型號 SI2369DST1GE3絲印 VB2355品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 5.6A 導(dǎo)通電阻 47mΩ@10V, 56mΩ@4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 門閾電壓 1Vth 封裝 SOT23應(yīng)用簡介 SI2369DST1GE3是一款P溝道MOSFET，適用于負(fù)極電壓控制和負(fù)載開關(guān)的應(yīng)用。其最大耐壓為30V，最大電流為5.6A，具有低導(dǎo)通電阻和高性能。該器件適用于多個領(lǐng)域的模塊設(shè)計(jì)，主要包括 1. 電源管理模塊 適用于負(fù)責(zé)電源開關(guān)和負(fù)載開關(guān)控制的電源管理模塊。2. 電動工具 可用于電動工具中的負(fù)極電源控制和負(fù)載開關(guān)。3. 家用電器模塊 適用于家用電器領(lǐng)域中的負(fù)極電源控制和負(fù)載開關(guān)。總之，SI2369DST1GE3適用于負(fù)極電壓控制和負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用領(lǐng)域的模塊設(shè)計(jì)，主要用于電源管理、電動工具和家用電器模塊等。
--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 類型 P溝道
- 最大耐壓 30V
- 最大電流 5.6A
- 導(dǎo)通電阻 47mΩ@10V, 56mΩ@4.5V
- 門源電壓 20Vgs (±V)
- 門閾電壓 1Vth
- 封裝 SOT23
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
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