摘要介紹了GSM上層協(xié)議中各個層的主要功能和GSM射頻指標(biāo)的測試方法，包括發(fā)射機相位誤差和頻率誤差測試，發(fā)射機載波峰值功率與突發(fā)脈沖定時測試，接收機參考靈敏度測試。
2011-09-30 13:56:26
1540 
在開發(fā)處理器時，為延長寶貴的電池壽命而耗費許多人力完成的設(shè)計，可能會因為驅(qū)動處理器的是一個不合標(biāo)準(zhǔn)的直流對直流電源轉(zhuǎn)換器而白白浪費，這個直流對直流電源轉(zhuǎn)換器的暫態(tài)效能，及精確性可能都有不足之處。透過
2013-03-04 09:16:51875 
本文簡要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數(shù)并分析了這些電氣參數(shù)對電路設(shè)計的影響，并且根據(jù)SiC Mosfet管開關(guān)特性和高壓高頻的應(yīng)用環(huán)境特點，推薦了金升陽可簡化設(shè)計隔離驅(qū)動電路的SIC驅(qū)動電源模塊。
2015-06-12 09:51:234738 借助 NVIDIA AI，戴爾、浪潮、Microsoft Azure 和 Supermicro 在今天發(fā)布的新 MLPerf 基準(zhǔn)測試中創(chuàng)下快速訓(xùn)練 AI 模型的記錄。
2021-12-03 10:19:521469 
`請問：圖片中的紅色白色藍(lán)色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關(guān)，需要能夠應(yīng)對不斷發(fā)展的市場的新型驅(qū)動和轉(zhuǎn)換解決方案。由于其優(yōu)異的熱特性，SiC器件在各種應(yīng)用中代表了優(yōu)選的解決方案，例如汽車領(lǐng)域的功率驅(qū)動電路。SiC
2019-07-30 15:15:17
SiC SBD 晶圓級測試 求助：需要測試的參數(shù)和測試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開啟電壓由肖特基勢壘的勢壘高度決定，通常如果將勢壘高度
2019-03-14 06:20:14
的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開啟電壓由肖特基勢壘的勢壘高度決定，通常如果將勢壘高度
2019-04-22 06:20:22
電流檢測電阻 R1輸出電容器 C5輸出整流二極管 D4 EMI對策 實裝PCB板布局與總結(jié)使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計案例 前言設(shè)計中使用的電源IC專為SiC-MOSFET優(yōu)化評価
2018-11-27 16:40:24
面積小（可實現(xiàn)小型封裝），而且體二極管的恢復(fù)損耗非常小。 主要應(yīng)用于工業(yè)機器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。 2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻 SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-04-09 04:58:00
-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計案例 前言設(shè)計中使用的電源IC專為SiC-MOSFET優(yōu)化評価編絕緣型反激式轉(zhuǎn)換器的性能評估和檢查要點 所謂隔離型反激式轉(zhuǎn)換器的性能評估和檢查要點 性能評估事例中所使用電源IC
2018-11-27 16:38:39
的SiC-SBD反向電流少，trr也短。順便一提，本特性因為反向電流的損耗而需要進(jìn)行研究探討。在這里，通過各二極管的斷面圖進(jìn)行介紹。下圖為Si-PND的偏置從正向偏置轉(zhuǎn)換為反向偏置時電子和空穴的移動。正向偏置
2018-11-29 14:34:32
，VF變高，不會熱失控。但是VF上升，因此具有IFSM（瞬間大電流耐受能力）比Si-FRD低的缺點。SiC-SBD的VF特性改善為提升具有卓越本質(zhì)的SiC-SBD的特性，使之更加易用，開發(fā)了VF降低
2018-11-30 11:52:08
