SI2319DST1GE3詳細參數說明 極性 P溝道 額定電壓 30V 額定電流 5.6A 導通電阻 47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 閾值電壓 1Vth (V) 封裝類型 SOT23應用簡介 SI2319DST1GE3是一款P溝道MOSFET，適用于各種電源管理和功率放大器應用。它具有負的額定電壓和額定電流特性，能夠提供可靠且高效的電流開關功能。通過控制20Vgs (±V)的門源電壓，可以實現開關管的導通和截止實現電流的控制和開關狀態的轉換。其較低的導通電阻可以降低功耗，并提高系統的效率。SI2319DST1GE3采用SOT23封裝，適用于各種電路板和模塊中使用。該器件廣泛應用于電源開關、電源逆變器、電機驅動器等領域。由于其負的額定電壓和額定電流特性，SI2319DST1GE3特別適用于需要控制和開關負電壓的電路應用。在這些領域中，它能夠提供可靠的功率開關控制和負電壓的電流傳輸。總之，SI2319DST1GE3是一款P溝道MOSFET，適用于電源管理和功率放大器等應用模塊中。特別適用于需要控制和開關負電壓的領域，如電源開關、電機驅動器等領域。
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--- 產品參數 ---
- 極性 P溝道
- 額定電壓 30V
- 額定電流 5.6A
- 導通電阻 47mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5V
- 門源電壓 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 1Vth (V)
- 封裝類型 SOT23
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
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