具有 8V UVLO 和高噪聲抗擾度的 1A、100V 半橋柵極驅動器
| Bus voltage (Max) (V) | 90 |
| Power switch | MOSFET |
| Input VCC (Min) (V) | 8 |
| Input VCC (Max) (V) | 14 |
| Peak output current (A) | 1 |
| Rise time (ns) | 15 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| Undervoltage lockout (Typ) | 8 |
| Rating | Catalog |
| Number of channels (#) | 2 |
| Fall time (ns) | 15 |
| Prop delay (ns) | 25 |
| Iq (uA) | 10 |
| Input threshold | TTL |
| Channel input logic | TTL |
| Negative voltage handling at HS pin (V) | -1 |
| Driver configuration | Dual, Independent |
- 可驅動高側和低側 N 溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)
- 1A 峰值輸出電流（1.0A 灌電流和 1.0A 拉電流）
- 與獨立的晶體管-晶體管邏輯電路 (TTL) 和互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 兼容的輸入
- 自舉電源電壓高達 108VDC
- 短暫傳播時間（典型值為 30ns）
- 可以 15ns 的上升和下降時間驅動 1000pF 負載
- 優異的傳播延遲匹配（典型值為 2ns)
- 支持電源軌欠壓鎖定
- 低功耗
- 8 引腳小外形尺寸集成電路 (SOIC) 和耐熱增強型 8 引腳晶圓級小外形無引線 (WSON) 封裝
應用
- 電流反饋推挽式轉換器
- 半橋和全橋電源轉換器
- 固態電機驅動器
- 雙開關正激電源轉換器
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LM5109B 器件是一款經濟高效的高電壓柵極驅動器，專為驅動采用同步降壓或半橋配置的高側和低側 N 溝道 MOSFET 而設計。懸空
高側驅動器能夠在高達 90V 的電源軌電壓下工作。輸出通過經濟高效的 TTL 和
CMOS 兼容輸入閾值獨立控制。穩健可靠的電平轉換技術同時擁有高運行速度和低功耗特性，并且可提供從控制輸入邏輯到高側柵極驅動器的干凈電平轉換。該器件在低側和高側電源軌上提供了欠壓鎖定功能。該器件采用 8 引腳 SOIC 和耐熱增強型 8 引腳 WSON 封裝。
