值、及腐蝕導(dǎo)體。我們常常看到PCB線(xiàn)路板金屬部分起了銅綠就是沒(méi)有涂覆三防漆金屬銅與水蒸氣、氧氣共同其化學(xué)反應(yīng)
2019-02-16 14:00:16
``Intel Edison 開(kāi)發(fā)板包含雙核心處理器與微控制器，整合 Wi-Fi、藍(lán)牙、內(nèi)存與儲(chǔ)存空間，加上 40 個(gè) GPIO 界面，能夠幫助開(kāi)發(fā)人員減少設(shè)計(jì)時(shí)間。加上數(shù)種擴(kuò)充板的選擇性，能夠依據(jù)
2016-10-16 17:14:10
制造商將在電壓下執(zhí)行測(cè)試：Utest = 2x230VAC + 1000VAC = 1460 VAC。可以使介電強(qiáng)度測(cè)試具有破壞性或非破壞性。破壞性測(cè)試某些標(biāo)準(zhǔn)化測(cè)試要求對(duì)應(yīng)用介電強(qiáng)度測(cè)試的樣品施加高功率
2018-10-23 10:07:06
壞性物理分析（DPA），可用對(duì)電子元器件設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)、材料和質(zhì)量等進(jìn)行測(cè)定，并判斷其是否達(dá)到設(shè)計(jì)使用標(biāo)準(zhǔn)。其具體破壞性物理分析，可以完成對(duì)電子元器件的全面分析，并實(shí)施一系列檢驗(yàn)，其對(duì)電子元器件
2019-03-05 17:11:04
給大家先簡(jiǎn)單科普一下，關(guān)于品質(zhì)檢驗(yàn)的事兒。在電子行業(yè)，對(duì)于產(chǎn)品的品質(zhì)檢驗(yàn)，按是否會(huì)破壞產(chǎn)品，可以分為：破壞性測(cè)試、非破壞性測(cè)試。顧名思義，所謂破壞性測(cè)試，就是要通過(guò)破壞產(chǎn)品，來(lái)達(dá)到測(cè)試產(chǎn)品、收集
2022-09-02 09:49:04
，也是其他應(yīng)用的必備條件。例如，在傳感領(lǐng)域，獲取的數(shù)據(jù)如果不正確或遭到損壞，結(jié)果可能具有破壞性，甚至可能致命，具體取決于系統(tǒng)和所涉及的風(fēng)險(xiǎn)級(jí)別。
2019-07-31 06:27:04
Intel? 處理器與技術(shù)而設(shè)計(jì)，可提供智能效能與多項(xiàng)創(chuàng)新功能，例如 Intel? 無(wú)線(xiàn)顯示技術(shù) (Intel? Wireless Display)、Intel? My WiFi 技術(shù)，Intel?智慧
2013-11-01 15:49:17
Intel? 處理器與技術(shù)而設(shè)計(jì)，可提供智能效能與多項(xiàng)創(chuàng)新功能，例如 Intel? 無(wú)線(xiàn)顯示技術(shù) (Intel? Wireless Display)、Intel? My WiFi 技術(shù)，Intel?智慧
2013-11-01 14:32:26
在G2 rm中，據(jù)說(shuō)讀取限制是每位20m次。
每次standby mode存在后，都會(huì)有一次破壞性reset，需要重新讀取efuse。如果G2經(jīng)常在standby mode和fast boot mode之間切換，一段時(shí)間后，efuse會(huì)不會(huì)有問(wèn)題？
我應(yīng)該如何避免損壞 efuse？
2023-05-23 07:49:44
FEBFOD8316是FOD8316智能柵極驅(qū)動(dòng)器光電耦合器的評(píng)估板，是一款先進(jìn)的2.5A輸出電流IGBT驅(qū)動(dòng)光電耦合器，可提供必要的關(guān)鍵保護(hù)，以防止導(dǎo)致IGBT發(fā)生破壞性熱失控的故障。引腳兼容引腳
2019-04-29 06:29:43
當(dāng)我們使用 procd init 腳本讓某個(gè)應(yīng)用程序?qū)崿F(xiàn)開(kāi)機(jī)自啟時(shí)，會(huì)發(fā)現(xiàn)應(yīng)用程序中原本通過(guò) printf/fprintf 等輸出到 stdout/stderr 的打印信息都無(wú)法從串口或 adb shell 中看到了。這些打印默認(rèn)是輸出到什么地方？我們可以如何看到這些打印？
