摘要：敘述了L82C37A可編程DMA控制器的主要功能、制造工藝和測試，并對其基本電路及設計方法進行了簡要介紹。

　　1　概述

　　L82C37A可編程DMA控制器是一個高性能的可編程直接存取控制器，可在沒有CPU干預的情況下進行內存與外設之間的數據直接傳輸。在微機系統中，通過使用DMA操作可大大提高系統的單個或多個I/O裝置的數據傳輸速率。

　　該電路采用2.0μm硅柵CMOS全離子注入工藝制造，集成度為13500管位，芯片面積為25.12mm2，采用DIP 40 PIN 陶瓷封裝。

　　該電路具有以下特點：

　　與NMOS 82C37A兼容；

　　具有四個可編程的獨立DMA通道，每個通道具有自動初始化能力；

　　能到存儲器到存儲器間的傳輸；

　　有四種基本工作方式和三種傳輸方式；

　　任意擴展DMA通道數；

　　每個通道有64k地址和64k字節記數空間；

　　數據最高傳輸速率可達4MB/秒；

　　低功耗靜態CMOS設計，IDDSB=10μA；

　　與TTL兼容；

　　單5V電源工作；

　　工作頻率8MHz；

　　工作溫度范圍-55℃～+125℃。

　　2　邏輯結構和功能

　　2.1　L82C37A主要功能

　　L82C37A主要功能有以下七點：

　　（1）該電路有四個獨立DMA通道；

　　（2）每個通道的DMA請求都可分別允許和禁止；

　　（3）每個通道的DMA請求優先權具有固定方式和循環方式；

　　（4）每個通道一次傳送的最大長度64k字節的數據，可在存儲器與外設間進行傳送，也可在存儲器的兩個區間進行傳送；

　　（5）有四種DMA傳輸方式：①單字節傳輸方式；②數據塊傳輸方式；③請求傳輸方式；④ 級連方式。在每種方式下，都能在接收外設的請求信號DREQ后，向外設發送響應信號DACK后就可以占用總線，進行DMA傳送。每傳送一個字節，修改一次地址指針，當規定傳送的字節數送完時，發出終端計數脈沖TC，結束傳送或重新初始化；

　　（6）允許外設用EOP信號結束DMA傳送或重新初始化；

　　（7）L82C37A可以級聯，任意擴展通道數。

　　2.2　L82C37A邏輯結構

　　L82C37A的邏輯功能較為復雜，其邏輯框圖如圖1所示。圖中的通道部分只畫出了一個通道的情況，即每個通道都有一個基地址寄存器（16位）、基字節數計數器（16位）、現行地址寄存器（16位）和現行字節數計數器（16位），每一個通道都有一個6位的模式寄存器，用以控制不同的工作模式。

　　圖1　L82C37A邏輯框圖

　　L82C37A的結構中包含了三個基本的控制邏輯塊。

　　時序控制邏輯塊：根據編程規定的DMA的工作模式，產生包括DMA請求、DMA傳送及DMA結束所需要的內部時序和外部信號。

　　程序命令控制塊：對在DMA請求服務之前，CPU編程對給定的命令字和模式控制字進行譯碼，以確定DMA服務的類型。

　　優先權編碼邏輯：對同時有請求的通道進行優先權編碼，確定哪個通道的優先權最高，優先權可以是固定的，也可以是循環的。

　　另外，L82C37A的數據引線都有三態緩沖器，因而可以占用也可以釋放總線。

　　2.3　L82C37A的工作周期

　　L82C37A有兩種主要的工作周期，即空閑周期和有效周期，每一個周期由若干個時鐘周期組成。

　　（1）空閑周期

　　L82C37A在完成了一個DMA服務之后，若沒有新的DMA請求，或在主清零或硬件復位后，將進入空閑周期執行SI狀態。在每個時鐘周期它都要對通道的請求線DREQ進行采樣，在沒收到DREQ前，它將始終處于SI態。

　　在此狀態中，CPU可以查詢其狀態或對其進行編程。若 ，則CPU可以對其進行讀寫操作，可以對其基地址、基字節數、當前地址、當前字節數等寄存器進行讀/寫。此時，需通過數據總線和地址總線以及和來選擇寄存器并改寫數據。由于這四組寄存器均為16位，而數據總線是8位的，則由內部高/低位寄存器控制，將數據分成高8位和低8位，分兩次寫。另外還有些軟件命令，不通過數據總線，僅由地址A0-A3和等信號的譯碼來設置。

