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武漢普賽斯儀表有限公司

以數字源表為核心，專注于功率半導體測試！

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半導體功率器件C-V特性測試系統

型號： C-V特性測試系統

--- 產品參數 ---

  • VGS 0 - ±30V(選配)
  • GSS/IGE ≥10pA(選配)
  • VDS 0-±300V/1200V2200V/3500V
  • IDSS/ICES ≥10pA/1nA
  • 源測精度 0.03%/0.1%
  • 測試頻率 10Hz-1MHz
  • 頻率輸出精確度 ±0.01%
  • 基本準確度 ±0.05%
  • AC測試信號準位 10mV至2Vrms (1m Vrms 解析度)
  • DC測試信號準位 10mV至2V (1m Vrms 解析度)
  • 輸出阻抗 100Ω

--- 產品詳情 ---

電容-電壓(C-V)測量廣泛用于測量半導體參數，尤其是MOS CAP和MOSFET結構。MOS(金屬-氧化物-半導體)結構的電容是外加電壓的函數，MOS電容隨外加電壓變化的曲線稱之為C-V曲線（簡稱C-V特性），C-V 曲線測試可以方便的確定二氧化硅層厚度dox、襯底摻雜濃度N、氧化層中可動電荷面密度Q1、和固定電荷面密度Qfc等參數。

 

●    頻率范圍寬：頻率范圍10Hz~1MHz連續頻率點可調

●    高精度、大動態范圍：提供0V~3500V偏壓范圍，精度0.1%

●    內置CV測試：內置自動化CV測試軟件，包含C-V（電容- 電壓），C-T（電容- 時間），C-F（電容 - 頻率）等多項測試測試功能

●    兼容IV測試：同時支持擊穿特性以及漏電流特性測試

●    實時曲線繪制：軟件界面直觀展示項目測試數據及曲線，便于監控

●    擴展性強：系統采用模塊化設計，可根據需求靈活搭配

 

軟件界面及功能

CV測試界面
CV曲線圖

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