如下圖3所示，富士通半導體提供寬泛的FRAM產(chǎn)品，容量從4Kb到4Mb，涵蓋SPI和IIC串行接口、并行接口。采用串行接口的FRAM可以替代EEPROM或串行閃存，而采用并行接口的FRAM產(chǎn)品可以代替低功耗SRAM或PSRAM （Pseudo SRAM）。

　　圖3.富士通半導體 FRAM產(chǎn)品線涵蓋SPI、IIC、并行接口。

　　“唯一的不足是目前的最大容量只能支持到4Mbit，未來富士通半導體還會不斷推出更多新品，逐步實現(xiàn)大容量化。我們已經(jīng)在著手研發(fā)8Mb的產(chǎn)品。”松宮正人透露。

　　而在封裝方面，目前FRAM基本可以直接替換EEPROM，如下圖4所示，F(xiàn)RAM的封裝和EEPROM的封裝是完全兼容的。

　　圖4. FRAM單體存儲器封裝系列。

　　此外，F(xiàn)RAM的成本問題是所有使用者所關心的一個除了性能以外最重要的因素。FRAM的價格和存儲容量相關，容量不同，價格不同。現(xiàn)在FRAM和EEPROM一般的價格差距在2～5倍，而在大容量方面，例如1M～2M的FRAM和EEPROM的價格差距就只有1～2倍，未來隨著FRAM的市場不斷擴大，其成本會逐漸接近EEPROM，這樣FRAM就可被更多的用戶接受。

　　另一方面，掌握著從FRAM的研發(fā)，設計到量產(chǎn)及封裝的整個流程，加上多年的經(jīng)驗，富士通半導體因而能始終保證FRAM產(chǎn)品的高質量和穩(wěn)定供應。富士通半導體還在低功耗制造工藝上不斷創(chuàng)新，進一步降低成本價格，實現(xiàn)大容量化。

　　“在要求高可靠性，高速/高耐久性數(shù)據(jù)讀寫，低功耗，抗輻射等這些人命關天的醫(yī)療設備中，F(xiàn)RAM將得到100%的應用。” 松宮正人先生表示。

　　實例分享——為醫(yī)療電子應用增添實用價值

　　今天，像EEPROM和SRAM這些標準存儲器器件已經(jīng)被廣泛應用于醫(yī)療設備。而使用FRAM將可能改變普通最終用戶和醫(yī)療專家對助聽器噪聲，或是需要更換所用設備中的備用電池而頻頻抱怨的情況。FRAM產(chǎn)品有助于采集更詳盡的數(shù)據(jù)，提高數(shù)據(jù)可靠性，還可以改善安全性，提高醫(yī)療行業(yè)的生產(chǎn)效率。下面將通過實例來講述使用FRAM帶來的好處。

　　圖5. FRAM單體存儲器在醫(yī)療器械領域的應用

　　首先，在CT掃描機中使用FRAM，不用更換電池。早在3、4年前就有設備制造商開始在CT掃描機中使用FRAM。不同的制造商在設備內部使用FRAM的目的是不一樣的，目的之一是控制系統(tǒng)以確定什么時候需要對設備進行保養(yǎng)。

　　CT掃描機里面的攝像頭和X射線發(fā)生器的性能會因為反復使用而惡化，這些元器件必須定期更換。在這些地方，F(xiàn)RAM被用作控制系統(tǒng)的存儲器設備，用來記錄設備工作了多少小時和受到輻射的數(shù)量。FRAM芯片是具有快速寫入、高讀/寫耐久性和耐輻射特性的非揮發(fā)存儲器，很適合這種苛刻的工作環(huán)境。另一方面，F(xiàn)RAM還非常適于在CT中用作掃描回轉數(shù)，斷層掃描信息的存儲器。

　　其次，F(xiàn)RAM還被用于病人身旁的監(jiān)護儀，記錄或監(jiān)控病人的生命體征—心率、脈搏、血壓、體溫等。這些監(jiān)護儀存儲了病人預先記錄的基準信息，可以和最近測量的數(shù)據(jù)進行對照。如果發(fā)生異常情況，監(jiān)護儀就會發(fā)出警報聲。

　　“與EEPROM相比，F(xiàn)RAM可以更頻繁地寫入，設備可以進行更頻繁的測量，這樣監(jiān)護儀就能夠記錄更多的細節(jié)信息。FRAM的快速寫入能力還意味著，如果突然斷電的話，不會丟失數(shù)據(jù)，因為FRAM可以在系統(tǒng)的供電中斷之前，在最短的時間內儲存數(shù)據(jù)。” 松宮正人先生說。

　　第三，當FRAM用于呼吸機（CPAP）中，同樣無需后備電池。設備制造商正在考慮將FRAM用于自動CPAP（連續(xù)正氣道壓力）設備，用來跟蹤睡眠呼吸暫停。CPAP監(jiān)控和記錄病人在睡眠時的呼吸數(shù)據(jù)，在需要的時候幫助病人呼吸。

　　松宮正人先生還指出：“目前，自動CPAP使用SRAM存儲數(shù)據(jù)，但使用FRAM就不需要為保存SRAM上的數(shù)據(jù)所需要的電池。一些CPAP使用EEPROM來儲存設備的初始參數(shù)，但是使用FRAM存儲這些參數(shù)并記錄數(shù)據(jù)，連EEPROM也不用了。”

　　最后，在助聽器中使用FRAM能夠降低更換電池的頻率和減少噪聲。現(xiàn)在的助聽器可以根據(jù)每個人的使用情況進行調整以達到最優(yōu)的性能。制造商用一個記錄系統(tǒng)來登記這些信息，相比使用EEPROM來記錄信息，使用FRAM可以更快地寫入數(shù)據(jù)，且耗能更少。例如，以同樣的頻率寫入64字節(jié)的數(shù)據(jù)，F(xiàn)RAM的寫入速度比EEPROM快20倍，功耗只有后者的1/140，這意味著更換電池的頻率更低。

　　FRAM還有另一個獨特的優(yōu)勢，那就是能夠減少存儲器在寫入數(shù)據(jù)時的噪聲。EEPROM要使用內部的10V的高電壓來擦除和在存儲器中寫入數(shù)據(jù)。在寫入時，這個高供電電壓會在電路中產(chǎn)生噪聲，會轉換成助聽器使用者可以聽到的重復噪聲。如果使用FRAM，就不需要高電壓來擦除和寫入數(shù)據(jù)，這個問題迎刃而解。