深圳市浮思特科技有限公司文章

• 韓國財政部計劃大規(guī)模支持芯片制造業(yè) 應(yīng)對全球競爭挑戰(zhàn)2024-11-28 11:22

  

  近日，韓國財政部正式宣布，將于2025年向國內(nèi)芯片制造商提供高達(dá)14.3萬億韓元(約合102億美元)的低息貸款，以應(yīng)對全球市場競爭和不斷變化的政策環(huán)境。這一舉措體現(xiàn)了韓國政府對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重視，旨在進(jìn)一步鞏固韓國作為全球半導(dǎo)體制造重心的地位。韓國是全球領(lǐng)先的存儲芯片制造國，三星電子和SK海力士等知名企業(yè)在國際市場上占據(jù)著重要份額。近年來，隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)

  半導(dǎo)體 芯片制造 68瀏覽量

• 電力電子的熱管理未來趨勢與挑戰(zhàn)！2024-11-28 11:20

  

  在快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域，熱管理已成為確保設(shè)備可靠性、效率和耐久性的重要因素。這在電動車等能源密集型行業(yè)尤為相關(guān)，其中碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)電子電路解決方案，如逆變器、變換器和充電電路，正在徹底改變行業(yè)格局。引言SiC和GaN器件相比傳統(tǒng)硅開關(guān)提供了更高的性能水平，得益于它們能夠在更高的電壓和頻率下運行，并減少開關(guān)損耗。因此，它們可以在比過去的電

  熱管理 電力電子 電子電路 設(shè)備 54瀏覽量

• 下一代光伏優(yōu)化器采用eGaN FET和專用ASIC控制器2024-11-27 11:33

  

  低功率商業(yè)和住宅光伏系統(tǒng)主要有兩種配置。第一種配置是微型逆變器，在每個安裝的面板上使用一個逆變器，確保每個面板都能充分發(fā)揮其能源潛力。第二種配置是串聯(lián)逆變器，它將多個面板連接在一起，并接入一個中心逆變器。然而，當(dāng)一個或多個面板被遮擋時，這種設(shè)置在能量收集方面表現(xiàn)不佳。為了解決這個問題，出現(xiàn)了一種創(chuàng)新的增強(qiáng)解決方案：優(yōu)化器。這是一種優(yōu)化每個面板能量收集的電力模

  asic 光伏 控制器 65瀏覽量

• 意法半導(dǎo)體2024年業(yè)績報告,前九月MCU銷量大幅下滑2024-11-26 11:19

  

  近日，意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)公布了其2024年前九個月的業(yè)績報告，數(shù)據(jù)顯示，其微控制器(MCU)銷量同比下降了41.3%，僅為25.8億美元，遠(yuǎn)低于2023年同期的44億美元。這一顯著的下滑引發(fā)了行業(yè)的關(guān)注，尤其是在全球半導(dǎo)體市場競爭加劇的背景下。在巴黎舉行的資本市場日上，ST公司首席執(zhí)行官RemiEl-Ouazzane對業(yè)績下滑

  mcu 意法半導(dǎo)體 106瀏覽量

• 提升電力電子效率：功率MOSFET的應(yīng)用與選擇指南2024-11-26 11:17

  

  現(xiàn)代電子應(yīng)用需要高開關(guān)頻率以實現(xiàn)相應(yīng)的高效率。功率MOSFET是電力密集型應(yīng)用中的重要組成部分。它們具有相對較低的門電荷，使其非常適合中高功率的應(yīng)用場景。這種較低的門電荷減少了驅(qū)動電流的要求，從而能夠?qū)崿F(xiàn)高頻率和更高的效率。本文探討了中功率MOSFET在各種應(yīng)用中的優(yōu)勢、局限性及選擇時的考慮因素。功率MOSFET在電子應(yīng)用中的角色功率MOSFET通常根據(jù)其擊

  MOSFET 功率 電力電子 93瀏覽量

• 第三季度IC銷售額增長12%，AI投資驅(qū)動半導(dǎo)體市場復(fù)蘇2024-11-25 11:38

  