2021-12-29 07:12:34
[td]大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)的爆發(fā)讓存儲(chǔ)市場(chǎng)火爆異常，價(jià)格一漲再漲，從手機(jī)、電腦、汽車(chē)、到玩具，幾乎所有電子產(chǎn)品等離不開(kāi)存儲(chǔ)器，而尤其可穿戴、醫(yī)療、工業(yè)設(shè)備更離不開(kāi)高性能、高耐久性以及低功耗特性
2021-02-26 07:43:09
大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)的爆發(fā)讓存儲(chǔ)市場(chǎng)火爆異常，價(jià)格一漲再漲，從手機(jī)、電腦、汽車(chē)、到玩具，幾乎所有電子產(chǎn)品等離不開(kāi)存儲(chǔ)器，而尤其可穿戴、醫(yī)療、工業(yè)設(shè)備更離不開(kāi)高性能、高耐久性以及低功耗特性的關(guān)鍵數(shù)據(jù)
2019-09-03 06:37:36
在許多應(yīng)用中，數(shù)據(jù)鏈路之間需要(甚至是必要的)非直接的(導(dǎo)電)電連接，從而在提供數(shù)據(jù)的同時(shí)避免來(lái)自系統(tǒng)某一部分的危險(xiǎn)電壓(或電流)對(duì)其另一部分造成破壞。造成這種破壞性失效的可能是電源質(zhì)量低劣、接地
2019-08-19 08:03:09
的推理能力，以戰(zhàn)術(shù)，來(lái)支撐戰(zhàn)略。【本文內(nèi)容】1. 創(chuàng)新的源頭：假設(shè)(Assumption)&假定(Hypothesis) 無(wú)論在商業(yè)決策上、產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面或科學(xué)技術(shù)上，假設(shè)性的想法，都扮演非常重要
2020-12-21 10:23:41
請(qǐng)問(wèn)各位大哥，我想檢測(cè)電流突然變小，想用哪個(gè)傳感器？ 電機(jī)正常電流是11KW，在異常情況下，物料發(fā)生象泥石流一樣的破壞性現(xiàn)象，物料帶動(dòng)電機(jī)轉(zhuǎn)，電機(jī)處于發(fā)電狀態(tài)，這時(shí)電機(jī)的電流從額定狀態(tài)急劇減小接近于0，我想用哪一種傳感器檢驗(yàn)出這個(gè)電流變化，并讓控制電機(jī)的接觸器馬上斷電，該用什么傳感器？ 謝謝
2014-07-21 21:24:30
現(xiàn)在我們對(duì)系統(tǒng)功能安全的要求顯著增長(zhǎng)。從核電站到醫(yī)療設(shè)備，無(wú)故障系統(tǒng)已成為部分應(yīng)用的理想選擇，也是其他應(yīng)用的必備條件。例如，在傳感領(lǐng)域，獲取的數(shù)據(jù)如果不正確或遭到損壞，結(jié)果可能具有破壞性，甚至可能致命，具體取決于系統(tǒng)和所涉及的風(fēng)險(xiǎn)級(jí)別。那么現(xiàn)在數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的功能安全性怎么保障？
2021-03-05 07:30:37
昨天看到消息Altera從Intel獨(dú)立出來(lái)了，不知道大家常用的FPGA是什么？我這邊分成常規(guī)生產(chǎn)治具是altera的，算法和圖像相關(guān)的使用的是Xilinx的；
2024-03-06 13:39:48
返修之后可以對(duì)重新裝配的元件進(jìn)行檢查測(cè)試，檢查測(cè)試的方法包括非破壞性的檢查方法，如目視、光 學(xué)顯微鏡、電子掃描顯微鏡、超聲波掃描顯微鏡、X－Ray和一些破壞性的檢查測(cè)試，如切片和染色實(shí)驗(yàn)、老 化
2018-09-06 16:39:59
`在一個(gè)創(chuàng)新、智能化風(fēng)起云涌的車(chē)載電子時(shí)代，行車(chē)記錄儀承擔(dān)著探路者的使命，唯有不斷創(chuàng)新、完善，才能在未來(lái)大格局中找到自己的位置。凌度剛推出的A928全區(qū)面智能后視鏡記錄儀最具創(chuàng)新、實(shí)用性的三大新
