溶解部分光刻膠 - 沙子做的CPU憑什么賣那么貴？
2016年11月25日 08:57 超能網(wǎng) 作者：梁俊豪 用戶評論（0）
8.溶解部分光刻膠
對曝光后的晶圓進行顯影處理。以正光刻膠為例，噴射強堿性顯影液后，經(jīng)紫外光照射的光刻膠會發(fā)生化學反應，在堿溶液作用下發(fā)生化學反應，溶解于顯影液中，而未被照射到的光刻膠圖形則會完整保留。顯影完畢后，要對晶圓表面的進行沖洗，送入烘箱進行熱處理，蒸發(fā)水分以及固化光刻膠。
9.蝕刻
將晶圓浸入內(nèi)含蝕刻藥劑的特制刻蝕槽內(nèi)，可以溶解掉暴露出來的晶圓部分，而剩下的光刻膠保護著不需要蝕刻的部分。期間施加超聲振動，加速去除晶圓表面附著的雜質(zhì)，防止刻蝕產(chǎn)物在晶圓表面停留造成刻蝕不均勻。
10.清除光刻膠
通過氧等離子體對光刻膠進行灰化處理，去除所有光刻膠。此時就可以完成第一層設計好的電路圖案。
11.重復第6-8步
由于現(xiàn)在的晶體管已經(jīng)3D FinFET設計，不可能一次性就能制作出所需的圖形，需要重復第6-8步進行處理，中間還會有各種成膜工藝（絕緣膜、金屬膜）參與到其中，以獲得最終的3D晶體管。
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- 第 2 頁：硅錠切片
- 第 3 頁：涂抹光刻膠
- 第 4 頁：溶解部分光刻膠
- 第 5 頁：離子注入
- 第 6 頁：構(gòu)建晶體管之間連接電路
- 第 7 頁：晶圓切片、外觀檢查
- 第 8 頁：封裝
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( 發(fā)表人：方泓翔 )