--- 產品參數 ---
- 封裝 TO220
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
6N80L-TA3-T-VB 是一款高性能的 N-溝道 MOSFET,封裝形式為 TO220。采用 SJ_Multi-EPI 技術,具有高擊穿電壓和低導通電阻的特點,適用于各種需要高壓耐受和穩定性的應用場合。
### 產品參數
- **封裝類型**: TO220
- **配置**: 單 N-溝道
- **擊穿電壓 (VDS)**: 800V
- **柵極電壓 (VGS)**: 30V(±)
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 1300mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 5A
- **技術**: SJ_Multi-EPI
### 應用領域和模塊示例
1. **工業電源**:6N80L-TA3-T-VB 可用于工業電源系統中的高壓開關電源模塊,如工業電源逆變器和高壓電源開關。
2. **電動汽車充電器**:在電動汽車充電樁中,需要穩定的高壓開關元件來實現高效的能量轉換和充電控制。該 MOSFET 的高擊穿電壓和低導通電阻特性使其非常適合此類應用。
3. **太陽能逆變器**:用于太陽能光伏系統中的逆變器,將太陽能板收集的直流電轉換為交流電。6N80L-TA3-T-VB 的性能保證了逆變器在各種環境條件下的可靠性和效率。
4. **電動工具和家用電器**:在高性能電動工具和家用電器中,該 MOSFET 可用于電源開關和電機驅動,確保設備的高效和可靠運行。
5. **醫療設備**:應用于醫療設備中的電源管理模塊,如醫療成像設備和高性能醫療電子設備,保證設備的安全性和穩定性。
6. **消費電子產品**:適用于需要高性能和穩定電源管理的消費電子產品,如高清顯示器、音頻放大器和 LED 照明產品。
通過以上示例,可以看出 6N80L-TA3-T-VB 具有廣泛的應用范圍,能夠滿足不同領域對高性能、高可靠性 MOSFET 的需求。
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