　　（2）有效周期

　　當外設或CPU發出DMA請求時，將跳出SI狀態進入DMA服務的第一狀態S0。此時，雖收到SREQ并發出HRQ，但在收到CPU返回HLDA信號后，L82C37A才進入由S1-S3組成的工作狀態，若外設的工作速度較慢，DMA傳送不能在S4狀態之前完成時，則可用READY線在S2或S3與S4之間插入SW狀態，直到本次傳輸結束。SW狀態是等待周期，主要是為適應慢速外設，以延長傳輸時間。

　　在存儲器至存儲器傳輸時，要作存儲器讀和寫操作，所以每一次傳輸需要8個時鐘周期，其中4個周期S11-S14完成存儲器讀，另外4個周期S21-S24完成存儲器寫操作。

　　2.4　L82C37A的工作模式

　　L82C37A在DMA傳送時有四種工作模式：

　　（1）單字節傳送方式

　　一次只傳送一個字節，每次傳輸后，字節計數器減1，并修改地址，HQR變為無效，并釋放系統總線，當字節減到0時，產生一個IC脈沖結束DMA傳送或重新初始化。

　　在這種模式下，DACK有效前，DREQ必須始終保持有效。但是，如果DREQ的有效時間比單字節傳輸所需時間還長，那么，在傳輸完一個字節后，L82C37A首先釋放總線，然后再產生一個DREQ，完成下一個字節的傳送。

　　（2）塊傳送方式

　　一經DREQ啟動，并在其發出響應信號DACK后，便進行連續的數據傳輸，直到字節計數器減到0，產生終端計數器脈沖TC，或由外部輸入一個有效的 信號，傳輸才結束。

　　在這種方式下，DREQ信號僅需要維持到DACK有效，在數據傳輸完了之后，由程序決定是結束操作還是重新初始化。如果不需要自動初始化，則數據傳送完，便自動停止操作，釋放總線。

　　（3）請求傳送方式

　　在這種方式下，L82C37A可連續地傳送數據，直到產生終端計數脈沖TC，以表示要傳送的數據傳完。此時，DREQ無效，使傳輸結束。L82C37A釋放總線，傳輸結束后，字節計數器和當前地址寄存器中，仍保持該通道傳輸結束前的最后一個值。只要外設準備好要傳遞的數據，并發出DREQ信號，則可繼續傳輸。

　　（4）級聯方式

　　這是為擴展通道數而設的一種工作方式。第二級的DRQ和HLDA信號與第一級的DREQ和DACK分別相連，第二級各片子的優先權和與其相連第一級的通道相對應。此時，第一級只起優先權網絡的作用。除了由某一個二級的請求信號通過它向CPU輸出HRQ信號外，并不輸出任何其它信號。實際的傳輸操作則由二級片子完成。若需進一步擴展通道，則同樣還可以級聯三級等等。

　　2.5　L82C37A內部基本電路

　　（1）基地址、字節數、當前地址、字節數寄存器組電路

　　在器件中，基地址、當前地址、基字節數和當前字節數寄存器的電路形式基本相同，如圖2所示。

　　圖2　基地址（字節數）當前地址（字節數）寄存器

　　在圖中，左半部分為基地址或基字節數寄存器，右半部分為當前地址或當前字節數寄存器，寄存器單元中數據的出入由IDS控制。在CPU對其進行寫時，內總線上的數據，在IW控制下進入到寄存器，并寫到寄存器中。

　　在圖中看出，基地址和當前地址（基字節和當前字節數）寄存器，具有相同的初始值，因為它們是在同一時刻由同一控制信號寫入的。

　　CPU對寄存器組的讀操作卻只限于當前地址和當前字節數寄存器。因為基地址和基字節數寄存器只寫不讀。圖中IDS是通道寄存器選擇線，由A0-A3譯碼形成，Q是復位線，由系統復位線RESET或主清零等軟件命令控制。D和V是自動初始化控制線，當其有效時，其寄存器的內容被重新寫入當前寄存器中。每完成一次傳輸地址和字節數都將被修改，由R線送到寄存器中。

　　（2）模式寄存器

　　L82C37A 內部每個通道都有一個6位的模式寄存器，其結構如圖3所示。

　　圖3　模式寄存器

　　該寄存器是確定工作模式的，這是一個D觸發器，其輸入/輸出均與數據總線相連。在輸入控制信號ME=1時，總線數據寫入寄存器。ME=0時數據鎖存。MS有效時，模式寄存器的數據送往相應控制的控制端。如果CPU查詢模式寄存器則可使EMR有效，將其內容讀到數據線上。

