--- 產品參數 ---
- 高壓源/VCC 1500V/3300V/5000V/10KV
- 高流源/IC 600A/1500A/3000A/6000A/
- 短路電流/Isc 3000A/6000A/10KA(5-50
- 驅動電壓/VGE ±0.5~30V/±0.5~50V
- 負載/L 10 50 150 500 1000 2000 u
- 電流/I 6000 3000 1500 600 400 20
--- 產品詳情 ---
IGBT模塊動態特性測試系統STA3500
電氣配置
高壓源/VCC:1500V/3300V/5000V/10KV
高流源/IC:600A/1500A/3000A/6000A/10KA
短路電流/Isc:3000A/6000A/10KA(5-50μs)
驅動電壓/VGE:±0.5~30V/±0.5~50V
Rg:0.5R、1R、2R、4R(支持手動和自動切換)
負載/L:10 50 150 500 1000 2000 uH
電流/I:6000 3000 1500 600 400 200 A
IGBT模塊動態特性測試系統STA3500
測試條件
Vcc范圍:50-3300
VIC范圍:50-200A(雪崩條件)
IC范圍:50-1500A
L電感:10/50/150/5001000/2000uH
VGE(on/off):±30V(電壓可設置)
tp測試時間:10-1000us(自動計算)
twsoff脈沖間隔:10-50us(可設置)
電阻范圍:0.5R、1R、2R、4R(Qg條件)
IscMAX(最大):6KA/10KA(SC條件)
IGBT模塊動態特性測試系統STA3500
試驗能力
標配,開關特性/Turn_ON/OFF_L
標配,二極管反向恢復特性/Qrr-FRD
標配,柵電荷/Qg
選配,短路特性/SC
選配,單/雙脈沖安全工作區/RBSOA(Sp/Dp)
選配,雪崩耐量/UIS
IGBT模塊動態特性測試系統STA3500
波形例舉
IGBT模塊動態特性測試系統STA3500
參數指標
標配(阻性/感性)開關測試單元/Turn_ON/OFF_L
- 開通/關斷時間ton/toff:10-10000ns解析度/精度:1ns@±4%
- 開通/關斷延遲td(on)/td(off):10-10000ns解析度/精度:1ns@±4%
- 上升/下降時間tr/tf:10-10000ns解析度/精度:1ns@±4%
- 開通/關斷損耗Eon/Eoff:0.5-10000mJ解析度:0.1mJ
- 關斷拖尾時間tz:10-10000ns解析度/精度:1ns@±4%
- 導通/關斷峰值電壓Vce/VCEpk:50-1400V解析度/精度:1V@±4%
- 通態峰值電流Ipeak/Ic:20-1500A解析度/精度:1A@±4%
標配 二極管反向恢復測試單元/Qrr_FRD
- 反向恢復時間Trr:10-1000ns解析度和精度:1ns@±4%
- 最大反向電流Irm:20A-1500A解析度:1A
- 反向恢復電荷Qrr:1nC-30000μC解析度:1nC
- 反向恢復損耗Erec:0.5-10000mJ,解析度:0.1mJ
- di/dt@dv/dt:10A-8000A/us@0.2-5KV/us
- 反向關斷峰值電壓VRRpk:50-1400V解析度和精度:1ns@±4%
- 正向關斷電流IFM:20A-1500A解析度和精度:1ns@±4%
標配 柵極電荷單元/Qg
- 閾值電荷Qg(th):20nC~20uC解析度/精度:1uC@±4%
- 柵電荷Qg:20nC~20uC解析度/精度:1uC@±4%
- 平臺電壓vg:.-10V~+20v解析度/精度:0.1V@±2%
- 柵源電荷Qgs:20nC~20uC解析度/精度:1uC@±4%
- 柵漏電荷Qgd:20nC~20uC解析度/精度:1uC@±4%
選配 短路特性測試單元/SCSOA
- 短路電流Isc:6000A解析度/精度:1A@±4%
- 短路時間Tsc:5~100us
選配 安全工作區/RBSOA
- RBSOA:VCE/50-1.4KV,Ic/20-2KA
- VCE/Ic解析度/精度:1V/1A@±4%
選配 雪崩特性測試單元/UIS
- 單/重復脈沖雪崩能量EAS/EAR:1~2000J解析度:0.1mJ
- 單脈沖雪崩電流IAS:5-200A解析度和精度1A@±4%
- 單脈沖雪崩功率PAS:最大140KW
IGBT模塊動態特性測試系統STA3500
陜西天士立科技有限公司
專注半導體檢測·電學檢測·可靠性檢測·老化實驗
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