自上世紀90 年代以來, 隨著LED 顯示技術設計制造水平的不斷提高,LED 數字屏逐漸在生產和生活中大量使用,LED 數字屏以其特有的顯示介質, 在大面積, 全天候, 高亮度和超高亮度顯示屏領域凸現優勢。LED 顯示技術發展的十幾年中, 新器件和新技術不斷采用, 制造成本逐漸降低, 生產分工不斷細化, 但大量應用的同時也暴露出LED 顯示技術的若干缺陷, 總體上技術尚未成熟, 標準尚未完全建立, 有許多方面值得進行更深入的研究與改進。
隨著大規模集成電路的迅猛發展, 微處理器的運算、控制能力大大增加, 單片計算機已在很多工業及民用系統中承擔智能化的任務, 與迅猛發展的運算速度相比, 其端口擴展能力則遜色得多( 數目有限且擴展困難), 因此研發過程中不得不在節省端口上投入大量精力, 目前國內為解決端口擴展問題可采用軟件處理的方式,這樣加重了軟件編寫的難度,或采用擴展端口的專用芯片。這兩種方法將引起軟件成本的提高或硬件電路復雜度的提高,不利于一些小型系統的研發,STC12C5A60S2單片機具有多種串行傳輸模式, 在一定程度上解決了這個矛盾。
LED 數字屏應用非常廣泛, 不僅能顯示文字, 還能顯示各種圖形、圖表, 甚至各種動畫效果, 是廣告宣傳、新聞傳播的有力工具。
本文采用STC12C5A60S2 單片機、接口NAND 閃存和上位PC 機,實現了對16×128 點陣LED 數字屏的控制。
1 芯片選型
1.1 屏體
由于屏體是商業成品, 因此系統芯片的選型首選為能與屏體配合的芯片。屏體自備電源, 能直接將蓄電池的能量轉變為5 V 的直流電源, 并且這個電源也通過屏體的接口電纜輸出到系統板上。因此系統可直接引用該電源, 不必自備電源電路。
1.2 單片機
綜合考慮屏體和系統需求, 選用國內宏晶科技生產的單時鐘/機器周期(1T) 的單片機STC12C5A60S2。
STC12C5A60S2 是新一代高速8051 單片機, 其指令代碼完全兼容傳統8051, 但速度快8~12 倍。內部集成MAX810 專用復位電路, 其工作電壓范圍是3.5 V~5.5 V,滿足要求的電壓。由于是單周期的8051 ( 傳統8051 是12 周期), 可選擇較易于獲得準確波特率的11.059 2 MHz晶振, 而不必擔心工作速度降低。
STC12C5A60S2 有60 KB 的用戶應用程序空間,256 B的RAM 和1024 B 的XRAM.能滿足程序代碼的需求和緩沖區定義的需求。另有與程序存儲空間獨立的一片閃存區域, 可在應用編程中作EEPROM 使用。
STC12C5A60S2 有雙UART 以及ISP 串口, 串口資源足夠系統使用。另外通過宏晶科技提供的軟件, 使用UART 可很容易地實現程序下載。STC12C5A60S2 有36個通用I/O 口, 大部分可位控, 并具有強推挽輸出的能力, 足夠系統使用。
STC12C5A60S2 有4 個16 bit 定時器和一個獨立的波特率發生器, 另外還有兩個PCA 模塊, 能獲得豐富的定時器資源。STC12C5A60S2 有PDIP-40 封裝的芯片, 易于快速進入實驗。
1.3 閃存
因為16 ×16 點陣的漢字庫容量在250 KB 左右, 而MCS51 的尋址空間只有64 KB.接口大于64 KB 容量的普通存儲芯片就必須進行總線擴展, 采用兩次鎖存地址的方法來讀寫, 既需要復雜的電路, 又占用較長的存取時間。同樣,NOR 閃存與EPROM 的引腳結構相類似, 有同樣的接口復雜性, 成本也十分高。要實現單片機與字庫芯片的簡單接口( 不需擴展) , 只能選用串行結構的存儲器或命令、地址和數據復用總線結構的存儲器。
串行結構的存儲器多為EEPROM, 沒有很大的容量, 不適合做字庫芯片。因此只有選用命令、地址和數據復用總線的NAND 閃存作為字庫存儲芯片。
字庫所需的容量不大, 但最好能5 V 供電, 且編程的緩存要求較小的芯片。SAMSUNG 公司出品的K9F4008W 是一款512 KB 的NAND 閃存, 僅有8 個IO端口, 且工作電壓范圍較廣(3 V~5.5 V), 可以兼容3 V 和5 V 的硬件系統, 并且幀編程時僅需要32 B 的緩沖, 正適合作為字庫存儲的芯片。
