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羅姆半導體集團

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升壓型DC-DC轉換器關斷時的工作

本文的關鍵要點 ? ?二極管整流升壓型DC-DC轉換器關斷時,輸出不會變為0V,而是會輸出VIN-V....
的頭像 羅姆半導體集團 發表于 11-24 11:49 ?67次閱讀
升壓型DC-DC轉換器關斷時的工作

ROHM先進電源技術Nano系列研討會回顧

近日,“解決電源IC困擾的ROHM先進電源技術Nano系列”在線研討會得到了大家的支持,再次謝謝大家....
的頭像 羅姆半導體集團 發表于 11-13 14:02 ?181次閱讀

ROHM推出第四代1200V IGBT

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車載電動壓縮機、HV加熱器、工業設備用逆變器等....
的頭像 羅姆半導體集團 發表于 11-13 13:55 ?218次閱讀
ROHM推出第四代1200V IGBT

羅姆激光二極管RLD8BQAB3產品特點

RLD8BQAB3是面向LiDAR等距離測量和空間識別應用開發而成的超小型表面貼裝型125W高輸出功....
的頭像 羅姆半導體集團 發表于 11-08 14:26 ?172次閱讀
羅姆激光二極管RLD8BQAB3產品特點

電裝和羅姆簽署戰略合作協議

株式會社電裝(總部位于日本愛知縣刈谷市,社長:林 新之助,公司名以下簡稱“電裝”)和ROHM Co.....
的頭像 羅姆半導體集團 發表于 10-24 10:51 ?437次閱讀

LED的種類以及其特點

LED在我們生活中的應用非常廣泛,除了可以用作照明、開關、傳感器和背光源之外,還可以用于戶外顯示屏和....
的頭像 羅姆半導體集團 發表于 10-17 10:13 ?716次閱讀
LED的種類以及其特點

LED的發光原理解析

當電流流過半導體晶片時,p型半導體的空穴和n型半導體的電子復合,使LED發光。
的頭像 羅姆半導體集團 發表于 10-11 15:02 ?858次閱讀
LED的發光原理解析

羅姆半導體LiDAR技術研討會精彩回顧

日前,“高輸出功率激光二極管-助力LiDAR的性能提升”在線研討會得到了大家的支持,再次謝謝大家的熱....
的頭像 羅姆半導體集團 發表于 10-11 14:57 ?315次閱讀

利用硅半導體技術同時實現了小型化和高性能的ROHM首款硅電容器

市場發展趨勢和開發歷程 近年來,隨著智能手機等設備的功能增加和性能提升,對小型、薄型且支持高密度安裝....
的頭像 羅姆半導體集團 發表于 08-09 18:28 ?15328次閱讀
利用硅半導體技術同時實現了小型化和高性能的ROHM首款硅電容器

支持電子設備進一步降低功耗的第5代平面型肖特基勢壘二極管

ROHM第5代平面肖特基勢壘二極管的效率比上一代產品又提高了25%,有助于進一步提高開關電源的效率。
的頭像 羅姆半導體集團 發表于 08-09 15:21 ?12905次閱讀
支持電子設備進一步降低功耗的第5代平面型肖特基勢壘二極管

解讀ROHM的長期供貨計劃 致力于讓客戶放心評估和采用ROHM產品

如今,半導體已經成為我們生活中不可或缺的一部分。工業設備、基礎設施、汽車和家用電器等電氣產品和電子設....
的頭像 羅姆半導體集團 發表于 08-09 10:16 ?466次閱讀

圖騰柱PFC電路的工作原理

繼前一篇的“裝入牽引逆變器實施模擬行駛試驗”之后,本文將介紹在相同的BEV電源架構的組成模塊之一—O....
的頭像 羅姆半導體集團 發表于 08-05 16:59 ?3034次閱讀
圖騰柱PFC電路的工作原理

ROHM CMOS運算放大器TLR377GYZ的產品特點

ROHM面向智能手機和小型物聯網設備等應用開發出一款超小型封裝的CMOS運算放大器“TLR377GY....
的頭像 羅姆半導體集團 發表于 07-24 15:35 ?301次閱讀
ROHM CMOS運算放大器TLR377GYZ的產品特點

IGBT IPM控制電源欠壓誤動作防止功能

控制電源電壓欠壓誤動作防止電路(UVLO),在控制電源電壓下降到規定電壓以下時會啟動。
的頭像 羅姆半導體集團 發表于 07-24 14:30 ?386次閱讀
IGBT IPM控制電源欠壓誤動作防止功能

2024ALE車燈展ROHM產品介紹

近日,ROHM亮相第十九屆汽車燈具產業發展技術論壇暨上海國際汽車燈具展覽會(簡稱ALE),展出了包括....
的頭像 羅姆半導體集團 發表于 07-17 15:46 ?608次閱讀
2024ALE車燈展ROHM產品介紹

