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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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6N90L-TF3-T-VB一款Single-N溝道TO220F的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: 6N90L-TF3-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO220F
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 1. 產品簡介

VBsemi 6N90L-TF3-T-VB 是一款單N溝道場效應管,采用了SJ_Multi-EPI技術,設計用于高壓應用。具有高達900V的漏極-源極電壓(VDS),適合需要穩定電壓和可靠性的電路設計。

### 2. 參數說明

- **型號**: 6N90L-TF3-T-VB
- **封裝**: TO220F
- **配置**: 單N溝道
- **VDS (漏極-源極電壓)**: 900V
- **VGS (柵極-源極電壓)**: ±30V
- **Vth (閾值電壓)**: 3.5V
- **RDS(ON) (導通電阻)**: 1500mΩ @ VGS = 10V
- **ID (漏極電流)**: 5A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 3. 應用示例

6N90L-TF3-T-VB 在多個領域和模塊中具有廣泛的應用:

- **電源轉換器**: 由于其高漏極-源極電壓和適中的漏極電流能力,這款MOSFET非常適合用作開關電源轉換器的主開關管,用于高壓電源管理和轉換。

- **工業電機控制**: 在工業自動化中,6N90L-TF3-T-VB 可以作為電機驅動器的關鍵組件,用于控制和保護工業電機,實現精確的速度和位置控制。

- **太陽能逆變器**: 在太陽能發電系統的逆變器中,這款高壓MOSFET能夠有效地轉換太陽能電池板產生的直流電為交流電,以供電網使用。

- **醫療設備**: 由于其穩定的性能和高電壓能力,6N90L-TF3-T-VB 可以用于醫療設備中的電源管理和精密控制電路,確保設備安全可靠運行。

這些示例展示了 6N90L-TF3-T-VB 在各種高壓應用中的優越性能和廣泛適用性,使其成為工程師在設計高效能電子系統時的理想選擇。

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