2019-01-24 18:26:26
在焊接時(shí)元器件多半短路了；想問(wèn)一下是不是焊接溫度過(guò)高引起的
2013-04-08 23:47:23
試驗(yàn)、加速試驗(yàn)和各種特殊試驗(yàn)；3. 若按試驗(yàn)?zāi)康膩?lái)劃分，則可分為篩選試驗(yàn)、鑒定試驗(yàn)和驗(yàn)收試驗(yàn)；4. 若按試驗(yàn)性質(zhì)來(lái)劃分，也可分為破壞性試驗(yàn)和非破壞性試驗(yàn)兩大類(lèi)；5. 但通常慣用的分類(lèi)法，是把它歸納為
2015-08-04 17:34:26
朋友的企業(yè)接受第二方審核時(shí)，客戶(hù)對(duì)電機(jī)檢查試驗(yàn)項(xiàng)目的完備性提出質(zhì)疑，客戶(hù)認(rèn)為檢查試驗(yàn)必須進(jìn)行耐相間電壓和匝間試驗(yàn)。但是客戶(hù)要求的試驗(yàn)項(xiàng)目具有一定的破壞性，反復(fù)的試驗(yàn)會(huì)造成電機(jī)絕緣不可恢復(fù)的損傷。那
2018-10-10 18:01:15
容量小，攜帶方便。● 交流耐壓試驗(yàn)在被試設(shè)備電壓的2.5倍及以上進(jìn)行，從介質(zhì)損失的熱擊穿觀(guān)點(diǎn)出發(fā)，可以有效地發(fā)現(xiàn)局部游離性缺陷及絕緣老化的弱點(diǎn)。由于在交變電壓下主要按電容分壓，故能夠有效地暴露設(shè)備絕緣缺陷。但是，交流耐壓對(duì)絕緣的破壞性比直流大，而且由于試驗(yàn)電流為電容電流，所以需要大容量的試驗(yàn)設(shè)備。
2020-09-17 21:06:49
試驗(yàn)的方法，把隱藏的缺陷檢查出來(lái)。試驗(yàn)方法一般分為兩大類(lèi)：A. 非破壞性試驗(yàn)。是指在較低的電壓下，或是用其他不會(huì)操作絕緣的辦法來(lái)測(cè)量各種特性，從而判斷絕緣內(nèi)部的缺陷。實(shí)踐證明，這類(lèi)方法是有效的，但由于
2020-08-25 19:37:31
電源完整性設(shè)計(jì)中的破壞因素分析PI即是電源完整性，也就是為所有的信號(hào)線(xiàn)提供完整的回流路徑。 PI設(shè)計(jì)中的破壞因素主要有： 1、地彈噪聲： 在 電路中有大的電流涌動(dòng)時(shí)會(huì)引起地平面反彈噪聲（簡(jiǎn)稱(chēng)為地彈
2012-02-09 11:12:48
其它競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手而言是具有不可復(fù)制性的，其市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的強(qiáng)弱也就不言而喻了。而一些只注重在產(chǎn)品應(yīng)用層面上的創(chuàng)新，產(chǎn)品的基本根本未有任何改變的企業(yè)，其競(jìng)爭(zhēng)力必將受到影響。技術(shù)創(chuàng)新的同時(shí)也必須從產(chǎn)品內(nèi)部展開(kāi)
2017-06-23 10:56:12
是具有不可復(fù)制性的，其市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的強(qiáng)弱也就不言而喻了。而一些只注重在產(chǎn)品應(yīng)用層面上的創(chuàng)新，產(chǎn)品的基本根本未有任何改變的企業(yè)，其競(jìng)爭(zhēng)力必將受到影響。技術(shù)創(chuàng)新的同時(shí)也必須從產(chǎn)品內(nèi)部展開(kāi)，比如說(shuō)電源芯片技術(shù)
2017-06-28 10:37:11
損失，因此，直流耐壓對(duì)絕緣的破壞性小。另外，由于直流耐壓只需供給很小的泄漏電流，因而所需試驗(yàn)設(shè)備容量小，攜帶方便。交流耐壓試驗(yàn)：在被試設(shè)備電壓的2.5倍及以上進(jìn)行,從介質(zhì)損失的熱擊穿觀(guān)點(diǎn)出發(fā),可以有效地
2020-09-05 00:16:19
