適用于 IGBT/SiC FET 且具有 2 級關斷功能的汽車類 5.7kVrms ±10A 單通道隔離式柵極驅動器
| Number of channels (#) | 1 |
| Isolation rating (Vrms) | 5700 |
| Power switch | IGBT, SiCFET |
| Peak output current (A) | 10 |
| DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) | 8400 |
| DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) | 2121 |
| Output VCC/VDD (Max) (V) | 33 |
| Output VCC/VDD (Min) (V) | 13 |
| Input VCC (Min) (V) | 3 |
| Input VCC (Max) (V) | 5.5 |
| Prop delay (ns) | 90 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| Undervoltage lockout (Typ) | 12 |
- 單通道 SiC/IGBT 隔離式柵極驅動器
- 符合面向汽車應用的 AEC-Q100 應用 （計劃的認證）
- 高達 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT
- 33V 最大輸出驅動電壓 (VDD-COM)
- 高峰值驅動電流和高 CMTI
- 有源米勒鉗位
- RDY 上的 UVLO（具有電源正常指示功能）
- 小傳播延遲和脈沖/器件間偏移
- 工作溫度范圍為 –40°C 至 125°C
- 安全相關認證（計劃）：
- 符合 DIN V VDE V 0884-11 (VDE V 0884-11):2017-01 標準的 8000VPK VIOTM 和 2121VPK VIORM 增強型隔離
- 符合 UL1577 標準、長達 1 分鐘的 5700VRMS 隔離
UCC21732-Q1 它是一款電隔離單通道柵極驅動器，設計用于高達 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有先進的保護 功能、一流的動態性能和穩健性。
輸入側通過 SiO2 電容隔離技術與輸出側相隔離，支持高達 1.5kVRMS 的工作電壓、12.8kVPK 的浪涌抗擾度，隔離層壽命超過 40 年，并提供較低的器件間偏移和高 CMTI。