因此, 閃存芯片的可電擦寫特性頁非常適用于需要更換字庫的場合。故該芯片是十分理想的漢字庫存儲器。
2 電路設計
根據系統整體結構設計的電路的原理圖如圖1 所示。
3 總體設計
3.1 屏體接口模塊
屏體接口包括屏體接口頭文件、屏幕緩沖區的定義、屏體接口初始化、刷新定時器中斷服務程序和SPI中斷服務程序幾個部分。
屏體接口的頭文件screen.h 應該使屏幕緩沖區對其他應用可見, 并提供屏體初始化函數。具體定義如下:
#ifndef _SCREEN_H_
#define _SCREEN_H_
#include “inc\board.h”
extern u8 xdata SCR_BUF[16][16];
void screen_init(void);
#endif
這樣就把屏幕緩沖區的結構暴露給應用, 但應用不必關心具體的屏幕刷新操作。
具體屏體接口的實現集中在一個文件screen.c 中定義。具體如下:
首先是屏幕緩沖區定義:
u8 xdata SCR_BUF[16][16]_at_0x0000;//~0x00ff 256Bytes其次是當前顯示行和輸出列變量定義, 屬于靜態變量, 應用程序不可見。
static u8 data row,col;
然后是屏幕初始化, 包括刷新定時器0 的初始化、SPI 的初始化、鎖存bLatch 信號的初始化、屏幕緩沖區的初始清零以及定時器和SPI 中斷的優先權和使能位的初始化代碼略。
SPI 和定時器0 的中斷服務程序是屏體接口的關鍵。
定時器0 的中斷服務程序首先進行掃描行增量取模運算,并將掃描行輸出。然后依據掃描行取出屏幕緩沖區對應行的第一個字節發送到SPI 端口。同時列增量。
void display_ONe_screen(void)interrupt 1 using 3{
row = (++row)&0x0f;
P0 = (P0 & 0xf0)|((~row)& 0xf);
col = 0;SPDAT = ~SCR_BUF[row][col++];
}
這樣編寫的屏體驅動, 應用只要在初始化屏體后,向屏幕緩沖區中寫入要顯示的數據即可, 而不必關心屏幕顯示的細節。
3.2 UART 接口
UART 接口負責與上位機的數據收發, 盡管發送可以同步進行, 但接收必須異步進行。因而UART 接口的核心仍然應該是一個中斷服務程序。
UART 接口的頭文件uart.h 隱藏了接收緩沖區的信息, 用戶可調用的函數只有初始化、發送和接收。
#ifndef _UART_H_
#define _UART_H_
void uart_init(void);
void uart_put_c(u8 ch);
u8 uart_get_c(u8 *);
#endif
UART 的接口實現首先定義一個接收緩沖FIFO, 以及對FIFO 的讀下標uart_rd 和寫下標uart_wr, 他們都是文件內可見的靜態變量:
static u8 xdata uart_buf[64];
static u8 uart_rd,uart_wr;
bit fSend
UART 的初始化包括進行FIFO 的初始化和UART格式、波特率、中斷的初始化。代碼略。
UART 的ISR 主要是服務于接收, 無條件地將數據裝入FIFO, 并調整寫入指針。
static void uart_isr(void)interrupt 4 using 1{
if(RI){RI = 0;
uart_buf[uart_wr++] = SBUF;
uart_wr &= 0x0f;
}
}
提供給用戶的發送程序首先檢測發送結束標記, 如果為0, 表示上次發送尚未結束, 直接返回錯誤信息1。
否則將要發送的信息發送并清零發送結束標記。這樣設計的發送程序, 其目的是將發送等待不限制在接口底層, 而是給上層一個決定是否等待發送結束的機會。
u8 uart_put_c(u8 ch){