)特性，只讓場(chǎng)景的極微光部分通過(guò)EMCCD輸出。在這輸出架構(gòu)中，每一像素的電荷通過(guò)非破壞性的傳感節(jié)點(diǎn)(下圖的灰框)，這可通過(guò)攝像機(jī)控制電子讀取，以為每一像素提供信號(hào)電平的初始測(cè)量。此信息被用來(lái)驅(qū)動(dòng)一個(gè)
2018-10-19 09:14:50
先生，有重置原因（0x0e），我檢查注釋是關(guān)于軟件破壞性重置的。MCU_F_EXR_RESET = McuConf_McuResetReasonConf_MCU_F_EXR_RESET
2023-04-20 08:56:13
，因?yàn)榧t墨水測(cè)試的好處是可以讓人一目了然，了解整顆BGA在哪些位置有錫球發(fā)生了裂縫（crack）問(wèn)題，方便制程及研發(fā)單位快速了解可能原因與可能的應(yīng)力（Stress）來(lái)源。不過(guò)，這紅墨水測(cè)試其實(shí)是一種破壞性
2019-08-27 04:37:46
我正在與 SafetPack 為 TC38x 調(diào)試的無(wú)損測(cè)試 (MBIST) 合作。 但我找不到 Geth Tx/Rx RAM 和 gtm_mcsxslow/Fast-DPLL RAM 的正確的 SRAM 初始化過(guò)程。
你能否給我一些關(guān)于上面提到的 RAMS 的初始化過(guò)程的提示。
2024-02-01 07:09:22
`1.無(wú)損檢測(cè)，非破壞性2.對(duì)粘結(jié)層非常敏感3.能夠穿透大多數(shù)的材質(zhì)4.淺面結(jié)構(gòu)的分析5.材料力學(xué)性能的檢測(cè)——非線(xiàn)性超聲檢測(cè)`
2020-05-09 16:27:23
、開(kāi)礦、取土?xí)r的不規(guī)范施工行為也在不斷沖擊著電網(wǎng)的安全運(yùn)行。一些公路、鐵路及村鎮(zhèn)等設(shè)計(jì)規(guī)劃中未考慮電網(wǎng)建設(shè)，電力與地方規(guī)劃設(shè)計(jì)、林地農(nóng)田之間的矛盾日益增長(zhǎng)。 外力破壞直接而迅速, 最近幾年蒙西電網(wǎng)從500
2015-04-16 15:19:18
，嚴(yán)重地影響到人們的正常生產(chǎn)與生活。由于電力線(xiàn)路所處地理位置和環(huán)境條件的特殊性，加之桿塔點(diǎn)多、線(xiàn)長(zhǎng)、面廣等特點(diǎn)，使得輸電線(xiàn)路防外力破壞一直以來(lái)都是相關(guān)電力部門(mén)艱苦、復(fù)雜、長(zhǎng)期的工作，也是急需解決
2015-04-23 15:57:09
`銅排折彎?rùn)C(jī)的故障排查方法以故障呈現(xiàn)時(shí)有無(wú)破壞性，分為破壞性故障和非破壞性故障.對(duì)于破壞性故障，損壞工件乃至機(jī)床的毛病，修理時(shí)不允許重演，TMY正負(fù)極連接銅排，這時(shí)只能依據(jù)發(fā)作故障時(shí)的現(xiàn)象進(jìn)行
2018-12-04 17:06:11
塊門(mén)陣列（50門(mén)）。 1968年7月，諾依斯和摩爾從仙童公司辭職，創(chuàng)立了Intel公司，英文名Intel為“集成電子設(shè)備（integratedelectronics）”的縮寫(xiě)。 1969年
2018-05-10 09:57:19
與失效分析。宜特?fù)碛懈叻直媛实?D OM，具備高景深功能，不論景深多深，也能實(shí)現(xiàn)全對(duì)焦、超高速影像連接功能，且鏡頭可用手持的方式進(jìn)行觀(guān)測(cè)。應(yīng)用范圍：元器件芯片封裝檢驗(yàn)的缺陷，如：外觀(guān)表面完整性、黑膠的裂痕
2018-08-21 10:40:07
超音波顯微鏡SAT檢測(cè)超音波顯微鏡(SAT)，原理是藉由超音波于不同密度材料之反射速率及能量不同的特性，來(lái)進(jìn)行分析。利用純水當(dāng)介質(zhì)傳遞超音波信號(hào)，當(dāng)信號(hào)遇到不同材料的接口時(shí)，會(huì)部分反射、部分穿透，機(jī)臺(tái)就會(huì)接收這些信號(hào)組成影像。SAT超音波可用來(lái)檢測(cè)芯片組件內(nèi)部不同位置的脫層(Delaminaiton)、裂縫(Crack)、氣洞及粘著狀況，多用于檢察芯片封膠內(nèi)的缺陷。不同的樣品其適用的檢測(cè)探頭不同，宜特?fù)碛心壳叭?**完整的探頭組合，從低頻15 Mhz至高頻110 Mhz及更高階的UHF(230MHz)超高頻探頭，可滿(mǎn)足不同封裝型式的芯片檢測(cè)。