電源系統(tǒng)應(yīng)用實現(xiàn)小型與更低損耗的關(guān)鍵 | SiC肖特基勢壘二極管在功率二極管中損耗最小的SiC-SBDROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管
2019-03-27 06:20:11
-SBD的發(fā)展，整理一下當(dāng)前實際上供應(yīng)的SiC-SBD。電源IC等通過不同的架構(gòu)和配置功能比較容易打造出品牌特色，而二極管和晶體管等分立元器件，功能本身是一樣的，因此是直接比較幾乎共通的特性項目來選型的。此時
2018-11-30 11:51:17
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進(jìn)行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點
2018-11-29 14:35:23
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場強是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開關(guān)損耗，通過改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開關(guān)損耗的降低，可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化（例：散熱片的小型化，水冷/強制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化
2019-05-06 09:15:52
的最高工作溫度局限在175℃。SiC器件的高溫工作能力降低了對系統(tǒng)熱預(yù)算的要求。此外，SiC器件還具有較高的熱導(dǎo)率、高擊穿電場強度、高飽和漂移速率、高熱穩(wěn)定性和化學(xué)惰性，其擊穿電場強度比同類Si器件要高
2018-09-11 16:12:04
。 ST的1200V碳化硅（SiC）JBS（結(jié)型勢壘肖特基）二極管系列可滿足設(shè)計人員對面向性能應(yīng)用的卓越效率、輕巧、小尺寸和改善的熱特性的需求。 ST的1200VSiC二極管具有出色的正向電壓（低
2020-06-30 16:26:30
大家好！想問下大家關(guān)于電源輸入特性的測試。電壓范圍+5%、-5%，頻率范圍±3%Hz，測試輸入電流，啟動浪涌電流。怎么測試？需要哪些設(shè)備和測試方法？
2019-10-21 09:03:03
本文將開始AC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計篇的新篇章：“使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計案例”。在本文中，繼此前提到的“反激式”和“正激式”之后，將介紹使用了“準(zhǔn)諧振方式”電源IC的隔離型AC
2018-11-27 17:03:34
SiCMOS，采用TO-247封裝。具有
SiC的通常優(yōu)點，寬禁帶，耐壓高，損耗小，
熱特性好。其Kelvin源引腳，提高了大電流下的開關(guān)性能。IMZA65R048M1適用于具有連續(xù)硬交換的拓?fù)洌梢蕴岣?/div>
2020-07-20 09:04:34
。碳化硅與Si相比，SiC具有： 1.導(dǎo)通電阻降低兩個數(shù)量級2.電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的功率損耗較少3.更高的熱導(dǎo)率和更高的溫度工作能力4.由于其物理特性固有的材料優(yōu)勢而提高了性能 SiC在600 V和更高
2022-08-12 09:42:07
的可再生能源，而IGBT是光伏系統(tǒng)中主要的功率半導(dǎo)體器件，因此其可靠性對光伏系統(tǒng)有重要影響。IGBT模塊的熱特性是模塊的重要特性之一，模塊在退化過程中，熱性能變化對于半導(dǎo)體模塊的整體性
2020-12-10 15:06:03
參考板測試報告：電氣特性：輸出紋波、轉(zhuǎn)換效率、負(fù)載調(diào)整率、線性調(diào)整率、負(fù)載響應(yīng)和延遲裕度等；EMC特性（CISPR25 5類標(biāo)準(zhǔn)）評估結(jié)果；熱測量結(jié)果。EMC測試報告：基于CISPR 25 5類測試標(biāo)準(zhǔn)的檢測報告
