--- 產品參數 ---
- 封裝 SOT669
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 1. 產品簡介
71560E-VB 是一款單通道 N 溝道功率 MOSFET,采用 SOT669 封裝。它具有60V的漏極-源極電壓(VDS),適合中功率應用。該產品采用了 Trench 技術,具有低導通電阻和高性能。
### 2. 參數說明
- **封裝類型:** SOT669
- **通道類型:** 單 N 溝道
- **漏極-源極電壓(VDS):** 60V
- **柵極-源極電壓(VGS):** ±20V
- **閾值電壓(Vth):** 1~3V
- **導通電阻(RDS(ON)):**
- 7.8mΩ @ VGS = 4.5V
- 6.2mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID):** 64A
- **技術:** Trench
### 3. 應用示例
71560E-VB 在多種領域和模塊中具有廣泛的適用性,以下是一些示例:
- **電源轉換器:** 在高效率的電源轉換器中,如電池管理系統和 DC-DC 變換器,71560E-VB 的低導通電阻(特別是在高電壓下的6.2mΩ @ 10V)和高漏極電流能力可以提供高效的電能轉換和穩定的電源輸出。
- **電動工具和家電控制:** 在需要高性能和長時間運行的電動工具和家電控制系統中,71560E-VB 的快速開關特性和低導通電阻使其適合于高頻率操作和快速響應需求。
- **汽車電子:** 在汽車電子系統中,如電動車輛的電機驅動和車載充電器,71560E-VB 的高電流承載能力和穩定性能夠滿足汽車電子中的功率管理和控制要求。
這些示例展示了 71560E-VB 在處理高電流和中功率下的優越性能和廣泛適用性,通過其先進的 Trench 技術和優秀的電氣特性,支持了多個領域的電子和電源管理應用需求。
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