低邊開關所需的最小開關電流容量探討

升壓型DC-DC轉換器的最大輸出電流不僅僅取決于低邊開關的電流容量。升壓比、轉換效率和電感紋波電流等....
的頭像 羅姆半導體集團 發表于 07-17 14:22 ?307次閱讀
低邊開關所需的最小開關電流容量探討

電感和升壓比對最大輸出電流的影響

在上一個主題中,我們假設電感紋波電流是最大輸入電流的30%,但電感紋波電流的值會受開關頻率、電感值、....
的頭像 羅姆半導體集團 發表于 07-11 15:23 ?638次閱讀
電感和升壓比對最大輸出電流的影響

ROHM開發出新型二合一SiC封裝模塊TRCDRIVE pack

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向300kW以下的xEV(電動汽車)用牽引逆變器....
的頭像 羅姆半導體集團 發表于 06-19 14:28 ?594次閱讀
ROHM開發出新型二合一SiC封裝模塊TRCDRIVE pack

IGBT IPM的短路電流保護功能

短路電流保護功能(SCP)是通過在IPM外部連接分流電阻并將電阻產生的電壓反饋至CIN引腳電路的功能....
的頭像 羅姆半導體集團 發表于 06-17 11:38 ?828次閱讀
IGBT IPM的短路電流保護功能

ROHM開發出世界超小CMOS運算放大器

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發出一款超小型封裝的CMOS運算放大器“TLR3....
的頭像 羅姆半導體集團 發表于 06-12 14:23 ?494次閱讀
ROHM開發出世界超小CMOS運算放大器

ROHM推出超低阻值5W大功率平面貼片型6432尺寸分流電阻器

ROHM面向車載設備、工業設備和消費電子設備的電機控制電路和電源電路等應用,在標準型6432尺寸(6....
的頭像 羅姆半導體集團 發表于 05-29 14:15 ?1135次閱讀
ROHM推出超低阻值5W大功率平面貼片型6432尺寸分流電阻器

SiC MOSFET:通過波形的線性近似分割來計算損耗的方法

首先,計算開通和關斷時間內消耗的功率損耗Pton和Ptoff。波形使用圖1中的示例波形。功率損耗使用....
的頭像 羅姆半導體集團 發表于 05-29 14:13 ?1106次閱讀
SiC MOSFET:通過波形的線性近似分割來計算損耗的方法

淺析適用于發展中的工業設備的Sub-GHz無線通信

智能儀表、火災報警器和安防系統等服務我們生活的各種設備,已經開始使用一種被稱為“Sub-GHz無線通....
的頭像 羅姆半導體集團 發表于 05-22 14:33 ?433次閱讀
淺析適用于發展中的工業設備的Sub-GHz無線通信

ROHM開始提供業界先進的“模擬數字融合控制”電源解決方案

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向中小功率(30W~1kW級)的工業設備和消費電....
的頭像 羅姆半導體集團 發表于 05-08 14:53 ?482次閱讀

羅姆集團旗下的SiCrystal GmbH將擴大150mm SiC晶圓長期供應合同

全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)和為各種電子設備提供半導體的全球....
的頭像 羅姆半導體集團 發表于 05-08 14:50 ?478次閱讀

降壓型DC-DC轉換器與升壓型DC-DC轉換器的輸出紋波差異

關于降壓型和升壓型DC-DC轉換器的輸出紋波差異,我們將分“降壓型DC-DC轉換器的輸出紋波電壓”和....
的頭像 羅姆半導體集團 發表于 04-24 10:04 ?1514次閱讀
降壓型DC-DC轉換器與升壓型DC-DC轉換器的輸出紋波差異

ROHM開始開發一種新的機器人移動技術“NoMaDbot”

在制造和物流行業,AGV(自動搬運機器人)和 AMR(自主移動機器人)的應用越來越廣泛。由于勞動力短....
的頭像 羅姆半導體集團 發表于 04-24 10:02 ?645次閱讀
ROHM開始開發一種新的機器人移動技術“NoMaDbot”

在EV中使用第4代SiC MOSFET:裝入牽引逆變器實施模擬行駛試驗

使用電機試驗臺的測試結果,按照油耗測試方法WTLC進行了模擬行駛仿真,確認了第4代SiC MOSFE....
的頭像 羅姆半導體集團 發表于 04-17 14:06 ?571次閱讀
在EV中使用第4代SiC MOSFET:裝入牽引逆變器實施模擬行駛試驗

ROHM開發出集VCSEL和LED特點于一體的紅外光源VCSELED?

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)確立了一項通過激光用樹脂光擴散材料將垂直腔面發射激....
的頭像 羅姆半導體集團 發表于 04-17 14:04 ?418次閱讀
ROHM開發出集VCSEL和LED特點于一體的紅外光源VCSELED?

ROHM推出3款電阻值分別為0.5mΩ、1.0mΩ、1.5mΩ的新產品

全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車載設備、工業設備和消費電子設備的電機控制電路....
的頭像 羅姆半導體集團 發表于 04-10 14:17 ?439次閱讀
ROHM推出3款電阻值分別為0.5mΩ、1.0mΩ、1.5mΩ的新產品