2020-11-19 17:06:14
` 首先萬分感謝羅姆及電子發(fā)燒友論壇給予此次羅姆SiC Mosfet試用機會。 第一次試用體驗，先利用晚上時間做單管SiC Mos的測試，由于沒有大功率電源，暫且只考察了Mos管的延時時間、上升時間
2020-05-21 15:24:22
SiC Mosfet管組成上下橋臂電路，整個評估板提供了一個半橋電路，可以支持Buck，Boost和半橋開關(guān)電路的拓?fù)洹?b class="flag-6" style="color: red">SiC Mosfet的驅(qū)動電路主要有BM6101為主的芯片搭建而成，上下橋臂各有一塊
2020-06-07 15:46:23
本帖最后由 熊宇豪 于 2022-2-16 16:45 編輯
`在學(xué)習(xí)評估板的user guide之后，了解其基本功能和組成電路組成，首先對SiC管做雙脈沖測試考察其開關(guān)特性。對于雙脈沖測試
2020-06-18 17:57:15
是48*0.35 = 16.8V，負(fù)載我們設(shè)為0.9Ω的阻值，通過下圖來看實際的輸入和輸出情況：圖4 輸入和輸出通過電子負(fù)載示數(shù)，輸出電流達(dá)到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關(guān)
2020-06-10 11:04:53
``首先感謝羅姆公司提供的開發(fā)板試用機會，本人作為高校學(xué)生，一直從事電源管理方向的研究，想向大功率的方向發(fā)展。SiC作為第三代半導(dǎo)體為功率電子的發(fā)展提供了很大的潛力，現(xiàn)在比較成熟的SiC器件制造廠商
2020-05-19 16:03:51
項目名稱：特種電源開發(fā)試用計劃：在I項目開發(fā)中，有一個關(guān)鍵電源，需要在有限空間，實現(xiàn)高壓、大電流脈沖輸出。對開關(guān)器件的開關(guān)特性和導(dǎo)通電阻都有嚴(yán)格要求。隨著SIC產(chǎn)品的技術(shù)成熟度越來越高，計劃把IGBT開關(guān)器件換成SIC器件。
2020-04-24 17:57:09
項目名稱：SiC mosfet 測試試用計劃：申請理由：公司開發(fā)雙脈沖測試儀對接觸到Sic相關(guān)的資料。想通過此次試用進(jìn)一步了解相關(guān)性能。試用計劃：1、測試電源輸入輸出性能。2、使用公司設(shè)備測試Sic器件相關(guān)參數(shù)。3、編寫測試報告。
2020-04-21 15:54:54
元件來適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
使用的實驗室測試和專業(yè)測試儀器。伏安特性測試儀拒絕傳統(tǒng)的手動工作模式。伏安特性測試儀采用先進(jìn)的中大規(guī)模集成電路。伏安特性測試儀采用DC / AC轉(zhuǎn)換技術(shù)將三端子按鈕、四端子按鍵測量方法合二為一。這種機器的新型
2018-12-07 10:15:41
各類應(yīng)用的PFC和升壓轉(zhuǎn)換器時，往往面對在更小尺寸實現(xiàn)更高能效的挑戰(zhàn)。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑戰(zhàn)。自從16多年前第一款SiC二極管問市以來，這一技術(shù)已經(jīng)日益成熟，質(zhì)量/可靠性測試和現(xiàn)場測試
2018-10-29 08:51:19
特性和結(jié)構(gòu)。尤其是溫度特性，Si-FRD隨著溫度升高VF下降，傳導(dǎo)損耗減少，但I(xiàn)F反而増加，從而可能陷入熱失控狀態(tài)。而SiC-SBD隨著溫度升高，VF變高，不會熱失控。但是VF上升，因此IFSM比
2018-11-29 14:33:47
裝置機器人商用空調(diào)工業(yè)用照明（路燈等）內(nèi)置SiC MOSFET的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC產(chǎn)品陣容產(chǎn)品名稱封裝電源電壓范圍MOSFET工作頻率VCC OVP *^1^FB OLP *^2^工作溫度范圍
2022-07-27 11:00:52
現(xiàn)在需要測IGBT的熱阻，我的方案是直接讓它導(dǎo)通然后用大電流加熱到一定的程度后，突然切斷大的電流源，看他在100ma下的vce變化（已知100ma工況下vce和節(jié)溫的關(guān)系），然后將測試到的vce
