--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 容量 2Mb
- 接口類型 SPI接口(模式0)
- 封裝形式 SOP8
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
該 FRAM 芯片(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同,該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片中使用的存儲(chǔ)單元可用于 1E6 次讀/寫操作 *1,它的讀/寫耐久性大大超過 FLASH 和 EEPROM,且不會(huì)像FLASH 或 EEPROM 那樣需要很長的數(shù)據(jù)寫入時(shí)間,而且它不需要等待時(shí)間。
產(chǎn)品特點(diǎn)
容量 2M bit
接口類型 SPI接口(模式0和模式3)
工作電壓 2.7伏至3.6伏
工作頻率 25兆赫茲 功耗 4.2毫安(25兆赫茲)
低功耗 9微安(待機(jī))
耐久度 1E6讀/寫(常溫),10 9/讀(常溫)
數(shù)據(jù)保持 10年@85℃(200年@25℃)
高速讀特性 支持 40MHz 高速讀命令
工作環(huán)境溫度范圍 -40℃至85℃
封裝形式 8引腳SOP封裝,符合RoHS
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