適用于 GaNFET 的汽車類 1.2A/5A、100V 半橋柵極驅動器
| Bus voltage (Max) (V) | 100 |
| Power switch | MOSFET, GaNFET |
| Input VCC (Min) (V) | 4.5 |
| Input VCC (Max) (V) | 5.5 |
| Peak output current (A) | 5 |
| Rise time (ns) | 7 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| Undervoltage lockout (Typ) | 4 |
| Rating | Automotive |
| Number of channels (#) | 2 |
| Fall time (ns) | 3.5 |
| Prop delay (ns) | 30 |
| Iq (uA) | 150 |
| Input threshold | TTL |
| Channel input logic | TTL |
| Negative voltage handling at HS pin (V) | -5 |
| Features | Bootstrap supply voltage clamping, Split outputs on high and low side |
| Driver configuration | Half Bridge |
- 符合汽車應用 標準
- 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性：
- 器件溫度 1 級：–40°C 至 125°C 的環境工作溫度范圍
- 器件 HBM ESD 分類等級 1C
- 器件帶電器件模型 (CDM) ESD 分類等級 C6
- 獨立的高側和低側TTL 邏輯輸入
- 1.2A 峰值拉電流能力，5A 峰值灌電流能力
- 高側浮動偏置電壓軌
工作電壓高達 100VDC - 內部自舉電源電壓鉗位
- 分離輸出實現可調的
開通和關斷應力 - 0.6? 下拉電阻，2.1? 上拉電阻
- 快速傳播時間（典型值為 28ns）
- 優異的傳播延遲
（典型值為 1.5ns) - 電源軌欠壓鎖定
- 低功耗
LM5113-Q1 專為同時驅動采用同步降壓、升壓或半橋配置的高側和低側增強模式氮化鎵 (GaN) FET 或硅質 MOSFET 而設計，適用于汽車 應用。此器件具有一個集成于內部的 100V 自舉二極管，還為高側和低側輸出分別提供了獨立的輸入，可實現最大程度的靈活控制。高側偏置電壓在內部被鉗位為 5.2V，可防止柵極電壓超過增強模式 GaN FET 的最大柵極/源極電壓額定值。器件的輸入與 TTL 邏輯兼容，無論 VDD 電壓多高，它都能夠承受高達 14V 的輸入電壓。LM5113-Q1 具有分柵輸出的能力，可獨立靈活地調節開通和關斷強度。
此外，LM5113-Q1 具有非常可靠的灌電流能力，使柵極保持低電平，從而防止開關操作期間發生誤導通。LM5113-Q1 的工作頻率最高可達數 MHz。LM5113-Q1 采用帶有裸露焊盤的標準 10 引腳 WSON 封裝，可改善功耗。
