動態

• 發布了文章 2024-09-05 11:29

  全球半導體行業迎來強勁復蘇，AI浪潮成關鍵驅動力

  

  據美國半導體產業協會(SIA)發布的最新數據顯示，7月全球半導體行業銷量實現了顯著增長，當月銷售額飆升至513億美元，較去年同期的432億美元大幅增長了18.7%，環比增長也達到了2.7%。這一積極信號標志著半導體市場在經歷了一段時間的波動與挑戰后，正式步入復蘇快車道。這一輪復蘇的背后，AI人工智能技術的蓬勃發展無疑扮演了至關重要的角色。隨著AI技術的不斷突

  AI 半導體 芯片

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• 發布了文章 2024-09-05 11:25

  同步整流如何提升電源轉換器的性能和效率

  

  同步整流(Synchronous Rectification，簡稱SR)是一種電源設計技術，通過用MOSFET替代傳統二極管來提高效率和性能。與使用肖特基二極管的非同步轉換器不同，SR使用MOSFET代替二極管，從而減少電壓降和功率損耗。

  二極管 同步整流 電源轉換器

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• 發布了文章 2024-09-03 10:39

  羅姆半導體推動SiC MOSFET技術進步，與吉利汽車展開深度合作

  

  近日，羅姆半導體(ROHM)宣布其第四代SiCMOSFET成功應用于吉利電動車品牌極氪的三款車型中，標志著雙方合作進入了一個新的發展階段。這項合作不僅展示了羅姆在SiC技術領域的持續創新，也為電動汽車行業提供了更高效的解決方案。吉利與羅姆的合作已持續六年，此次合作的亮點在于首次將SiC元件引入極氪車型。具體而言，這三款車型包括了運動型多功能車(SUV)“X”

  MOSFET SiC 羅姆半導體

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• 發布了文章 2024-09-03 10:37

  如何通過創新封裝技術提升功率器件性能

  

  由于對提高功率密度的需求，功率器件、封裝和冷卻技術面臨獨特的挑戰。在功率轉換過程中，高溫和溫度波動限制了設備的最大功率能力、系統性能和可靠性。本文將總結兩種不同的技術，以最大化功率模塊和器件的熱性能和功率密度。非隔離芯片組裝與直接液冷半導體功率模塊通常由安裝在直接銅鍵合(DCB)基板上的功率器件芯片組成。對于中高功率模塊，這種基板一般是電絕緣陶瓷，如氧化鋁(

  功率器件 功率模塊 芯片

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• 發布了文章 2024-08-30 11:11

  廣東建工投資18.46億元興建398MW光伏發電項目

  

  近日，廣東建工宣布將通過旗下全資子公司廣東水電二局的全資子公司東南粵水電，投資興建一個規模可觀的光伏發電項目。這一項目位于韶關市湞江區花坪鎮犁市鎮，規劃總容量為398MW，預計總投資額高達18.46億元人民幣。據悉，該光伏電站建設期預計為12個月，完成后將進入長達25年的生產運行期。項目規劃周密，共分為20個子項目，總備案容量達到398MW，彰顯了其龐大的發

  光伏發電 發電量 能源

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• 發布了文章 2024-08-30 11:03

  突破性電流傳感器技術：實現高精度與低功耗的完美結合

  

  電流測量是評估、控制和診斷電子系統運行效率中最常見的參數之一。盡管電流測量非常普遍，但設計人員在測量電流時，若低估了多個變量的細微差別，可能會導致問題。頂尖工程師使用碳化硅MOSFET模塊設計高度效率的逆變器，以滿足以下設計標準。電流傳感器也需要設計成低功耗和緊湊的尺寸，因為這是最重要的設計標準。電流傳感器的測量方法電流測量主要有兩種技術：分流電阻和霍爾效應

  測量 電子系統 電流傳感器

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• 發布了文章 2024-08-29 11:47

  小米重新投入芯片自主研發，預計2025年將推出手機定制SoC

  

  近日，有業內消息人士爆料稱，小米正在積極開發自有芯片，這一消息無疑讓業界為之一振。預計在2025年上半年，小米將正式推出其首款定制手機SoC芯片解決方案。這一舉措不僅標志著小米在移動芯片領域邁出關鍵一步，也表明其在自主芯片研發之路上正穩步推進。根據爆料信息，小米研發的這款芯片性能水平將與高通驍龍8Gen1相當。眾所周知，驍龍8Gen1是高通2021年底發布的

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• 發布了文章 2024-08-29 11:45

  如何有效減輕高壓電動汽車柵極驅動器的故障

  

  高壓柵極驅動器在確保電動汽車的電力流動可靠控制方面至關重要。從控制逆變器的IGBT或MOSFET的開關到監測和管理電池的充電狀態、健康狀況和熱條件，高壓驅動器確保對開關事件的精確控制。電動機控制單元和車載充電器也受益于這些驅動器，使其成為電動汽車功能的重要組成部分。然而，這些高壓驅動器并非完全不易故障，讓我們來看看這些故障及其解決方案。柵極驅動器中的過電壓和

  柵極驅動器 電動汽車 驅動器 高壓

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• 發布了文章 2024-08-28 10:58

  GaN HEMT技術引領儲能系統革命，國內企業積極布局

  

  隨著5G通信和電力電子技術的迅猛發展，氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaNHEMT)憑借其卓越的物理和化學特性，逐漸成為儲能系統和電力電子器件的重要材料。業內專家指出，GaNHEMT的高開關頻率和低導通電阻，使其在DC-DC轉換器、逆變器和整流器等應用中表現優異，有望顯著提升儲能系統的整體效率，減少能量損失。GaNHEMT作為一種新型半導體材料，具有出色的電氣特

  GaN 儲能系統 晶體管

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• 發布了文章 2024-08-28 10:57

  如何通過低功耗電子技術應對能源挑戰與環境危機

  

  低功耗電子學是一個迅速發展的領域，對于解決當今的能源挑戰至關重要。從手機到電動車，所有設備都參與了這一進步。效率是這一領域的核心理念，引導著低功耗設計的關鍵原則，采用新興技術和策略，以最大化所有電氣和電子應用中的能效。使用能耗較低的設備顯然比使用高能耗的設備更為有利，原因多種多樣，包括熱量散失、電費成本、空氣污染和電池續航。設計一款關注低能耗的設備無疑意味著

  低功耗 電子元件 能源

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