市場對切換速度、功率、機械應力和熱應力耐受度之要求日益提升，而硅元件理論上正在接近性能上限。寬能帶隙半導體元件因電、熱、機械等各項性能表現具佳而被業界看好，被認為是硅半導體元件的替代技術。

在這些新材料中，相容硅技術制程的碳化硅（SiC）是最有前景的技術。碳化硅材料的電氣特性使其適用于研制高擊穿電壓元件，但是，遠高于普通硅元件的制造成本限制了其在中低壓元件中的推廣應用。在600V電壓范圍內，硅元件的性能非常好，CP值優于碳化硅元件。不過，應用要求晶片有更高的性能，而硅元件已經達到了極限。

本文評測了主切換采用意法半導體新產品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉換器的電熱特性，并將SiC碳化硅元件與新一代硅元件做了全面的比較。測試結果證明，新SiC碳化硅切換元件提升了切換性能的標桿，讓系統具更高的效能，對市場上現有的系統設計影響較大。

最近幾年，人們更加關注環境、效能和污染問題，導致電氣效能標準趨嚴，這不只限于大功率應用，還包括低負載應用?，F在，切換頻率可以更高，同時切換損耗可以降至更低，本文介紹的650V碳化硅電晶體適用于應用場景。如表1所示，碳化硅的寬能帶隙使電力元件具有很多優異的特性。

碳化硅的寬能帶隙使電力元件具有很多優異的特性

更高的關鍵應用可使用摻雜程度更高的超薄裸片，其損耗相較其他晶片低很多。碳化硅熱導率較硅元件高出很多，因此，功率損耗散熱導致的溫降在整個元件上都比較低。因為碳化硅的熔點溫度更高，可以工作在400℃范圍內，這些特性讓人們更加看好碳化硅元件在切換速度、損耗、RDS（on）導通電阻、擊穿電壓方面的性能表現。事實上，擊穿電壓高于1，200V的碳化硅元件深受市場歡迎。是否選擇超高擊穿電壓的碳化硅元件，不僅要考慮電氣特性，還要考慮碳化硅的制造成本。對于600V電壓以下碳化硅產品，以前市面上只有2吋或3吋碳化硅晶圓片，而且生產設備非常昂貴，因此，碳化硅元件的CP值不如硅元件?，F在4吋和6吋碳化硅晶圓片十分常見，市場對碳化硅元件需求成長可以讓廠商降低制造成本。600V SiC MOSFET開始出現在市面上，具有令人感興趣的特性，適用于各種應用領域。