　　模式寄存器由A0-A3和D0、D1來選擇，當A0-A3為1101，D0 D1為00時，則選中通道0的模式寄存器。此時CPU可以對其進行讀/寫操作。

　　在DMA控制器中，還有命令寄存器、狀態寄存器、請求寄存器、屏蔽寄存器、暫存寄存器等。在此不贅述。

　　2.6　L82C37A版圖設計

　　L82C37A的版圖是采用2.0μm硅柵CMOS單層金屬布線規則進行設計的。

　　主要的設計規則如下（單位：μm）：

　　（1）N/P管溝道長度　　　　　　2.0/2.5

　　（2）多晶硅最小條寬/間距　　　2.0/3.0

　　（3）多晶硅包孔　　　　　　　1.25

　　（4）多晶硅在場區出頭　　　　2.0

　　（5）有源區最小寬/間距　　　　3.0/2.5

　　（6）P阱包N管有源　　　　　　3.0

　　（7）P阱距P管有源　　　　　　7.0

　　（8）P+包有源　　　　　　　　2.0

　　（9）孔最小尺寸　　　　　　　2.0×2.0

　　（10）鋁最小寬/間距　　　　　4.0/4.0

　　（11）鋁線包孔　　　　　　　　1.0

　　（12）鈍化窗口尺寸　　　　　　100×100

　　L82C37A控制電路部分的版圖均由標準單元電路版圖構成，在版圖完成之后，對版圖進行了DRC、ERC、LVS檢查，以確保其正確性。

　　2.7　L82C37A工藝研制

　　L82C37A采用2.0μm硅柵CMOS全離子注入工藝制造。襯底材料為N型硅，晶向為〈100〉，電阻率為6～9Ω.cm。

　　（1）工藝流程

　　選片→一次氧化→光刻P阱→P阱注入→P阱推進→預氧化→LPCVDSi3N4→光刻有源→P管場注入→光刻→N管場注入→場氧化→預柵氧化→溝道→調整注入→柵氧化→多晶硅淀積→多晶硅摻磷→光刻多晶→光刻 P+區→P+注入→光刻N+區→N+注入→淀積二氧化硅→源漏區推進→光刻電極孔→濺射Al-Si膜→光刻→合金→鈍化→光刻→蒸金→中測→壓焊→封裝

　　（2）工藝參數和器件物理參數

　　一氧：100 nm

　　P阱結深：≥3.5μm

　　預氧：50nm

　　Si3N4：150nm

　　場氧：900nm

　　一柵：50nm

　　柵氧：450nm

　　多晶：400～450nm

　　摻磷：R□單晶≤8Ω/□ R□poly≤2.5Ω/□

　　LPSiO2:600 nm

　　Si-Al:1.4 μm

　　鈍化（LPSiO2/PESi3N4）： 300/500 nm

　　VTN:0.6～0.9V

　　ΒVDSN≥16V

　　VNTL Al/Si≥16V

　　VTP:0.8～1.2V

　　ΒVDSP≥18V

　　2.8　測試

　　2.8.1　測試程序

　　L82C37A的工作方式比較復雜，時序要求比較繁瑣，測試脈沖的調制也比較嚴格。對于不同的輸入端，根據時序的要求，進行7種不同時序調制，并同時進行兩次分級調制。對于I/O讀和I/O寫分別采用150ns和100ns的歸零取反調制，地址線A0-A3采用雙向的歸零調制。對于數據總線D7-D0也采用歸零調制。其它輸入采用不歸零調制。

　　2.8.2　測試碼點

　　L82C37A由于功能比較復雜，時序要求又比較嚴格，測試碼點的產生比較長。根據L82C37A的功能特性要求，分成4種不同類型的測試碼點圖形，有利于進行測試分析。

　　2.8.3　交、直流參數測試

　　L82C37A電路的交、直流參數測試是按照參數手冊的交、直流參數要求進行測試的。

　　3　結束語

　　L82C37A電路在DIC-8032大型測試系統上完全按照手冊要求，進行全功能、全參數測試。測試結果表明，各項參數指標均達到國外同類產品的性能參數規范，可替換使用。L82C37A能在-55℃～+125℃全溫區、8MHz頻率條件下可靠地工作，達到了用戶要求，可批量生產.