2017-09-29 10:40:46
評估板EVAL-PS-E1BF12-SIC用于評估FF11MR12W1M1_B11和FF23MR12W1M1_B11 CoolSiC MOSFET模塊。評估板允許執(zhí)行雙脈沖測量以及DC / DC轉(zhuǎn)換器的功能測試。因此，該板設(shè)計為雙向降壓 - 升壓轉(zhuǎn)換器。它適用于太陽能，UPS，EV充電等應(yīng)用
2019-04-29 09:00:44
1700V高耐壓，還是充分發(fā)揮SiC的特性使導(dǎo)通電阻大幅降低的MOSFET。此外，與SiC-MOSFET用的反激式轉(zhuǎn)換器控制IC組合，還可大幅改善效率。ROHM不僅開發(fā)最尖端的功率元器件，還促進(jìn)充分發(fā)揮
2018-12-04 10:11:25
圖片中點擊上層可以返回上層目錄，這個上層控件怎么實現(xiàn)？
2014-12-20 12:50:31
是，容許相同的發(fā)熱與損耗時，開關(guān)工作可以更高速。以開關(guān)電源為例，通過提高開關(guān)頻率，將能夠使用更小型的線圈（電感）與電容器，從而可實現(xiàn)小型化，更節(jié)省空間。 實現(xiàn)穩(wěn)定的溫度特性SiC的溫度特性的變動比Si
2018-12-04 10:26:52
如圖6所示。DC/DC轉(zhuǎn)換器輸入和輸出由一個電源連接和供電。電源消耗的功率對應(yīng)于DC/DC轉(zhuǎn)換器的損耗。因此，可以對DC/DC轉(zhuǎn)換器進(jìn)行精確的功率損耗測量。量熱測量進(jìn)一步分解了DC1側(cè)和DC2側(cè)功率
2023-02-20 15:32:06
給出國軍標(biāo)(G JB)混響室條件下小屏蔽體屏蔽效能的測試方法并分析其存在的不足,提出基于統(tǒng)計意義和多點數(shù)據(jù)采集的屏蔽效能定義及屏蔽效能計算公式,成功設(shè)計和開發(fā)基于統(tǒng)計意義的混響室屏蔽效能測試系統(tǒng)
2010-05-28 13:40:50
當(dāng)我們在均勻場中進(jìn)行屏蔽效能測試時，近場和遠(yuǎn)場結(jié)果相似 傳統(tǒng)的謝昆諾夫屏蔽效能計算公式已被廣泛應(yīng)用于整個電磁兼容領(lǐng)域的教學(xué)和實踐中。我們將在這篇文章中回顧謝昆諾夫教科書中的三個經(jīng)典
2009-10-13 09:42:07
在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中,如何充分利用SiC器件的性能優(yōu)勢？
2021-02-22 07:16:36
怎么實現(xiàn)基于LabVIEW的熱舒適測試系統(tǒng)的設(shè)計？
2021-05-14 06:01:24
電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開關(guān)損耗，通過改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：開關(guān)損耗的降低，可以帶來電源效率的改善和散熱部件的簡化（例：散熱片的小型化，水冷/強制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化
2019-03-12 03:43:18
，損耗更低，高溫環(huán)境條件下工作特性優(yōu)異，有望成為新一代低損耗元件。②SiC功率元器件SiC是在熱、化學(xué)、機械方面都非常穩(wěn)定的化合物半導(dǎo)體，對于功率元器件來說的重要參數(shù)都非常優(yōu)異。作為元件，具有優(yōu)于Si
2017-07-22 14:12:43
應(yīng)的SiC-MOSFET一覽表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管，包括體二極管的反向恢復(fù)特性在內(nèi)，特性得到大幅提升。一覽表中的SCT3xxx型號即第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC
2018-12-05 10:04:41
應(yīng)用看，未來非常廣泛且前景被看好。與圈內(nèi)某知名公司了解到，一旦國內(nèi)品牌誰先成功掌握這種技術(shù)，那它就會呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