2018-08-24 08:56:26
點(diǎn)針與探針信號(hào)量測(cè) (Probe / Nano Probe)透過(guò)OM與SEM顯微鏡下，利用一般點(diǎn)針(Prober)或奈米級(jí)探針(Nano Prober)，搭接于芯片內(nèi)部線(xiàn)路，使其可以外接各類(lèi)電性量
2018-08-24 09:07:08
試驗(yàn)，其中的特性試驗(yàn)主要是對(duì)電力變壓器等電器設(shè)備的斷路器的主回路接觸電阻、安伏曲線(xiàn)以及GIS、極性等進(jìn)行的試驗(yàn)，而絕緣試驗(yàn)包括破壞性以及非破壞性兩種。 前者涉及到直流交流等耐壓試驗(yàn)，因?yàn)榫哂休^高的電壓
2020-10-30 09:12:58
使用有明顯或潛在缺陷的元器件，并提出批次處理意見(jiàn)和改進(jìn)措施，對(duì)提高電子元器件的使用可靠性、并最終提升電子設(shè)備的質(zhì)量顯得尤為重要。 測(cè)試周期：5～10個(gè)工作
2022-05-25 11:13:36
nm和1550 nm絕對(duì)最大非破壞性光學(xué)輸入：在相對(duì)響應(yīng)度最高的波長(zhǎng)處，非破壞性光輸入10 mW峰值功率 配置有一個(gè)或多個(gè)光學(xué)采樣模塊的泰克8000系列
2022-10-09 17:34:38
無(wú)菌藥品完整性檢漏儀 壓力衰減測(cè)試是一種用于檢測(cè)無(wú)孔、剛性或柔性包裝中泄漏的定量測(cè)量方法。如果加壓氣體的引人導(dǎo)致包裝壁或密封件破裂，則該測(cè)試是破壞性的。如果將氣引人測(cè)試樣品不會(huì)損害包裝屏障
2023-09-27 15:54:16
的不可或缺的設(shè)備。軟膏管密封性檢漏儀主要通過(guò)非破壞性、高精度、高效率的檢測(cè)技術(shù)，對(duì)軟膏管的密封性能進(jìn)行全面評(píng)估。該設(shè)備主要利用氣壓或真空原理，對(duì)軟膏管進(jìn)行加壓或減壓處理，
2023-10-26 16:26:55
Intel E810-XXVDA2以太網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)適配器Intel E810-XXVDA2以太網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)適配器具有創(chuàng)新性和多功能性，可提高應(yīng)用效率和網(wǎng)絡(luò)性能。E810-XXVDA2具有兩個(gè)25GbE
2024-02-27 11:53:49
Intel E810-XXVDA4以太網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)適配器Intel? E810-XXVDA4以太網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)適配器具有創(chuàng)新性和多功能性，可提高應(yīng)用效率和網(wǎng)絡(luò)性能。E810-XXVDA4適配器具有10/25GbE
2024-02-27 11:54:23
帶來(lái)創(chuàng)新以更小外形尺寸和更高速度（從如今100G到未來(lái)400G或更高）為未來(lái)數(shù)據(jù)中心帶寬增長(zhǎng)和下一代5G部署賦能，同時(shí)提供新的光學(xué)集成平臺(tái)消除網(wǎng)絡(luò)瓶頸（可能導(dǎo)致計(jì)
2024-02-27 12:19:00
指數(shù)衰退減瞬變負(fù)再電路圖
2009-06-25 11:47:20355 
MAXQ1103破壞性復(fù)位診斷程序
摘要：MAXQ1103是一款安全微控制器，當(dāng)任何一個(gè)篡改檢測(cè)輸入被觸發(fā)時(shí)，將立即擦除敏感