  近日，國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)發(fā)布了其最新的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)報告，顯示2024年第三季度集成電路(IC)的銷售額相比于上個季度實現(xiàn)了12%的顯著增長。這一增長主要受到人工智能(AI)資料中心投資需求強(qiáng)勁的推動，反映出市場對高性能計算和數(shù)據(jù)處理能力的持續(xù)關(guān)注。報告指出，AI技術(shù)的快速發(fā)展及其在各行業(yè)的廣泛應(yīng)用，極大地推動了對IC的需求。隨著越來越多的企業(yè)開始將

  AI IC 半導(dǎo)體 248瀏覽量

• 如何通過建模與仿真提升電力電子組件的設(shè)計與性能?2024-11-25 11:35

  

  建模過程被稱為建模，而仿真被定義為使用模型研究實際或理論系統(tǒng)的行為和性能的過程。在仿真中，模型可以用于研究系統(tǒng)的現(xiàn)有或擬議特性。對于大型互聯(lián)系統(tǒng)的仿真，建模方法被證明是非常有效的。這篇文章介紹了解電力電子組件建模與仿真的基礎(chǔ)知識，以及建模與仿真工作中的優(yōu)缺點。圖1建模與仿真的概述建模與仿真概念涉及使用模型作為仿真的基礎(chǔ)，以開發(fā)用于決策的數(shù)據(jù)，這些數(shù)據(jù)涉及技術(shù)

  仿真 電力電子 集成電路 88瀏覽量

• Nexperia與科世達(dá)達(dá)成合作 共同推進(jìn)汽車應(yīng)用寬帶隙器件的生產(chǎn)2024-11-06 11:58

  

  近日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司Nexperia宣布與知名汽車供應(yīng)商科世達(dá)(KOSTAL)建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。這一合作將專注于開發(fā)和生產(chǎn)符合汽車行業(yè)嚴(yán)格規(guī)范的寬帶隙(WBG)電力電子器件，特別是針對電動汽車(EV)車載充電器(OBC)的應(yīng)用需求。該合作不僅展現(xiàn)了兩家公司的技術(shù)實力和市場前瞻性，同時也為電動汽車行業(yè)的可持續(xù)發(fā)展提供了強(qiáng)有力的支持。隨著全球環(huán)境問題日

  Nexperia 寬帶隙器件 汽車 科世達(dá) 240瀏覽量

• 浮思特 | 第四代場阻止型IGBT的抗鎖定能力和超越硅材極限的性能2024-11-06 11:55

  

  由于其低導(dǎo)通損耗和開關(guān)能量損耗，IGBT廣泛應(yīng)用于高功率應(yīng)用領(lǐng)域，如電源、馬達(dá)驅(qū)動逆變器和電動汽車等。對更先進(jìn)功率器件的需求促使了新型硅基開發(fā)及寬禁帶材料開發(fā)的努力，以實現(xiàn)超越硅的理想特性。從MOS柵極的高電子注入效率是必需的為了將IGBT硅材料推向極限，需要從MOS柵極實現(xiàn)極高的電子注入效率，同時孔載流子注入應(yīng)僅限于對導(dǎo)電調(diào)制的貢獻(xiàn)水平。對于Fairchi

  IGBT MOS 功率器件 205瀏覽量

• 英飛凌推出新款CoolGaN™晶體管，促進(jìn)高壓器件市場發(fā)展2024-11-05 11:18

  

  英飛凌科技股份公司近日宣布推出其全新的高壓分立器件系列——CoolGaN™晶體管650VG5，進(jìn)一步豐富了其氮化鎵(GaN)產(chǎn)品組合。這一新產(chǎn)品系列的推出，不僅為消費和工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS)提供了新的技術(shù)選擇，也為諸如USB-C適配器、充電器、照明系統(tǒng)、電視、數(shù)據(jù)中心和電信整流器，以及可再生能源和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動等廣泛應(yīng)用提供了支持。CoolGaN

  晶體管 英飛凌 高壓器件 271瀏覽量