的快速充電器等的功率因數(shù)校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開啟電壓由肖特基勢壘的勢壘高度決定，通常如果將勢壘高度
2019-05-07 06:21:51
碳化硅（SiC）是比較新的半導(dǎo)體材料。一開始，我們先來了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導(dǎo)體材料。其結(jié)合力非常強，在熱、化學(xué)、機械方面都
2018-11-29 14:43:52
本文描述了ROHM推出的SiC-SBD其特性、與Si二極管的比較、及當(dāng)前可供應(yīng)的產(chǎn)品，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。ROHM的SiC-SBD已經(jīng)發(fā)展到第3代。第3代產(chǎn)品的抗浪涌電流特性與漏電流特性得到
2019-07-10 04:20:13
本半導(dǎo)體制造商羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產(chǎn)品損耗
2019-03-18 23:16:12
本文將從設(shè)計角度首先對在設(shè)計中使用的電源IC進(jìn)行介紹。如“前言”中所述，本文中會涉及“準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器”的設(shè)計和功率晶體管使用“SiC-MOSFET”這兩個新課題。因此，設(shè)計中所使用的電源IC，是可將
2018-11-27 16:54:24
高效能穩(wěn)壓電源原理圖
2019-10-16 09:03:15
2 : Si、SiC和GaN的特性優(yōu)值比較(source：YoleDeveloppement)WINSIC4AP 的主要目標(biāo)主要目標(biāo)WinSiC4AP致力于為高效能、高成本效益的目標(biāo)應(yīng)用開發(fā)可靠的技術(shù)
2019-06-27 04:20:26
系統(tǒng)介紹飛機供電特性測試系統(tǒng)主要用于飛機供電特性測試，測試規(guī)范滿足：測試標(biāo)準(zhǔn)：MIL-STD-704、GJB181測試依據(jù)：MIL-HDBK-704、HB20326 測試內(nèi)容 正常工作狀態(tài)
2023-09-20 15:36:51
Stefano GallinaroADI公司各種應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換器正從純硅IGBT轉(zhuǎn)向SiC/GaN MOSFET。一些市場（比如電機驅(qū)動逆變器市場）采用新技術(shù)的速度較慢，而另一些市場（比如太陽能
2018-10-22 17:01:41
用于功率電源特性測試的負(fù)載設(shè)計與控制Design and Controlof th eL oadU sedf orT estingC haracteristico fP ower Supply
摘要:對功率電源特性測試中使用的電阻負(fù)載，介紹了其陣列結(jié)構(gòu)模式
2009-01-10 12:36:05
18 不僅在機頂盒市場具舉足輕重地位，亦廣泛運用于許多常見的電子產(chǎn)品。揚智芯片整合最先進(jìn)技術(shù)，提供服務(wù)運營商及硬件制造商具備絕佳效能表現(xiàn)與成本效益的新一代機頂盒解決方案，最新配備MIPS處理器的芯片方案，整合高容量L2高速緩存，可提升針對HTML-5應(yīng)用的運作表現(xiàn)；另亦配備揚智最新高級
2017-02-10 05:55:20577 屏蔽效能是對屏蔽體隔離或限制電磁波的能力的度量，是反映屏蔽材料最主要的指標(biāo)，因此，屏蔽效能測試技術(shù)的規(guī)范性、適用性至關(guān)重要。目前屏蔽效能測試標(biāo)準(zhǔn)已有十幾種，包括國標(biāo)、國軍標(biāo)、行標(biāo)等，雖然每種方法都能
2018-02-28 14:59:091 觸控科技更上層樓，學(xué)者研發(fā)出類似人造皮的薄膜，能作為觸控式界面，可望讓智能手機、穿戴式裝置或計算機更好操作。
