如今，當您在一些醫(yī)院就診時，您可能會看到醫(yī)生正拿著平板電腦診療、查房。這可不是普通的平板電腦，它采用了防酒精的專業(yè)面板。您知道嗎，其實在醫(yī)院中，電子設備除了要防酒精外，還必須抗輻射，這是因為醫(yī)院常常要對貼有RFID標簽的物品進行輻射消毒，而采用富士通半導體的能夠抵抗高達50kGy伽瑪射線消毒的非易失性隨機存儲器——FRAM（鐵電隨機存儲器）的RFID在通過輻射消毒后數據不會被破壞。

　　除了抗輻射，FRAM還具有高速/高讀寫耐久性和低功耗的特性，這些獨一無二的優(yōu)勢使得FRAM在醫(yī)療領域脫穎而出，贏得了更廣泛的應用和用戶的青睞。“FRAM早已經被用于CT掃描機和其他大型設備當中，在較小型醫(yī)療設備中的使用也在不斷增加。為了在醫(yī)療設備和生物制藥的生產控制實現認證的目的，內嵌FRAM的RFID也變得越來越普及。”在日前舉行的第七屆中國國際醫(yī)療電子技術大會（CMET2014）上，全球領先的FRAM供應商富士通半導體的系統(tǒng)存儲器事業(yè)部副總裁松宮正人先生表示。

　　圖1. 富士通半導體系統(tǒng)存儲器事業(yè)部副總裁松宮正人先生在CMET2014上演講。

　　非易失性、高速、無需后備電池——滿足醫(yī)療電子系統(tǒng)設計苛刻的性能要求

　　在關乎人們生命安全的醫(yī)療電子領域，迫切需要即使是在電源關閉的狀態(tài)下也能存儲數據的存儲器，而且還要在低功耗下高速工作，要求存儲器具有高讀寫循環(huán)耐久性。此外，由于通過伽馬射線和電子滅菌在醫(yī)療領域也是很普遍的，這要求存儲器具有抗輻射性， 而FRAM所具有的獨特優(yōu)勢能夠滿足所有這些醫(yī)療領域的苛刻要求。

　　與傳統(tǒng)的非揮發(fā)存儲器相比，FRAM的功耗要小很多，而且寫入速度更快。對于類似的寫入，FRAM功耗只有EEPROM的1/1000。FRAM的寫入時間是EEPROM的1/40000，達到SRAM和DRAM這些傳統(tǒng)易失性存儲器的級別。而且，FRAM的讀/寫耐久性能遠遠優(yōu)于EEPROM和Flash存儲器。EEPROM和Flash存儲器能寫入大約100萬次（10^ 6次），FRAM最高可寫入1萬億次，或者說寫入次數可以達到前兩種存儲器的100萬倍以上。

　　圖2. 鐵電FRAM相比E2PROM的優(yōu)勢。

　　特別值得一提的還有FRAM是利用鐵電極化技術保存數據的鐵電存儲器，這意味著在遭受輻射時也不會發(fā)生數據丟失問題。如果是EEPROM和Flash存儲器，保存數據取決于電荷是否存在于器件的存儲區(qū)，輻射會引起電荷漂移，導致數據被破壞。

　　“富士通半導體使用成熟技術生產FRAM的時間已經超過10年。我們從1999年開始量產，15年已經累計銷售達到25.8億片FRAM產品。去年我們擴展了大容量的FRAM產品線，在市場上受到廣泛好評。”松宮正人先生表示。