聯(lián)訊儀器文章

• 國(guó)產(chǎn)源表的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用前景分析：聯(lián)訊儀器參數(shù)對(duì)比2023-07-19 16:44

  

  在電子測(cè)試和測(cè)量領(lǐng)域，源表是重要的工具，無(wú)法或缺。國(guó)產(chǎn)源表如聯(lián)訊儀器S3022F和S3012H在性能和功能方面已經(jīng)能夠與進(jìn)口源表相媲美。 首先，進(jìn)口源表以其高精度、穩(wěn)定性和多功能性而聞名。然而，近年來(lái)，國(guó)產(chǎn)源表取得了顯著發(fā)展，不斷提升性能和質(zhì)量。

  SMU 測(cè)量 源表 2232瀏覽量

• 新品 | 聯(lián)訊儀器全新推出低泄漏電流開(kāi)關(guān)矩陣RM1010-LLC2023-05-21 08:32

  

  在半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)研發(fā)或者半導(dǎo)體晶圓封測(cè)過(guò)程中需要進(jìn)行電性能參數(shù)的表征，這些測(cè)量需要將精密源表(Source/MeasureUnit），LCR表（LCRMeter），數(shù)字萬(wàn)用表(DigitalMulti-Meter）等多種精密儀器組成自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)，測(cè)量非常低的電流，皮安或更小，測(cè)試系統(tǒng)中任何漏電流的存在都會(huì)對(duì)測(cè)試結(jié)果造成很大影響。聯(lián)訊儀器低漏電流開(kāi)關(guān)矩陣R

  開(kāi)關(guān)矩陣 晶圓 漏電流 886瀏覽量

• 新品 | 聯(lián)訊儀器 PXIe 精密源表S2013C，高速高精度測(cè)量！2023-05-04 17:26

  

  聯(lián)訊儀器PXIe源測(cè)量單元(SMU)集成高精度源和測(cè)量單元，可利用PXIe源測(cè)量單元構(gòu)建高密度并行測(cè)試系統(tǒng)，以滿足大規(guī)模半導(dǎo)體集成電路的高通道密度，并增加配置的靈活性，最大化測(cè)試效率，降低測(cè)試成本。

  SMU 數(shù)字源表 測(cè)量 752瀏覽量

• 全新升級(jí) | DCA6201-支持單波100G PAM4及50G PON眼圖測(cè)試2023-03-28 18:06

  

  聯(lián)訊儀器DCA6201采樣示波器最多支持4路53Gbaud PAM4 眼圖測(cè)試，結(jié)構(gòu)緊湊，成本低，測(cè)試速度快，適合400G / 800G 光模塊的研發(fā)和批量生產(chǎn)

  DCA pam4 示波器 1548瀏覽量

• 新品 ┃ 聯(lián)訊儀器全新推出200V PXIe 精密源表S2012C2023-01-30 14:32

  

  聯(lián)訊儀器全新推出PXIe精密電源/測(cè)量單元S2012C。其最小測(cè)量分辨率達(dá)10fA/100nV，輸出電壓高達(dá)±200V。

  SMU 數(shù)字源表 1052瀏覽量

• 聯(lián)訊儀器 | 推出25G/50G突發(fā)誤碼儀2022-12-04 09:18

  

  聯(lián)訊rBT2250突發(fā)誤碼儀隨著10GPON網(wǎng)絡(luò)部署和實(shí)施，下一代50GPON網(wǎng)絡(luò)的標(biāo)準(zhǔn)也已經(jīng)完善：2018年，ITU/FSAN啟動(dòng)了基于單波長(zhǎng)50GPON標(biāo)準(zhǔn)的制定工作，命名為G.HSP（G.HigherSpeedPON）。2019年，50GPON的總體需求G.9804.1發(fā)布，明確了單波長(zhǎng)TDMPON架構(gòu)，以及上下行速率組合，此外，50GPON需要滿足與

  PON 儀器 誤碼儀 1072瀏覽量

• 聯(lián)訊儀器 | CoC全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)CT62012022-12-02 09:17

  

  “半導(dǎo)體激光器通常根據(jù)老化前（Pre-BurnIn）及老化后（PostBurn-In）測(cè)量的一個(gè)或多個(gè)關(guān)鍵運(yùn)行參數(shù)的變化進(jìn)行篩選，剔除早期失效，提高產(chǎn)品可靠性，這些參數(shù)通常包括閾值電流，在特定工作條件下的輸出光功率，達(dá)到特定輸出光功率所需要的電流，斜線效率以及光譜特性等等。聯(lián)訊儀器CoC測(cè)試聯(lián)訊儀器全自動(dòng)CoC測(cè)試系統(tǒng)CT6201，與聯(lián)訊儀器BI6201老化

  測(cè)試 激光器 激光器件 901瀏覽量

• 聯(lián)訊儀器 | CoC老化系統(tǒng)2022-11-30 09:14

  

  “半導(dǎo)體激光器是光收發(fā)模塊核心器件，其穩(wěn)定性直接影響模塊的產(chǎn)品質(zhì)量，CoC老化測(cè)試是一種有效的剔除早期CoC產(chǎn)品失效的篩選方法。聯(lián)訊儀器CoC老化測(cè)試設(shè)備通過(guò)控制老化溫度，老化電流，老化時(shí)長(zhǎng)等測(cè)試條件，對(duì)老化前后的激光器功率變化，閾值變化等進(jìn)行評(píng)估，將產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造中的材料缺陷，加工缺陷等及早篩選出來(lái)，提高了進(jìn)入后端工序的產(chǎn)品的可靠性！聯(lián)訊儀器CoC老化聯(lián)訊儀

  儀器 系統(tǒng) 1657瀏覽量

• 400G以太網(wǎng)光模塊發(fā)展及聯(lián)訊測(cè)試方案2022-11-20 09:25

  

  云計(jì)算，VR/AR，AI，5G等技術(shù)的應(yīng)用對(duì)流量的需求非常大，流量的爆炸性增長(zhǎng)需要更高的帶寬，其中數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)傳輸距離通常較短，但是對(duì)帶寬需求更大。目前，數(shù)據(jù)中心不同機(jī)房間的互聯(lián)以及多個(gè)數(shù)據(jù)中心之間的互聯(lián)場(chǎng)景正逐步向400G甚至800G光模塊演進(jìn)。400G以太網(wǎng)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)發(fā)展IEEE802.3工作組主要側(cè)重以太網(wǎng)物理接口的標(biāo)準(zhǔn)化工作，截止到目前已經(jīng)發(fā)布了一系列

  以太網(wǎng) 光模塊 測(cè)試 1582瀏覽量

• 聯(lián)訊儀器裸Die半導(dǎo)體激光器芯片測(cè)試機(jī)2022-11-20 09:23

  

  芯片良率是影響企業(yè)成本的重要因素之一，半導(dǎo)體激光器屬于化合物半導(dǎo)體，其主要材質(zhì)以非常脆的砷化鎵、磷化銦為主，在其制備的各個(gè)工藝環(huán)節(jié)，良品率不高是一個(gè)普遍問(wèn)題。以國(guó)外知名芯片企業(yè)為例，其生產(chǎn)能達(dá)到70%以上良率，但后道封裝以及最終產(chǎn)品嚴(yán)格判定標(biāo)準(zhǔn)等累計(jì)具有30%良率的損失。良品率不高，就需要專用的測(cè)試裝備對(duì)不良品進(jìn)行篩選，國(guó)內(nèi)在此領(lǐng)域原先一直停留在低端的Bar

  激光器 芯片 芯片測(cè)試 1548瀏覽量