2019-10-25 10:25:25574 直線電機加持的五菱宏光MINI能跑170公里。五菱宏光是上汽通用五菱推出的介于商用車和乘用車的跨界自主研發(fā)產(chǎn)品。該產(chǎn)品以流暢的外形設(shè)計，多樣化、實用性的寬敞駕乘空間。五菱宏光在動力性和經(jīng)濟(jì)性的平衡，以及在操控性和safe的實力表現(xiàn)，顛覆了人們對商務(wù)車的傳統(tǒng)印象。近日，憑借著實用的車內(nèi)空間以及酷似日本K-Car的車身造型，五菱全新4座微型純電動車宏光MINI EV博得了不少人的關(guān)注。 據(jù)直線電機獲悉，新車全系將搭載max功率為27.2馬力， 峰
2020-05-31 11:22:002446 作者：英飛凌科技資深高級工程師René Mente 談起電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計，諸如碳化硅（SiC）等寬禁帶（WBG）技術(shù)是當(dāng)今進(jìn)行器件選擇時的現(xiàn)實考慮。650V SiC MOSFET的推出使它們對于某些
2021-03-25 17:26:082117 樁、不間斷電源系統(tǒng)以及能源儲存等應(yīng)用場景中的需求不斷提升。 SiC MOSFET的特性 更好的耐高溫與耐高壓特性 基于SiC材料的器件擁有比傳統(tǒng)Si材料制品更好的耐高溫耐高壓特性，其能獲得更高的功率密度和能源效率。由于碳化硅（SiC）的介電擊穿強度大約是硅（Si）的
2021-08-13 18:16:276631 Supreme Studio此次選擇洲明集團(tuán)旗下雷迪奧，以落成泰國最大xR虛擬影棚，同樣希望借助“LED大屏+xR技術(shù)”更上層樓，在商業(yè)短片、電影或紀(jì)實影片、廣告等領(lǐng)域，將更多兼具泰式風(fēng)情與國族特色的視聽作品，推向國際！
2022-04-16 09:44:212077 碳化硅（SiC）在設(shè)計大功率電子器件方面優(yōu)于傳統(tǒng)硅，開發(fā)者們對SiC材料的物理特性還有性能有較多的認(rèn)識，這種高性能化合物半導(dǎo)體的被廣泛采用，但在應(yīng)用中如何控制晶體的缺陷密度仍是一個挑戰(zhàn)。
2022-04-16 17:07:542689 關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。
2022-08-01 09:51:151687 
Namisoft小編將帶大家一起看看，關(guān)于電源特性測試及電源特性測試系統(tǒng)的相關(guān)方面。 一、電源特性測試項目介紹 1、反復(fù)開關(guān)機測試（目前市場上的設(shè)備基本為寬電壓設(shè)計，支持9-36V的電源輸入） 1.1 輸入正常使用電壓，最大負(fù)載，合上15s斷開5s反復(fù)
2022-12-28 17:48:40835 
上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復(fù)特性進(jìn)行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。
2023-02-08 13:43:20790 
電氣化正在推動SiC半導(dǎo)體的增長，由于其具備快速開關(guān)能力、更低的功率損耗和更高的溫度性能，電動汽車、可持續(xù)發(fā)展和工業(yè)等大型細(xì)分市場都轉(zhuǎn)向SiC電源解決方案。為了幫助電源設(shè)計工程師輕松、快速和放心
2023-03-25 06:40:02450 碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術(shù)，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 在現(xiàn)代家庭中，有很多五花八門的家用電器，有時我們會忘記它們放在哪里了，以及它們有什么功能。每天，我都會在沙發(fā)或床上看到一堆遙控器，需要花點時間才能想起來每個遙控器對應(yīng)的是哪個設(shè)備。隨著家用電器數(shù)量的增加，操作遙控器時需要記住的指令和信息也會大幅增加，讓我們的大腦不堪重負(fù)，而且這種負(fù)擔(dān)沒有放緩的跡象。Juniper網(wǎng)絡(luò)公司最近的一項研究表明，到2023年，使用的數(shù)字語音助手?jǐn)?shù)量將接近80億（是當(dāng)前數(shù)字的三倍），主要受智能家居設(shè)備發(fā)展的影響。
