--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 型號 STD85N3LH5
- 品牌 ST意法
- 封裝 TO-252
- VDS 30V
- ID 80A
- Rds On 5 mOhms
- 溫度范圍 -55℃-175℃
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
制造商: STMicroelectronics
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: Yes
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DPAK-3 (TO-252-3)
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續(xù)漏極電流: 80 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 22 V, + 22 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 70 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo): STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 10.8 ns
高度: 2.4 mm
長度: 6.6 mm
產(chǎn)品類型: MOSFETs
上升時間: 14 ns
系列: STD85N3LH5
包裝數(shù): 2500
子類別: Transistors
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 23.6 ns
典型接通延遲時間: 6 ns
寬度: 6.2 mm
單位重量: 330 mg
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