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陜西天士立科技有限公司

陜西天士立科技有限公司,源頭廠家,自有工廠研發制造,主營業務:半導體器件專用設備制造、儀器儀表制造、電子元器件制造、機械電氣設備制造等

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IGBT模塊動態特性測試系統

型號: STA3500

--- 產品參數 ---

  • 高壓源/VCC 1500V/3300V/5000V/10KV
  • 高流源/IC 600A/1500A/3000A/6000A/
  • 短路電流/Isc 3000A/6000A/10KA(5-50
  • 驅動電壓/VGE ±0.5~30V/±0.5~50V
  • 負載/L 10 50 150 500 1000 2000 u
  • 電流/I 6000 3000 1500 600 400 20

--- 產品詳情 ---

 

 

IGBT模塊動態特性測試系統STA3500

電氣配置

高壓源/VCC:1500V/3300V/5000V/10KV 

高流源/IC:600A/1500A/3000A/6000A/10KA 

短路電流/Isc:3000A/6000A/10KA(5-50μs)

驅動電壓/VGE:±0.5~30V/±0.5~50V 

Rg:0.5R、1R、2R、4R(支持手動和自動切換)

負載/L:10 50 150 500 1000 2000 uH

電流/I:6000 3000 1500 600 400 200 A 

 

 

IGBT模塊動態特性測試系統STA3500

測試條件 

Vcc范圍:50-3300 

VIC范圍:50-200A(雪崩條件) 

IC范圍:50-1500A 

L電感:10/50/150/5001000/2000uH 

VGE(on/off):±30V(電壓可設置) 

tp測試時間:10-1000us(自動計算) 

twsoff脈沖間隔:10-50us(可設置) 

電阻范圍:0.5R、1R、2R、4R(Qg條件)

IscMAX(最大):6KA/10KA(SC條件)

 

 

IGBT模塊動態特性測試系統STA3500

試驗能力

標配,開關特性/Turn_ON/OFF_L 

標配,二極管反向恢復特性/Qrr-FRD 

標配,柵電荷/Qg 

選配,短路特性/SC 

選配,單/雙脈沖安全工作區/RBSOA(Sp/Dp)

選配,雪崩耐量/UIS

 

 

 

IGBT模塊動態特性測試系統STA3500

波形例舉

 

 

 

 

IGBT模塊動態特性測試系統STA3500

參數指標

標配(阻性/感性)開關測試單元/Turn_ON/OFF_L 

  1. 開通/關斷時間ton/toff:10-10000ns解析度/精度:1ns@±4% 
  2. 開通/關斷延遲td(on)/td(off):10-10000ns解析度/精度:1ns@±4%
  3. 上升/下降時間tr/tf:10-10000ns解析度/精度:1ns@±4% 
  4. 開通/關斷損耗Eon/Eoff:0.5-10000mJ解析度:0.1mJ 
  5. 關斷拖尾時間tz:10-10000ns解析度/精度:1ns@±4% 
  6. 導通/關斷峰值電壓Vce/VCEpk:50-1400V解析度/精度:1V@±4% 
  7. 通態峰值電流Ipeak/Ic:20-1500A解析度/精度:1A@±4% 

標配 二極管反向恢復測試單元/Qrr_FRD 

  1. 反向恢復時間Trr:10-1000ns解析度和精度:1ns@±4% 
  2. 最大反向電流Irm:20A-1500A解析度:1A 
  3. 反向恢復電荷Qrr:1nC-30000μC解析度:1nC 
  4. 反向恢復損耗Erec:0.5-10000mJ,解析度:0.1mJ 
  5. di/dt@dv/dt:10A-8000A/us@0.2-5KV/us 
  6. 反向關斷峰值電壓VRRpk:50-1400V解析度和精度:1ns@±4% 
  7. 正向關斷電流IFM:20A-1500A解析度和精度:1ns@±4% 

標配 柵極電荷單元/Qg 

  1. 閾值電荷Qg(th):20nC~20uC解析度/精度:1uC@±4% 
  2. 柵電荷Qg:20nC~20uC解析度/精度:1uC@±4% 
  3. 平臺電壓vg:.-10V~+20v解析度/精度:0.1V@±2% 
  4. 柵源電荷Qgs:20nC~20uC解析度/精度:1uC@±4% 
  5. 柵漏電荷Qgd:20nC~20uC解析度/精度:1uC@±4% 

選配 短路特性測試單元/SCSOA 

  1. 短路電流Isc:6000A解析度/精度:1A@±4% 
  2. 短路時間Tsc:5~100us 

選配 安全工作區/RBSOA 

  1. RBSOA:VCE/50-1.4KV,Ic/20-2KA 
  2. VCE/Ic解析度/精度:1V/1A@±4% 

選配 雪崩特性測試單元/UIS 

  1. 單/重復脈沖雪崩能量EAS/EAR:1~2000J解析度:0.1mJ 
  2. 單脈沖雪崩電流IAS:5-200A解析度和精度1A@±4%
  3. 單脈沖雪崩功率PAS:最大140KW

 

IGBT模塊動態特性測試系統STA3500

 

陜西天士立科技有限公司

專注半導體檢測·電學檢測·可靠性檢測·老化實驗

 

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