2023-05-08 10:35:04815 1.目標(biāo)本次測試的目的是為了演示HDS-35屏蔽效能測試系統(tǒng)是如何用于測量銅箔屏蔽材料的屏蔽效能值。2.測量設(shè)置HDS-35屏蔽效能測試系統(tǒng)具有3.6GHz頻率的屏蔽效能測試，配合我司的頻譜
2022-11-11 17:12:14618 
SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因為SiC MOSFET體二極管具有獨特的特性。對于1200V SiC MOSFET來說，輸出電容的影響較大，而PN
2023-01-04 10:02:071113 
平面材料的電磁屏蔽效能測試標(biāo)準(zhǔn)：GB/T30142-2013平面型電磁屏蔽材料屏蔽效能測量方法本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了10kHz頻率范圍內(nèi)平面材料的電磁屏蔽效能測量方法本標(biāo)準(zhǔn)適用于電磁屏蔽織物，電磁屏蔽金屬網(wǎng)
2023-05-05 09:51:581631 電源模塊在現(xiàn)代電子設(shè)備中起著至關(guān)重要的作用，而高效能量轉(zhuǎn)換是實現(xiàn)可持續(xù)和高性能電源的關(guān)鍵。本文介紹了一種基于斯利通氮化鋁陶瓷電路板的先進(jìn)電源模塊技術(shù)，通過優(yōu)異的熱傳導(dǎo)性能和電氣絕緣特性，實現(xiàn)了高效能量轉(zhuǎn)換。文章將詳細(xì)討論該電源模塊的設(shè)計原理、制造工藝以及性能評估結(jié)果。
2023-07-10 15:05:35258 ，通過優(yōu)異的熱傳導(dǎo)性能和電氣絕緣特性，實現(xiàn)了高效能量轉(zhuǎn)換。文章將詳細(xì)討論該電源模塊的設(shè)計原理、制造工藝以及性能評估結(jié)果。 先進(jìn)電源模塊的設(shè)計基于斯利通氮化鋁陶瓷電路板的優(yōu)異性能。以下是該電源模塊的關(guān)鍵設(shè)計原理：
2023-07-27 16:22:10287 隨著眾多新品手機快充技術(shù)的應(yīng)用，大家對以 GaN、SiC 為代表的快充充電器增加了更多的關(guān)注。由于 GaN、SiC 等新型半導(dǎo)體的寬禁帶等特性，使得以其為核心的電源具有更高的開關(guān)速度、更低的開關(guān)損耗和更高的轉(zhuǎn)換效率，使得充電器可以更小巧，更節(jié)能環(huán)保。在電動車，便攜電子設(shè)備中得到的愈加廣泛的應(yīng)用。
2023-08-23 16:02:21284 
紋波及噪聲測試是電源模塊測試項目之一，也是電源模塊測試的重要環(huán)節(jié)，因為紋波噪聲對設(shè)備的性能和穩(wěn)定性有很大影響。通過電源紋波噪聲測試，檢測電源紋波情況，從而提升電源的性能。納米軟件電源模塊測試系統(tǒng)助力紋波和噪聲測試，提升測試效能。
2023-10-30 15:16:31334 
對開關(guān)電源特性進(jìn)行測試是為了確保電氣性能的設(shè)計符合要求，保證電源的工作狀態(tài)。在進(jìn)行電源特性測試時需要注意測試標(biāo)準(zhǔn)和測試條件，確保測試符合要求，保證測試結(jié)果準(zhǔn)確性。
2023-11-02 14:37:47549 電源功能測試的不同內(nèi)容以及用戶需求，納米軟件會進(jìn)行評估選擇最合適的硬件設(shè)備以及軟件的定制開發(fā)，提升測試效能，減少測試成本。
2023-11-03 15:50:22593 
什么是高效能交流電源供應(yīng)器？有什么特性？ 高效能交流電源供應(yīng)器是一種電氣設(shè)備，主要用于將交流電轉(zhuǎn)換為所需電壓和電流的直流電源。它采用先進(jìn)的變換技術(shù)和控制算法，以提供穩(wěn)定、可靠、高效的電源輸出
2023-11-07 10:08:35263 開關(guān)電源測試系統(tǒng)是針對開關(guān)電源測試而開發(fā)的一種智能自動化測試系統(tǒng)，打破傳統(tǒng)測試程序與缺陷，滿足客戶新的測試需求，助力客戶解決測試難點，順利完成開關(guān)電源測試，提高測試效能。那么開關(guān)電源自動化測試方案的流程是什么呢?
2023-11-22 16:37:11380 
SiC SBD的高耐壓（反壓）特性
2023-12-13 15:27:55197 
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