if(! TI)return 1;
TI = 0;SBUF = ch; return 0;
}
同樣, 接收程序也給上層一個選擇等待的機會。接收函數首先判斷接收FIFO 是否為空, 如果為空或輸入指針參數錯誤, 則直接返回錯誤, 否則才從FIFO 中讀取數據并將數據存儲到指針指向的地址, 然后返回成功。
u8 uart_get_c(u8 *ch){
u8 i;
if(! ch)return 1;
if((i = (uart_rd+1)&0x0f) == uart_wr)return 1;
uart_rd = i; *ch = uart_buf[i];return 0;
}
3.3 閃存接口
閃存的存取有特殊的時序, 閃存的內部結構也和具體應用要求有很大的不同。因此閃存的接口需要仔細設計。
K9F4008 閃存芯片的存儲結構組織如圖2所示。
K9F4008 閃存的存儲以塊為單位, 每個芯片共有128 塊。每塊有32 行, 每行有4 個幀, 每幀含有32 B.全部芯片為512 KB。
閃存接口提供的閃存初始化函數中就包括對這樣情況的處理。初始化函數要從閃存的第一個塊中讀出一個塊映射表, 該表下標是邏輯扇區, 表內每項存儲的是該邏輯扇區對應的物理塊編號。初始化函數在必要時對閃存進行讀寫校驗, 然后將壞塊從表中刪除。再尋找新的良好塊, 將其編號填入到對應邏輯扇區的表項中。這樣對應用來說, 只見到連續的扇區編號, 而不知道扇區究竟對應到那個塊。
閃存的接口頭文件Flash.h 如下:
#ifndef _K9F4008_H_
#define _K9F4008_H_
void read_log_page(u8 sector,u8 page,u8 xdata *buf);
u8 prog_log_page(u8 sector,u8 page,u8 xdata *buf);
void erase_log_blk(u8 sector);
bit flash_init(void);
#endif
實現閃存的接口, 首先就是依據說明書的時序定義閃存的基本操作。這里是以宏定義實現基本操作的。
#define W_CMD(cmd_)\
bCLE=1; bWE=0; P2=(cmd_); bWE=1; bCLE=0
#define W_ADDR(addr1_,addr2_,addr3_)\
bALE=1; bWE=0; P2=(addr1_); bWE=1; \
bWE=0; P2=(addr2_); bWE=1; \
bWE=0; P2=(addr3_); bWE=1; \
bALE=0
#define W_DAT(dat_) bWE=0; P2=(dat_); bWE=1
#define wait_RB while(! bRB)
#define l2p(x_) fat_tbl[(x_)]
3.4 EEPROM
內部集成的EEPROM 是與程序空間分開的, 利用ISP/IAP 技術可將內部DATAFLASH 當EEPROM,擦寫次數10 萬次以上。EEPROM 可分為若干個扇區, 每個扇區包含512 B.使用時, 建議同一次修改的數據放在同一個扇區, 不是同一次修改的數據放在不同的扇區, 不一定要用滿。數據存儲器的擦除操作是按扇區進行的。
sfr IAP_DATA = 0xC2; //Flash data register
sfr IAP_ADDRH = 0xC3; //Flash address HIGH
sfr IAP_ADDRL = 0xC4; //Flash address LOW
sfr IAP_CMD = 0xC5; //Flash command register
sfr IAP_TRIG = 0xC6; //Flash command trigger
sfr IAP_CONTR = 0xC7; //Flash control register
根據使用說明對EEPROM 的寄存器進行定義。
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