2009-10-23 18:12:52791 
Intel致力創(chuàng)新 為各類(lèi)智慧型連網(wǎng)裝置提供流暢的體驗(yàn)
新聞焦點(diǎn)
Intel總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)歐德寧描述更具智慧之連網(wǎng)
2010-09-30 11:30:34353 4-1800V/300A非破壞性雙極型電力晶體管測(cè)試儀： 本文研制出一臺(tái)采用超快速分流 電路 的非破壞性反偏安全工作區(qū)( RBS0A) 測(cè)試儀，試驗(yàn)證明達(dá)到丁1 8 0 O ~/ 3 o 0 A水平。改進(jìn)的MOS FET分流電路
2012-08-03 16:54:20
13 三防漆是一種特殊配方的涂料，用于保護(hù)線(xiàn)路板及其相關(guān)設(shè)備免受壞境的侵蝕。三防漆具有良好的耐高低溫性能；其固化后
2017-10-16 08:45:459432 ，最早在2025年機(jī)器人和其他形式的人工智能將把這個(gè)世界改變到人們幾乎認(rèn)不出來(lái)的地步，它們將以一股“創(chuàng)造性破壞”的旋風(fēng)打破舊有商業(yè)模式，這種轉(zhuǎn)變的影響最終每年將達(dá)到30萬(wàn)億美元甚至更多。
2018-06-04 11:00:00545 2006 年時(shí)，曾有記者詢(xún)問(wèn) Palm 公司 CEO Ed Colligan 有關(guān)蘋(píng)果手機(jī)的傳聞，這位智能機(jī)老江湖自信滿(mǎn)滿(mǎn)的回應(yīng)稱(chēng)，“為了做好一臺(tái)手機(jī)，我們都曲折探索了很多年，搞 PC 的那幫人想進(jìn)來(lái)就坐收漁利，恐怕沒(méi)那么容易。”
2018-09-14 17:30:004783 無(wú)人機(jī)對(duì)飛機(jī)的撞擊究竟會(huì)有多大破壞力？這可能是不少人都頗為疑惑的一個(gè)問(wèn)題。近日，美國(guó)代頓大學(xué)的研究所進(jìn)行了一個(gè)模擬測(cè)試，模擬了無(wú)人機(jī)撞擊機(jī)翼后的結(jié)果。從結(jié)果來(lái)看，相對(duì)速度并不高的撞擊下，無(wú)人機(jī)就已經(jīng)可以對(duì)機(jī)翼造成破壞性結(jié)果了。
2018-10-20 08:33:003069 與任何電子電路一樣，當(dāng)瞬態(tài)電壓浪涌超過(guò)元件額定值時(shí)，能量收集設(shè)計(jì)可能會(huì)發(fā)生災(zāi)難性故障。隨著人們?cè)絹?lái)越關(guān)注在極低電壓可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)中利用能量收集，設(shè)計(jì)人員需要敏銳地意識(shí)到破壞性電壓浪涌的來(lái)源及其
2019-03-28 08:57:003673 
上個(gè)月，蘋(píng)果與高通達(dá)成和解后不久，Intel就宣布退出移動(dòng)5G基帶市場(chǎng)。近日，Intel CEO司睿博（Bob Swan）接受?chē)?guó)內(nèi)媒體采訪(fǎng)時(shí)談及此事表示，原因是在這個(gè)市場(chǎng)當(dāng)中看不到Intel爾可以贏利的機(jī)會(huì)。
2019-05-09 11:20:442351 行業(yè)的創(chuàng)新模式，發(fā)現(xiàn)正是那些暫時(shí)遭到主流客戶(hù)拒絕的關(guān)鍵的、突破性的技術(shù)，逐漸演變成了主導(dǎo)新市場(chǎng)的“破壞性創(chuàng)新”。
2019-09-20 10:44:441792 串聯(lián)諧振對(duì)電纜，變壓器有危害嗎？有，肯定是有的，但是相比直流耐壓要小很多，無(wú)論是直流耐壓試驗(yàn)還是交流耐壓試驗(yàn)，它們同屬于‘破壞性試驗(yàn)’，不同在于它們所造成的危害程度不同，相比而言，交流耐壓的嚴(yán)重程度
