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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造，致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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SI3477DV-T1-GE3-VB-SOT23-6封裝P溝道MOSFET

型號(hào)： SI3477DV-T1-GE3-VB
品牌： VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 頻道類(lèi)型 P溝道
  • 額定電壓 30V
  • 額定電流 4.8A
  • RDS(ON) 49mΩ @ 10V，54mΩ @ 4.5
  • 門(mén)源電壓范圍 ±20V
  • 門(mén)源閾值電壓范圍 1V~3V
  • 封裝類(lèi)型 SOT236

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

SI3477DV-T1-GE3.pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號(hào) SI3477DVT1GE3絲印 VB8338品牌 VBsemi參數(shù)  頻道類(lèi)型 P溝道 額定電壓 30V 額定電流 4.8A RDS(ON) 49mΩ @ 10V，54mΩ @ 4.5V 門(mén)源電壓范圍 ±20V 門(mén)源閾值電壓范圍 1V~3V 封裝類(lèi)型 SOT236應(yīng)用簡(jiǎn)介 SI3477DVT1GE3（絲印 VB8338）是VBsemi公司生產(chǎn)的一款P溝道功率MOSFET。以下是詳細(xì)的參數(shù)說(shuō)明和應(yīng)用簡(jiǎn)介 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 SI3477DVT1GE3是一款P溝道功率MOSFET，適用于具有低電壓和低功耗的電路。主要參數(shù)包括額定電壓為30V，額定電流為4.8A，RDS(ON)為49mΩ @ 10V，54mΩ @ 4.5V，門(mén)源電壓范圍為±20V，門(mén)源閾值電壓范圍為1V~3V，封裝類(lèi)型為SOT236。應(yīng)用領(lǐng)域 SI3477DVT1GE3（VB8338）適用于多種領(lǐng)域和應(yīng)用場(chǎng)景，主要用于需要P溝道功率MOSFET的低功耗電路。以下是一些典型的應(yīng)用領(lǐng)域 1. 電源管理模塊 SI3477DVT1GE3可用于電源管理模塊中，提供高效的電能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的電流輸出，改善系統(tǒng)的功耗和效率。2. 電池管理系統(tǒng) 它適用于電池管理系統(tǒng)中的充放電控制電路，提供高效能和可靠的電池管理。3. 便攜式設(shè)備 SI3477DVT1GE3適用于便攜式設(shè)備中的功率管理、電源開(kāi)關(guān)、電池管理等方面。綜上所述，SI3477DVT1GE3（VB8338）是一款P溝道功率MOSFET，適用于電源管理模塊、電池管理系統(tǒng)和便攜式設(shè)備等領(lǐng)域模塊。它具有低導(dǎo)通電阻和高耐壓的特點(diǎn)，適用于需要低功耗和高效能的電路。
 

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