2019-09-02 12:41:222621 破壞性試驗(yàn)可應(yīng)用在不同的領(lǐng)域，泛指在性能測(cè)試過(guò)程中發(fā)生不可逆的變化或隱患，破壞性試驗(yàn)同樣在不同的領(lǐng)域采取不同的試驗(yàn)方式，一般建議采取抽樣檢測(cè)的方式，因?yàn)樗哂胁煌潭鹊?b class="flag-6" style="color: red">破壞性，因此在同一試驗(yàn)品上不可
2020-02-17 14:25:175452 韓國(guó)關(guān)稅廳統(tǒng)計(jì)12月1～20日產(chǎn)業(yè)出口狀況，相較去年同期，整體出口下滑2％，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)減少幅度較大，衰退16.7％，外界預(yù)期，韓國(guó)單月出口額將創(chuàng)下連續(xù)1年衰退的紀(jì)錄。
2019-12-23 11:42:072058 克里斯坦森（哈佛商學(xué)院教授，“破壞性創(chuàng)新”的首創(chuàng)者）區(qū)分了兩種創(chuàng)新：延續(xù)性創(chuàng)新和破壞性創(chuàng)新。延續(xù)性創(chuàng)新旨在提高產(chǎn)品質(zhì)量。破壞性創(chuàng)新是指用客戶(hù)眼中價(jià)格更低、更便捷、質(zhì)量更優(yōu)的產(chǎn)品代替您的產(chǎn)品。最近
2021-01-07 09:55:161229 手機(jī)電池性能 手機(jī)電池性能衰退可以分為正常性衰退和濫用性衰退。 正常性衰退是指手機(jī)電池放電循環(huán)次數(shù)的減少，是由于電池在正常使用狀態(tài)下的自然衰退，也是無(wú)法避免的。 濫用性衰退是指手機(jī)電池因?yàn)椴徽_
2021-03-25 15:05:065985 DPA分析（Destructive Physical Analysis）即破壞性物理分析，它是在電子元器件成品批中隨機(jī)抽取適當(dāng)樣品，采用一系列非破壞和破壞性的物理試驗(yàn)與分析方法，以檢驗(yàn)元器件
2021-12-13 09:39:13544 
UAS操作，這需要商業(yè)安全標(biāo)準(zhǔn)的支持。此外，希望為軍方（或商業(yè)客戶(hù)）提供UAS技術(shù)的軟件開(kāi)發(fā)人員必須通過(guò)采用新方法來(lái)開(kāi)發(fā)無(wú)人駕駛飛機(jī)系統(tǒng)來(lái)快速響應(yīng)。不理會(huì)這些破壞性力量可能會(huì)使供應(yīng)商處于寒冷之中。
2022-10-28 11:18:40248 
專(zhuān)家經(jīng)常會(huì)遇到所有問(wèn)題。這些問(wèn)題會(huì)減緩進(jìn)度、危及計(jì)劃并降低工作效率。幸運(yùn)的是，Minitab 針對(duì)這些問(wèn)題和許多其他問(wèn)題提供無(wú)代碼的端到端解決方案：Minitab Engage。Engage 可以解決正您在行業(yè)中可能面臨的一些最具生產(chǎn)力破壞性的問(wèn)
2022-12-05 11:18:56296 破壞性物理分析（Destructive Physical Analysis，簡(jiǎn)稱(chēng)DPA）是為了驗(yàn)證元器件的設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)、材料和制造質(zhì)量是否滿(mǎn)足預(yù)定用途或有關(guān)規(guī)范的要求，對(duì)元器件樣品進(jìn)行剖析，以及在剖析前后進(jìn)行一系列分析的全過(guò)程。DPA對(duì)提高元器件的綜合使用品質(zhì)及使用效能具有十分重要的作用。
2022-12-12 09:49:51631 結(jié)果，并與已知正確輸出結(jié)果進(jìn)行比較而判斷芯片功能、性能、結(jié)構(gòu)好壞的過(guò)程。本文__【科準(zhǔn)測(cè)控】__小編就分享一下半導(dǎo)體集成電路非破壞性鍵合拉力試驗(yàn)，我們將從測(cè)試目的、設(shè)備要求、程序、失效判據(jù)這幾個(gè)點(diǎn)來(lái)講解！ 測(cè)試目的 本方
2023-01-11 11:35:041097
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